基于对数关系的多量子阱VCSELs阈值特性研究

采用光增益与载流子浓度的对数关系，考虑到非辐射复合的影响，从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)的速率方程。讨论了阈值电流密度、最佳阱数等与器件参数(腔长和端面反射率)之间的依赖关系。为改善VCSELs阈值特性和优化器件结构提供了理论依据。     

量子级联激光器的电路模型分析

通过分析量子级联激光器(QCL)中的电子在量子阱输运的单极行为,得到它的速率方程,以此为基础建立起它的等效电路模型,利用PSPICE进行电路模拟,得到了它的频率响应特性,并对可能影响它的调制特性的一些因素进行了分析.     

Ⅲ-Ⅴ族混合晶体的长波长光学声子

在修正的随机元素等位移-MREI模型的基础上建立了一个新模型,计算了AB1-xCx型Ⅲ-Ⅴ族半导体混晶的长波长光学声子模频率的组分变化关系.模型中假设次邻力常数远小于近邻力常数,同时,运用离子晶体结合的重叠排斥能,估算出两个近邻力常数随组分x呈负幂指数变化,而非常规的线性变化.最后比较了AsAl1-xGax、GaP1-xAsx和SbAl1-xGax三种混晶的理论结果和实验数据,两者符合较好.     

AlGaInP四元系材料双异质结发光二极管的最佳Al组分分析

鉴于双异质结发光二极管(DH—LED)限制层的Al组分的不确定性，本文通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况，从理论上剖析了Al组分确定为一个最合适的取值时，有源层中的载流子应有一个最大数量的复合，此时LED的复合效率最高、发光最强。这个最佳Al组分的确认，对于器件结构设计以及相关的MOCVD材料生长有指导意义。     

A1GaInP四元系材料双异质结发光二极管的最佳Al组分分析

鉴于双异质结发光二极管(DH—LED)限制层的Al组分的不确定性,本文通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了Al组分确定为一个最合适的取值时,有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,此时LED的复合效率最高、发光最强。这个最佳Al组分的确认,对于器件结构设计以及相关的MOCVD材料生长有指导意义。     

AlGaInP/GaInP多量子阱的拉曼光谱

利用LP-MOCVD生长了不同周期的AlGaInP／GaInPMQW样品，并测量了它们的拉曼光谱。由于样品包括了掺杂的电流扩展层和欧姆接触层以及上、下限制层，拉曼光谱中观察到了与掺杂有关的耦合电子(空穴)气-纵光学声子模。根据喇曼光谱的选择定则，结合光致发光谱，发现AIP-LO／TO的相对强度比可以评定晶体AlGaInP MQW的生长质量。     

基于对数关系的多量子阱VCSELs阈值特性研究

采用光增益与载流子浓度的对数关系,考虑到非辐射复合的影响,从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)的速率方程。讨论了阈值电流密度、最佳阱数等与器件参数(腔长和端面反射率)之间的依赖关系。为改善VCSELs阈值特性和优化器件结构提供了理论依据。     

III-V族混合晶体的长波长光学声子

在修正的随机元素等位移——MREI模型的基础上建立了一个新模型，计算了AB1-xCx型III-V族半导体混晶的长波长光学声子模频率的组分变化关系。模型中假设次邻力常数远小于近邻力常数，同时，运用离子晶体结合的重叠排斥能，估算出两个近邻力常数随组分x呈负幂指数变化，而非常规的线性变化。最后比较了AsAl1-xGax、GaP1-xAxx，和SbAl1-xGax三种混晶的理论结果和实验数据，两者符合较好。