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采用MEMS技术在玻璃基片上制备了三明治结构FeNi/Cu/FeNi多层膜,在1~40 MHz范围内研究了FeNi/Cu/FeNi多层膜中的巨磁阻抗效应特性.当磁场Ha施加在薄膜的长方向时,巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加,在某一磁场下达到最大值,然后随磁场的增加而下降到负的巨磁阻抗效应.在频率为5MHz时,巨磁阻抗效应在磁场Ha=800 A/m时达到最大值26.6%.巨磁阻抗效应的最大值及负的巨磁阻抗效应与多层膜中磁各向异性轴的取向及发散有关.另外,当磁场施加在薄膜的短方向时,薄膜表现出负的巨磁阻抗效应,在频率5 MHz、磁场Ha=9600 A/m时,巨磁阻抗效应可达-15.6%. 相似文献
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FeCuNbCrSiB薄膜的制备及其巨磁阻抗效应研究 总被引:1,自引:1,他引:0
采用磁控溅射方法,在玻璃基片上制备了非晶的Fe73.5Cu1Nb3Cr0.5Si13B9薄膜及三明治结构M/C/M(M为Fe73.5Cu1Nb3Cr0.5Si13B9;C为Cu)的多层膜。在频率(1~40)MHz下,研究了薄膜材料的巨磁阻抗(GMI)效应随外加磁场的变化关系。结果表明:单层膜的GMI效应较小,只有4.4%;而三明治结构多层膜的GMI效应,比单层膜有较大幅度的提高,在5MHz、120Oe下,纵向和横向GMI效应分别达–17.4%和–20.7%。薄膜材料的纵向GMI效应随外加磁场变化呈现先增后减,而横向GMI效应随外加磁场的增加而单调递减,其变化规律与薄膜的易轴取向有很大关系。 相似文献
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围绕柔性显示的标准化进程,介绍了柔性显示器件国际和国内标准的研制进展情况,及我国主导的环境试验方法的立项和研制进展,分析了该标准制定过程中的最大难点,即如何在环境试验中体现"柔性",并对未来柔性显示器件标准化的工作思路进行展望。 相似文献
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采用MEMS技术在玻璃基片上制备了夹心结构FeNi/Cu/FeNi多层膜,在100KHz-40MHz范围内研究了FeNi/Cu/FeNi多层膜中的巨磁阻抗效应特性。当磁场Hext施加在薄膜的长方向时,巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加,在某一磁场下达到最大值,然后随磁场的增加而下降到负的巨磁阻抗效应。在频率为5MHz时,巨磁阻抗效应在磁场Hext=800A/m时达到最大值25.2%;在磁场Hext=9600A/m时,巨磁阻抗效应为-7.3%。巨磁阻抗效应的最大值及负的巨磁阻抗效应与多层膜中磁各向异性轴的取向及发散有关。另外,当磁场施加在薄膜的短方向时,薄膜表现出负的巨磁阻抗效应,在频率5MHz、磁场Hext=9600A/m时,巨磁阻抗效应可达-19.3%。 相似文献
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微桥结构Ni膜杨氏模量和残余应力研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用MEMS(MicroelectromechanicalSystems)技术研制了镍(Ni)膜微桥结构试样,应用陶瓷压条为承力单元,与纳米压痕仪XP系统的Berkovich三棱锥压头相结合,解决了较宽Ni膜微桥加载问题。测量了微桥载荷与位移的关系,并结合微桥力学理论模型得到了Ni膜微桥的杨氏模量及残余应力,其值分别为190.5GPa和146MPa,与应用纳米压痕仪直接测得的带有Si基底的Ni膜杨氏模量186.8±7.34GPa相吻合。 相似文献
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