GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级

本文用DLTS谱仪和单脉冲瞬态电容技术测量了光通信用GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级,对有源区掺Si和掺Ge的相同结构器件,均测得有多子陷阱存在,其能级位置分别为E_C—E_D≈0.29eV和E_T—E_V≈0.42eV。比较了外延系统中氧含量变化对有源区掺Si器件深能级的影响,以及有源区EL图象中的DSD与深能级关系,结果表明外延系统中氧含量对深能级有明显影响,而EL图象中DSD的出现率与深能级无明显关系。     

电化学技术在Ⅲ—V族半导体材料特性测量中的应用

为了配合我所Ⅲ—V族半导体材料的研究,我们用电化学技术测定了GaAs和InP以及有关化合物材料的特性,其中有些特性用其他方法是无法或难以测得的。本文报导最近2～3年来我们在这方面所取得的一些结果。 C-V特性是研究电极/电解液界面特性     

VAPOUR PRESSURE OF CuCl-AgCl MELTS

<正> 熔融CuCl的蒸气压虽有不少研究工作者进行了测定,但结果不甚一致。AgCl-CuCl熔体的蒸气压则尚未见报道。本文目的为用载而法测定CuCl和AgCl-CuCl熔体的蒸气压,并根据AgCl-CuCl熔体中组份的已知活度,讨论该体系的蒸气状态。     

AgCl-CuCl熔体中的活度

熔盐体系中的活度通常用电动势法测定。但当构成熔盐的金属的电负性相近时,由于金属与熔盐的相互作用而使该法受到一定限制。在这种情况下,用蒸气压法或化学平衡法可以避免上述困难。作为一个例子,本文用化学平衡法研究了AgCl-CuCl熔体中的活度。     

GaInAsP双异质结材料的特性测量

InP及其三元,四元化合物材料,在微波器件和光电器件中的应用日益广泛,但是,目前尚缺乏一个简便的方法同时测量生长材料的载流子浓度,外延层厚度和P—N结位置等参数。电化学C—V法是70年代发展起来的一种新方法,它利用适当的电解液作为可控阳板溶解的介质,同时与半导体形成Mott-Schottky接触,达到连续浓度分布测定。该法在测量GaAs材料特性方面已有较大的进展,最近Ambridge报导了n—InP材料的浓度与分布测量结果。但对于多层异质结材料的载流子浓度分布尚未见报导。本文以GaInAsP/InP双异质结液外材料     

用于n-p-nHBT的AlGaAs/GaAs多层MBE材料

本文报道了用MBE技术生长的n-p-n HBT用的优质AlGaAs/GaAs单层及多层结构。掺Sin型GaAs掺杂浓度为1.8×10~(14)～1.2×10~(19)cm~(-3),纯度GaAs77K下,n=1.8×10~(14)cm~(-3),μ_(77)=8.47×10~4cm/V.s。深入研究了Be反扩散所引起的E-B结和B-C结偏位的抑制。并给出了用该材料研制出的HBT单管(β=50,f_T=7.5GHz,在2GHz下,G=13dB)和NTL及CML倒相器逻辑单元电路(其中NTL在电流电压2V下,逻辑摆幅为20mV)的结果。     

光电化学法测量GaAlAs/GaAs多层结构材料中Al组分分布

本文详细报道了用光电化学法测量Al含量的装置、原理以及原位测量GaAlAs层中Al含量的纵向分布结果,并与双晶衍射、俄歇分析和光吸收法结果作了比较,结合电化学c—V技术获得了GaAlAs/GaAs多层结构材料的完整纵向分布,包括各层厚度、导电类型、载流子浓度、禁带宽度以及组分分布.为研究激光器、太阳电池等器件提供了一种综合性的材料测试方法.     

CuCl-AgCl熔体的蒸气压

熔融CuCl的蒸气压虽有不少研究工作者进行了测定,但结果不甚一致。AgCl-CuCl熔体的蒸气压则尚未见报道。本文目的为用载而法测定CuCl和AgCl-CuCl熔体的蒸气压,并根据AgCl-CuCl熔体中组份的已知活度,讨论该体系的蒸气状态。     

电化学法测定Si多层结构材料浓度分布

本文报道在研究Si/EL电极过程基础上,将电化学C-V技术用于测定适合VLSI用的双极型晶体管多层结构材料的载流子浓度剖面分布.