MBE生长高电阻率GaAs基InAlAs组分渐变缓冲层

研究了用分子束外延(MBE)方法,在SI-GaAs衬底上不同低温生长的台阶式组分渐变InAlAs缓冲层结构.用原子力显微镜(AFM)观测表面形貌,生长温度为340℃时,外延层表面粗糙度为1.79nm.用Van der Pauw方法研究了材料的电学特性,室温电阻率ρ:2.6× 10Ω·cm.(电学性能测试表明200V电压间距1mm时,漏电流仅为0.3μA).高分辨X射线测试样品显示为良好的层状结构,晶体质量随生长逐渐变好.首次用变温Hall测试研究多层InAlAs缓冲层材料内部的载流子传输机制,并用热激电流谱(TSC)分析了其高阻机制.     

光伏产能过剩无需惊慌

中国光伏产业的产能过剩实为产能储备,是产业规模化的必经之路。2011年伊始,中国光伏产业被产能过剩的阴云所笼罩,事实上,光伏产业存在产能过剩的说法早在2009年就已出现,但国内对光伏产业的投资仍持续攀升,幸运的是同期国内外市场特别是以欧洲为主的出口市场增长亦非常迅猛,暂时化解了产能过剩的忧     

太阳能光伏产业发展情况及展望

我国光伏产业发展取得了重要成就。产业规模迅速提高,市场占有率稳居世界前列;主流产品技术与世界同步,产品质量稳步提高;生产设备不断取得突破,本土化水平不断提高;产业基础逐步牢固,掌握关键材料生产技术;节能减排成效明显,资源利用率大幅提升;国内光伏市场逐步启动,装机量快速增长。呈现出如下特点：充分利用国外市场要素,产业发展国际化程度高;自主创新与引进吸收相结合,形成自主特色产业体系;产业呈现集群化发展,有效提高区域竞争力;产业链上下游协同发展,推动光伏发电成本下降。     

关于江西省新余市光伏产业发展的一点思考

新余市政府注重光伏产业的发展,将其列为新能源产业振兴规划的重点行业,并予以大量资金支持;拥有发展太阳能光伏产业所需的丰富自然资源,硅矿石及煤、气资源储量丰富,日照充足;已经拥有了相对雄厚的光伏产业基础,以及相关领域相当数量的技术和人才。新余市发展光伏产业具备以上优势,为取得更好发展,提出几点建议如下:把握市场发展节奏从远期来看,光伏产业全球性大发展必将到来。2010年全球有100多个国家光伏装机量有不同程度扩大。从近期来看,与2010年爆发性增长相比,发展步伐趋稳,增速下降,行业发展遇到严重困难。     

冷静面对多晶硅价格上涨

近段时间以来,多晶硅市场价格暴涨,已经从2010年5月的50美元/kg上涨到目前的80美元/kg以上,霎时间,各地传媒纷纷将矛头对准了"多晶硅产能过剩论"。那么造成多晶硅价格上涨的因素主要有哪些呢?国家是否应当出台相关政策,引导多晶硅行业的发展呢?     

硅锭/硅片生产领域发展现状分析

一我国硅锭/硅片发展现状1产业规模持续扩大,企业排名不断靠前据中国光伏产业联盟秘书处统计,截止2010年底,我国从事硅锭/硅片生产的光伏企业超过170家,硅片产能超过20GW,与去年同期的3GW相比,增长了6倍以上。其中保利协鑫公司的产能达到了3500MW,位居全国首位;赛维LDK公司的产能达到了3000MW,位居次席,这两家企业也是全球最大的硅片生产企业。浙江昱辉公司以     

MBE生长高电阻率GaAs基InAlAs组分渐变缓冲层

研究了用分子束外延(MBE)方法,在SI-GaAs衬底上不同低温生长的台阶式组分渐变InAlAs缓冲层结构.用原子力显微镜(AFM)观测表面形貌,生长温度为340℃时,外延层表面粗糙度为1.79nm.用Van der Pauw方法研究了材料的电学特性,室温电阻率ρ2.6× 10Ω·cm.(电学性能测试表明200V电压间距1mm时,漏电流仅为0.3μA).高分辨X射线测试样品显示为良好的层状结构,晶体质量随生长逐渐变好.首次用变温Hall测试研究多层InAlAs缓冲层材料内部的载流子传输机制,并用热激电流谱(TSC)分析了其高阻机制.     

2010年全球太阳电池产业发展总结

一2010年光伏产业发展现况1产量持续增大据统计,2010年,全球光伏新增装机量也达到17GW以上,比2009年(7.3GW)增长了132%。在光伏市场带动下,光伏电池产量也在持续增大,2010年全球光伏电池产量达到21GW,与2009年的10.5GW相比,翻了一番。其中尚德公司以1.570GW的产量     

核泄漏事件现清洁能源危机

近日,日本发生里氏9级大地震,失踪死难人数上万,特别是日本福岛核电站的几个机组相继发生爆炸,据报道其部分堆芯已经发生溶毁,周边地     

大力发展新疆光伏产业 加快推进我国光伏应用市场

光伏产业作为我国战略性新兴产业之一,近年来发展迅猛。而新疆地处我国西北,拥有丰富的煤炭等资源,适合高载能产业的发展;新疆日照充足,土地平坦辽阔,适宜大型光伏并网电站的建设;加上中央新疆工作座谈会在2010年5月召开,利于优惠光伏政策的争取,因此在新疆发展光伏产业可谓"天时、地利、人和"。一新疆自治区发展光伏产业的优势1太阳能光照资源丰富,具备发展光伏应用的先天优势。新疆自治区全年日照达2550～3500h,年平均日照百分率在60%～80%之间,辐射量在542～646J/cm~2,相当于225～285kg标准煤