耦合微带线间串扰问题的FDTD法分析

在模拟和数字电路中,耦合微带线间的串扰会降低设备的性能。为了降低线间串扰,在攻击线两边各插入了一列用金属填充的、顶端用微带连接的接地孔。利用FDTD方法对该结构进行模拟,给出了接地孔的有效放置方法。     

具有自动电平控制的WCDMA直放站上行链路的研究与设计

提出了一种具有自动电平控制(ALC)的WCDMA直放站上行链路系统,详细地分析了系统的上下变频和自动电平控制的原理,并进行了系统级仿真。此系统具有通带内增益高、带外衰减大和输出功率稳定可调的优点。     

连接器外壳电磁屏蔽性能的FDTD分析

本文利用时域有限差分法对连接器技术腔体的电磁屏蔽性能进行了模拟,经分析模拟结果发现,虽然连接器两端有进线孔,但金属腔与封闭的腔体类似,进入腔内的电磁波仍能发生强烈的电磁振荡,这使腔体的电磁屏蔽性能被降低,可见,腔内介质的存在降低了腔体对低频的抑制能力,研究还发现金属腔对不同方向入射的电磁脉冲的屏蔽能力各不相同.     

基于矩量法的印刷电路板的辐射分析

利用结合二级离散复镜像的矩量法,分析印刷电路板上微带线的电磁辐射问题.应用复镜像理论,详细地推导了微带线结构的闭式空域格林函数和计算公式.针对不同长度和不同端接负载的两平行微带线,进行了辐射研究.仿真结果表明,谐振长度的开路耦合线,产生的辐射功率大;端接匹配负载的耦合线,产生的辐射功率小.为此在高频数字电路设计中,必须确保线长不与谐振长度接近,终端均阻抗匹配.     

射频微波晶体管的发展现状及分析

对当前各种类型射频微波晶体管的结构特点、性能和应用情况进行了分析和综述.对晶体管的发展历史进行了全面而细致的回顾,指明了今后射频微波晶体管的发展特点和发展趋势,得出了射频微波晶体管的选型原则.     

基于矩量法对连接器内电磁干扰的分析

构造了连接器内接插件间的一个紧邻干扰模型。基于矩量法对模型内单位长度参数进行计算,用传输线法研究了接插件之间的电磁干扰。分析了简化模型对高频干扰的可适用性,给出了干扰的频域结果和时域波形。模拟结果对正确设计、使用电连接器,降低内部电磁干扰有参考价值。     

移动终端内置天线技术及其进展

针对移动终端内置天线的高性能结构技术、小型化技术、多波段技术等,综合给出了近年来各种移动终端内置天线的主要研究方向及其应用特点。并分析了天线结构、组合方法、带宽增强、加载等影响高性能内置天线的主要关键技术。同时,基于实际移动终端天线研制的实践,给出了小型、多波段和高性能终端内置天线所面临的难点和解决问题的有效方法。研究结果表明,虽然先进加工工艺推动了小型化2-3波段天线的可实现性,但3个波段以上内置天线的设计将主要依赖天线组合技术。可以预见,不断出现的先进终端天线技术将推动移动终端的广泛应用,以满足无缝、泛在无线移动通信网络发展的需要。     

RF MEMS器件驱动机制理论与分析

介绍了驱动机制在RF MEMS器件制作中所处的地位。以悬梁类型的RF MEMS开关为例,介绍了RF MEMS器件的各种驱动方式,给出了其原理结构图;详细分析了静电驱动、压电驱动、热驱动和磁驱动的原理。对各种驱动机制进行了比较和分析,得出应根据不同场合和不同参数要求,选择不同驱动机制的驱动器。     

降低有损耦合微带线间串扰的方法分析

为降低和控制有损耦合微带线间的串扰,在强信号线两边各插入了一列用金属填充的、顶端用微带连接的接地孔.利用FDTD方法对该结构进行模拟并利用FEM法进行了验证.模拟结果表明串扰衰减程度与基底介质的损耗、接地孔参数有关.     

对垂直交叉线中串扰的分析

用修正后的传输线方程对垂直的导体间的串扰进行了频域模拟，通过反傅立叶变换得到时域信号。模拟表明，虽然垂直放置可使串扰幅度大幅度降低，但交叉线中仍有较强的干扰，串扰幅度与各端接入的负载有很大关系，对干扰的原因进行分析。为了证明结果的正确性，对平行导体间的串扰用时域有限差分法和本方法进行模拟，得到一致的结果。该文对实际应用有参考价值。