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本文以高分辨电子显微镜为手段对锰酸钙晶体缺氧空位排列形式和大颗粒样品解体过程进行了初步的研究。观察到了非化学剂量化合物锰酸钙晶体结构,通过观察还发现了锰酸钙晶体中缺氧墙和反相畴界伴生存在的现象。进一步理论分析发现无论是晶体中缺氧空位,非化学剂量化合物中缺氧空位串,还是晶体间缺氧墙,这些结构和完整锰酸钙曹体结构相比较都是缺氧的。这样我们对锰酸钙晶体缺氧过程描述为:完整晶体失氧,首先以点缺陷形式存在,随着失氧量的增大在晶体中开始出现缺氧线缺陷和缺氧面缺陷,当晶体继续失氧时,缺氧墙位置通过移动产生反相畴界,从而导致了晶体的部分解体。 相似文献
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高分子材料的一个显著特点就是其分子量非常大,它的聚集态结构就由此而显示出特殊性。高分子晶体与小分子或原子晶体间的差异表现在高分子晶体的点阵基元不是完整的分子或原子,而是高分子长链中的一部分。这样高分子晶体中的缺陷也有可能存在特殊形式。虽然高分辨电子显微术已能从原子水平分析晶体的结构,但是由于高分子晶体不耐电子辐照,它应用于高分子晶体方面的研究受到了一定的限制。我们采用了最小剂量高分辨象拍摄方法对聚芳醚酮晶体进行了研究。图1是聚芳醚酮晶体[012]高分辨晶格象,分子链轴方向[001]。标有箭头区域是由晶格象(100)所表现的混合位错。通过晶体完整区域围绕缺陷作布氏回路,得到布氏矢量1(?)=7(?)+n(?) 2。此处混合位错 相似文献
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