基于I~2C串行总线在单片机系统中的数据读写

简要介绍了I2C串行总线原理及AT24CXX系列串行EEPROM的特点。着重阐述了利用I2C串行总线和AT24CXX系列串行EEPROM实现数据存储的技术,给出了单片机与串行EEPROM硬软件实现方法和实用的读/写子程序。     

基于单片机的DUKPT密钥管理系统

密钥是加密系统中的核心,也是最薄弱的环节,密钥管理在加密系统尤其是金融加密系统中具有极为重要的地位。在51单片机平台上用C语言完成了符合ANS X9.24金融标准规范的DUKPT对称密钥管理系统的软件设计,具有前向安全性,保证了交易的安全。同时设计验证方案,模拟交易1048575次,将密钥派生结果与标准测试数据比对,数据完全正确。结果表明,本设计运行结果完全符合ANS X9.24金融标准规范,对于各种金融终端信息加密具有非常重要实用意义。     

高精度微弱信号检测装置

微弱信号检测是利用近代电子学和信号处理方法从噪声中提取有用信号,其关键在于抑制噪声,恢复、提取有用信号。本文介绍的是一种利用锁相放大原理,检测出淹没在强噪声下的微弱信号的装置。实验结果表明该装置可以实现对不同频率信号的识别和检测,具有很高的精度。     

一种改进DUKPT密钥管理系统的单片机设计

密钥管理在加密系统中具有核心地位。为了保证安全性,提高密钥管理效率,提出了一种改进的DUKPT算法,并在51单片机平台上实现了改进DUKPT密钥管理系统的设计,使密钥管理性能得到较大提升。改进算法具有完全可扩展性,在相同存储消耗和相同最大运行次数情况下,可用派生密钥数量是原DUKPT的42.3倍;同样派生百万密钥,改进的DUKPT存储空间减小19.05%,运行次数减少20%。经验证,系统在安全性和密钥管理效率上取得满意效果。     

基于数字反馈的自动增益控制放大器

自动增益控制放大器是指当输入信号幅度改变时,放大器的放大倍数能随输入信号幅度相应改变,使得输出信号幅度不变的放大器,在信号系统中有着广泛的应用。本文提出了一种基于数字反馈的自动增益控制放大器设计,具有精度高,可编程等优点。本设计由信号调理电路和单片机控制两模块组成。信号调理电路分为4个部分,分别为输入缓冲级、程控放大级、主放大级、功率放大级,频率和幅度测量电路。输入缓冲采用OPA656,程控放大器为VCA810,主放大采用OP37,功率放大采用的是两个BUF634并联。MSP430F2618单片机主要进行AD采样以及DA输出控制放大倍数,实现自动增益的功能,从而得到稳定的信号输出.经过测试,本设计输入动态范围可达54d B,输出误差小于10%。     

基于SEP4020的以太网设计与实现

该文介绍了嵌入式以太网接口的设计与实现方法。首先对微处理器SEP4020和PHY芯片DM9161E作了简单的介绍,然后给出了基于SEP4020的以太网接口的硬件设计和软件设计。     

基于SEP4020的以太网设计与实现

该文介绍了嵌入式以太网接口的设计与实现方法。首先对微处理器SEP4020和PHY芯片DM9161E作了简单的介绍,然后给出了基于SEP4020的以太网接口的硬件设计和软件设计。     

基于Matlab和Deform-3D的铝合金型材锻造成形数值仿真分析

针对高强度高刚性铝合金型材内部质量要求高且难以成形的问题,建立了铝合金型材成形的理论计算和有限元仿真模型。运用数学计算软件Matlab和有限元仿真软件Deform-3D对其成形过程分别进行了计算和仿真,得到了铝合金型材锻造成形过程中的等效应力和应变。结果表明:铝合金型材等效应力和等效应变随着长度和宽度方向距离增加先增加后减小;在锻造过程中其最大等效应力和等效应变逐渐增大。结果能为铝合金型材锻造工艺优化及模具设计提供参考。     

基于FPGA的DDS正弦信号发生器设计

本文设计了一款输出频率0.1Hz-5MHz、不失真幅度100mV-3V的正弦波信号发生器。利用FPGA的DDS IP核配置正弦数字信号产生电路,数字信号经14位高速D/A芯片DAC904输出单端模拟电流,再经OPA820转为双端电压信号,用VCA810实现幅值可控,输出端用THS3091设计功率放大电路实现对负载的驱动。采用无源滤波网络滤波实现高频信号滤除。本设计在同类电路中做到了精准、稳定、高效。     

一种晶圆级封装的MEMS数控衰减器

设计实现了一种晶圆级封装的三位MEMS数控衰减器，工作频段DC～15 GHz，衰减范围0～35 dB，步进5 dB。衰减器采用MEMS工艺实现，信号传输采用共面波导（CPW）结构，6个直接接触式悬臂梁MEMS开关对称放置实现不同衰减量的切换，每个开关带有三个触点，电阻网络采用T型结构，整个衰减器实现晶圆级封装。测试结果显示，DC～15 GHz频段内实现了8个衰减态，衰减器插入损耗小于1.7 dB，回波损耗小于-15 dB，衰减平坦度小于±5%，功耗几乎为零。芯片尺寸为2.7 mm×2.7 mm×0.8 mm。