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设计了一种高性能的全差分型折叠式共源共栅放大器。一方面,电路中使用了斩波技术和AB类推挽技术,以提高放大器的精确度和动态性能;另一方面,放大器中的电流源采用自级联结构,可以进一步提高电路的电压裕度和鲁棒性。本电路基于华润上华CMOS 0.35 μm工艺实现,版图面积为640 μm×280 μm,Spectre后仿真结果表明,在电源电压为5 V且斩波频率为156.25 kHz的情况下,等效输入噪声为1.11 nV/Hz1/2,失调电压为61.5 μV,功耗为1.22 mW。 相似文献
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设计了一种适用于过高磁场抗扰度的电容式隔离型全差分Σ-Δ调制器。它采用单环2阶1位量化的前馈积分器结构,运用斩波技术降低低频噪声和直流失调。与传统的全差分结构相比,该调制器的每级积分器均采用4个采样电容,在一个时钟周期内能实现两次采样与积分,所需的外部时钟频率仅为传统积分器的一半,降低了运放的压摆率及单位增益带宽的设计要求,实现了低功耗。基于CSMC 0.35 μm CMOS工艺,在5 V电源电压、10 MHz采样频率和256过采样率的条件下进行电路仿真。后仿真结果表明,调制器的SNDR为100.7 dB,THD为-104.9 dB,ENOB可达16.78位,总功耗仅为0.4 mA。 相似文献
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