《电光和光折射材料》Electro—Optic and Photorefractive Materials

自从25年前激光问世以来,电光学和光折射得到了迅速地发展。通过电场或光源来改变光学待性,对于纯理论和实际应用都是十分重要的。例如光信号处理,电通信和光学显示器件。其结果使我们能够对特定取光源进行操纵和处理。     

具有灰度级显示的集成多晶硅薄膜晶体管液晶显示器的周边电路

3.3英寸全集成多晶硅薄膜晶体管液晶显示器具有4个灰度级(64种颜色).经低温(<600℃)处理后,制做在玻璃基面上。所得到的对比度大于25。其中,集成数据驱动电路,由分离式矩阵开关、线性存储器和多级选择器组成。使用具有窄线性存贮电容的分离式矩阵开关,可获得高频驱动能力。4个灰度级电压由多级选择器产生。移位寄存器、电平移位器、小比率缓冲器和多路调制器构成集成扫描驱动电路.由于使用小比率缓冲器,实现     

具有双异质界面有源层结构的多色TFEL显示屏

前言随着信息社会的发展,平板显示器成为人机对话的关键器件,其重要性日益增加。在各种平板显示器中,TFEL显示器有许多独特的优点。然而,由于这种器件仅能显示一种颜色,所以未能广泛地实现商品化。近年来,尽管TFEL显示器的性能还不能完全满足实际应用的需要,但已形成稳定     

接近太阳光紫外光谱的荧光灯

本发明涉及的是有特殊荧光粉涂层的低压汞蒸汽荧光型放电灯,当汞放电产生的紫外线激发发光层时,便能发射使皮肤变黑的辐射。现有的大多数可产生使人的皮肤变黑的效果的荧光灯,主要发射UVA射线(波长为320nm～400nm),而通常只发射极少量的UVB射线(波长为260nm～320nm).UVB有助于形成黑色素使皮肤色素沉积,但     

利用由铁电液晶控制蓝色荧光光源的全色LED显示器

前言斯坦利电子有限公司的一个研究机构有希望实现一种全色电视,它的组成包括:红色和绿色光源用LEDs,蓝色光源用高亮度荧光灯,并配有铁电液晶开关(FLC)和光纤。本文讨论了研制样机的背景、原理、结构和技术要求。尤其是为获得高显示质量,我们努力实现具有精细间距的象元图。为达到此目地,研制了一台紧凑型双色LED灯。本文还讨论了荧光灯亮度的改进以及FLC和扭曲向列液晶(TNLC)之间的对比评估。目的和背景LED器件已经广泛地用来作为电子仪器的指示器以及汽车照明设备和交通标志,这都采用了其长寿命,小尺寸和高亮度的特点。     

《薄膜物理学》

本书第二版在第一版的基础上进行了修订,并在内容上有所增加。近几年来,薄膜物理学和薄膜技术的发展令人瞩目,本书力图阐述这些发展中最重要的特征。目前,在淀积方法中最令人注目的是离子加速法和分子束外延。本书导言中介绍了电子束淀积,离子束淀积和激光淀积。对于较先进的薄膜诊断方法以及成膜和薄膜物理特性补充了新的见解。其内容致力于应用,力图使读者把注意     

《半导体器件物理学》第4版

1977年,D.A.Fraser 出版了《半导体器件物理学》(The Physics of Semicon-ductors Devices)第一版,1986年,美国牛津大学出版了该书的第四版。书中介绍了半导体器件中最基本的物理过程,并使之与器件所产生的作用相联系。全书所采用的精确论述是独一无二的,读者很快就会从中获得益处。依靠图表进行说明更增加了本     

三价铥激活的镧镓酸盐及阴极射线管

本发明涉及三价铥激活的钙钛矿结构镧镓酸盐,用这种材料制备的发光屏及阴极射线管。发光的镧镓酸盐的基质 LaGaO_3具有钙钛矿晶体结构,在镓酸盐中稀土金属被用来作为激活剂.三价铥激活的镧镓酸盐的线性发光波长接近460nm,位于光谱的蓝区。使用表明,这些发蓝光的镓酸盐可用于图象显示,尤其是使用在彩色图象显示的阴极射线管上。通常,为了形成图象的三基色即红、绿和蓝色,需在彩色显像管内使用三种发光材     

分子束外延生长掺铒GaAs和GaA1As的1.54ηm室温电致发光

用分子束外延法生长了掺饵GaAs和GaAlAs双异质结发光二极管.这两种器件在温度为300K时呈现1.54μm电致发光.注入电流低到0.8mA/Cm~2时,所检测到的GaAlAs:Er的光谱线比GaAs:Er的要窄得多.同时还发现,温度300K时外量子效率为10~(-6)。本文还提供了有关从注入载流子到稀土能量传递的初始数据。     

高速Ga0.47In0.53AsMISIM光探测器

用于光纤系统高速光探测器,对未来的高速系统是十分重要的,这种光探测器必须能够与电子元件集成在一起。作者介绍了一种新技术,能够制作达到上述要求的金属-绝缘体-半导体-绝缘体-金属MISIM光探测器。这种器件采用增强肖特基势垒层的Langmaiz-Btodgett(L-B)薄膜。在低偏压下(5V),获得的宽带线性响应达13GHZ,外部响应约为0.9-A/W,击穿电压为1.5V,暗电流2μA。经分析,瞬间响应的增益约为2,尾随脉冲约为5％,所需的偏压和器件工艺与集成式接收器相同。