一种用于心电信号采集的LCADC

设计了一种适用于心电信号处理的连续时间LCADC电路。电路去掉了传统电压模式的DAC模块,采用了N-bit电流舵DAC,解决了传统电压模式DAC存在的电容漏电问题。该电路包括一个电压至电流转换器、 7-bit电流舵DAC、电平交叉检测模块以及偏移标准补偿模块。 电路采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺设计,电源电压为1 V。仿真结果表明,整体电路功耗为8.1 μW @500 Hz。通过MATLAB对数据进行处理,SNDR为53.8 dB @500 Hz,ENOB达到了8.64 bit,输入信号范围内SNDR范围为52.8~63.6 dB,电路功耗范围为7.3~8.5 μW。该电路适用于低频心电信号的采集。     

微功耗CMOS电压基准的设计

本文采用0.18μm标准CMOS工艺,设计了微功耗CMOS电压基准电路。该基准电源电压可低至0.9V,功耗为0.8uA,输出基准电压为0.7V。在-20℃~100℃的温度范围内可获得29ppm/℃的温度系数,在1kHZ和100kHZ可分别获得-34dB和-17dB的电源抑制比。     

一种用于AC/DC控制器中电压基准源的设计

提出了一种新颖的可用于AC/DC控制芯片中的基准电压源电路。此电路以PTAT（proportional to absolutetemperature）电流为偏置电流,利用二极管连接的MOS晶体管迁移率和阈值电压的温度系数可相互补偿的特性,产生与温度无关的栅源电压。该电路结构简单,既无启动电路也无运放,避免了运放失调对基准源的影响,设计采用CSMC0.5μm BCD工艺。仿真结果表明,该基准电压源具有较低的温度系数和高电源电压抑制比,可作为AC/DC控制芯片中迟滞比较器的参考源。     

水溶性壳聚糖涂膜处理对采后绿芦笋贮藏品质的影响

研究了0.50%的水溶性壳聚糖(WSC)和羧甲基壳聚糖(CMC)分别对在2℃贮藏条件下采后绿芦笋的涂膜保鲜。通过感官品质、失重率、抗坏血酸含量、叶绿素含量、丙二醛(MDA)含量、总酚含量、多酚氧化酶(PPO)等生理生化指标的测定,以未经处理的绿芦笋为对照。结果表明:经0.50%的CMC和WSC进行涂膜处理,均可有效地降低芦笋的失重率,维持其硬度,延缓其抗坏血酸和叶绿素营养物质的消耗。而且CMC处理可以明显抑制绿芦笋总酚含量的下降及其PPO、POD和SOD活性的变化,其感官品质也明显优于对照组,使绿芦笋的贮藏时间延长至35 d。     

一种用于音频应用的高动态范围高精度模数转换器

提出了一种应用于音频应用的Zoom型模数转换器,采用一个5位异步逐次逼近式（Successive Approximation Register,SAR）模拟数字转换器（Analog to Digital Converter,ADC）与3阶多位量化离散时间的Delta-Sigma调制器相结合,通过SAR ADC进行粗量化、Delta-Sigma调制器进行精细量化的方式,实现高的动态范围和精度。该Zoom型模数转换器采用0.18μm CMOS工艺实现,仿真结果表明,在1.8 V电源电压和3.072 MHz采样频率下,实现了109.34 dB的信号噪声失真比（Signalto-Noise-and-Distortion Ratio,SNDR）,17.87 bits的有效位数（Effective Number of Bits,ENOB）,112.7 dB的动态范围（Dynamic Range,DR）,整体电路功耗为3.73 mW。     

二阶误差反馈型失配误差整形16位500 kS/s SAR ADC

为了解决高精度逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)中电容失配对精度的影响,设计了一种二阶误差反馈型失配误差整形(EFMES)16位精度、500 kS/s采样率、3.3 V工作电压的SAR ADC。采用二阶EFMES结构和动态元件匹配技术,降低了电容失配对ADC精度的影响。该EFMES SAR ADC采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺设计。在输入信号幅度为2.6 V、采样率为500 kS/s时,该ADC的功耗为8.382 mW,SNDR为93.67 dB,ENOB为15.27位,基于SNDR的FoM为168.4 dB。     

用于UHF RFID标签芯片的时钟源电路设计

设计了一种用于UHF RFID标签芯片的低功耗时钟源电路。该时钟源电路采用弛豫振荡器结构,振荡周期由电阻和电容定义。振荡器工作在电源电压1 V,偏置电流100 nA时,功耗为0.9 μW,工作温度范围为-20 ℃～80 ℃,频率偏离1.92 MHz小于3%,电路设计符合UHF RFID标签系统要求。     

基于Latch的CMOS动态比较器的研究

动态比较器具有高速和低功耗的优点,是现代集成电路中的重要单元。本文简单介绍了基于latch的CMOS动态比较器的基本工作原理以及国内外最新研究进展;分析了几种新型动态比较器的性能。     

一种基于动态反相放大器的低功耗Σ-Δ ADC

设计了一种低功耗Σ-Δ ADC。该ADC采用三阶前馈1 bit的结构。为了降低功耗,开关电容积分器的OTA采用动态反相放大器,其具有低功耗、全动态工作、全差分的电路结构、稳定共模点无需CMFB等优点。在SMIC 0.18 μm CMOS工艺下的仿真结果表明,在20 kHz带宽内,4 MHz的采样时钟下,信噪失真比(SNDR)可以达到91.9 dB,动态范围(DR)达到101 dB,有效位数约为15 bit。在1.2 V电源电压下,整体功耗为78 μW。     

一种低功耗低温度系数基准电压源的设计

基于0.35μm CMOS工艺,设计一种不带电阻的低功耗基准电压源,该基准源工作电压范围1.2 V~3.6 V.在3.6 V和室温时测量最大的电源电流为130 nA.在-20℃~100℃温度范围内,该基准电压温度系数为7.5×10-6/℃.在1.2 V~3.6 V电源电压范围内,线灵敏度为40×10-6/V,且在100 Hz时电源抑制比为-50 dB.该基准电压源适合在一些例如移动设备、植入式医疗设备和智能传感器网络等节能集成电路上应用.