砖混结构建筑在抗震设计中的主要问题和改进

介绍了砖混结构的应用及其抗震缺陷，分析了砖混结构抗震设计中存在的问题，在执行国家标准和总结有关科研成果的基础上，提出了多层砖混结构抗震设计的具体作法，以完善砖混结构抗震设计。     

单Mo和Mo/S共掺杂锐钛矿相TiO_2的电子结构计算

利用基于密度泛函理论的第一性原理计算了Mo单掺杂和Mo/S共掺杂锐钛矿相TiO2的能带结构、电子分态密度、电子密度和吸收光谱。结果表明,Mo单掺杂在锐钛矿相TiO2导带底下方引入了两条主要由Mo 4d轨道组成的掺杂能级,而Mo/S共掺杂在TiO2的禁带之内共引入了四条掺杂能级,位于价带顶上方的两条主要由S 3p轨道组成,而位于导带底下方的两条掺杂能级则主要由Mo 4d和S 3p轨道杂化形成。Mo单掺杂和Mo/S共掺杂分别使TiO2的禁带宽度增大0.36 eV和0.43 eV,从而出现吸收带边的蓝移。电子密度图表明,Mo单掺杂对TiO2的晶格影响较小,但Mo/S共掺杂则使TiO2的晶格畸变程度加大。     

多阻态铁电HLO忆阻器及其在联想学习电路和人脸识别中的实现（英文）

随着摩尔定律接近物理极限,传统的冯诺依曼架构面临挑战.忆阻器在多层存储、神经形态系统和模拟电路中的应用具有克服冯诺依曼架构瓶颈的潜力.在这里,我们在硅衬底上生长了Pd/La:HfO₂(HLO)/La_2/3Sr_1/3MnO₃高性能忆阻器,其有利于与互补式氧化物半导体工艺兼容.该忆阻器器件表现出良好的循环稳定性和多级电阻状态存储能力以及器件的突触特性,如长时增强/抑制、短时记忆到长时记忆、尖峰时间依赖性可塑性和双脉冲促进.基于器件的类脑突触行为,在神经启发计算中识别人脸图像时,识别率高达91.11%.通过理论计算和硬件联想学习电路测试,基于铪基铁电忆阻器的生物联想学习行为得以实现.     

谈建筑工程工程量清单计价

简述了工程量清单计价规范的发展与变革以及所具有的优势,总结了现阶段我国实行工程量清单计价存在的问题,并阐述了工程量清单计价的发展方向,对建筑工程造价管理具有重要意义。     

交错能带结构钕掺杂钒酸铋形貌与光催化性能调控

为了研究混合相异质结对光催化的改性机理, 以五水硝酸铋、六水硝酸钕、偏钒酸钠为原料, 浓硝酸、氢氧化钠为调和剂, 水热合成不同浓度钕掺杂钒酸铋样品。X射线衍射和拉曼峰位分析发现, 钒酸铋呈现钕浓度依赖的单斜到四方相转变。采用扫描电子显微镜表征发现, 这种相变给样品形貌带来巨大变化。小于1at%钕掺杂单斜钒酸铋由不规则颗粒堆积而成, 大于7at%钕掺杂四方相由类似球状或凹槽表面果仁状构成, 而中间混合相由微米长方体棒状组成。规则形貌导致所有掺杂样品光催化降解罗丹明B效率高于无掺杂样品。高分辨透射电子显微镜和莫特-肖特基测试发现, 混合相中形成交错能带异质结, 进一步促进光生电-子空穴对分离并抑制其复合, 使得4at%钕掺杂样品具有99.4%降解效率。     

Cd-O共掺杂ZnTe第一性原理计算

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法计算了未掺杂,Cd、O单掺杂及Cd-O共掺杂ZnTe的几何结构、能带结构、态密度分布、光吸收谱和介电常数等性质。结果表明:掺杂后的ZnTe晶格常数发生变化,其中Cd掺杂的ZnTe晶格失配最大;三种掺杂均使ZnTe禁带宽度减小,并引入杂质能级,其中O掺杂和Cd-O共掺杂的ZnTe的禁带宽度变化较为明显,同时掺杂后ZnTe吸收带边出现不同程度的红移。     

N-Al共掺杂4H-SiC的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,计算本征、N单掺杂、Al单掺杂及N-Al共掺杂4H-SiC的电子结构和光学性质。结果表明:N-Al共掺杂导致4H-SiC晶格膨胀,4H-SiC的禁带宽度减小,同时在4H-SiC禁带中引入了杂质能级;N、Al的单掺杂增加了4H-SiC对红外波段和可见光波段的响应,N-Al共掺杂不存在该现象;N-Al共掺杂4H-SiC较本征4H-SiC在紫外波段出现一个更大的透射窗口,吸收系数略小于本征4H-SiC的。     

高天井一次成井技术及工程应用

坚硬岩层中施工切割天井多采用普通法或吊罐法,其施工速度及安全性问题长期以来难以得到有效解决。针对高天井成井技术的难题,提出了高天井一次成井技术,并应用于会宝岭铁矿,成功实现了会宝岭铁矿70m高矿房切割天井施工,施工速度是原施工方法的17.5倍,而费用仅约为原施工方法的70%,可在类似工程中推广应用。     

用于神经形态学计算的低能耗、高稳定性2D-3D钙钛矿忆阻器（英文）

近年来,有机-无机卤化物钙钛矿在忆阻器和人工突触器件等电子器件中的应用取得了快速进展.由于其离子迁移特性和制造上的优势,有机-无机卤化物钙钛矿有望成为下一代计算设备的候选材料.本文采用ITO/FA_1-yMA_yPbI_3-xCl_x/(PEA)₂PbI₄/Au的叠层结构,研究了2D-3D有机-无机杂化钙钛矿忆阻器.结果表明,这种新型忆阻器具有新颖的电阻开关特性,如扫描速率相关的电流开关特性、良好的电流-电压曲线重复性和超低能耗.利用p-i-n结模型证实了缺陷调制电子隧穿机制,并证明了忆阻器件的电导状态由电极侧附近钙钛矿薄膜中的缺陷浓度决定.除了良好的忆阻特性外,这种2D-3D钙钛矿型忆阻器还可以很好地用作人工突触,其内部缺陷运动可以真实地模拟生物突触中Ca²⁺的流入和挤出.此外,由于有机-无机卤化物钙钛矿中的可切换p-i-n结构,这种基于钙钛矿的人工突触具有超低功耗.我们的发现展示了2D-3D钙钛矿忆阻器在未来神经形态计算系统中的巨大应用潜...