SiO_2-Si_3N_4栅介质膜陷阱特性的高频C-V分析

采用高频 C-V特性测试技术 ,研究由热氧化生成的超薄 Si O2 膜和低压化学汽相淀积法制备的非均匀结构 Si3N4膜 ,两者组成的栅介质膜的陷阱特性 (包括陷阱密度、能量和空间分布深度等参数 )。结果表明 :在栅复合膜陷阱电荷非稳态释放模型下建立的高频 C-V理论及其分析方法 ,可以很好地表征实验曲线 ,并获取所需的存储陷阱分布参数     

PECVD法淀积SiNxHy工艺在H^＋—ISFET上应用的探讨

本文研究和讨论了使用H99－7S型多用离子反应仪PECVD法淀积氮化硅（SiNxHy)膜的工艺，并探讨了SiNxHy膜同时作为氢离子敏场效应晶体管（H^ -ISFET)敏感膜及二次钝化保护膜的可行性，以改善H^ -ISFET器件的密封防渗漏性能。     

电子辐照改善氢化非晶硅的结构孔弛豫

氢化非晶硅（α－Ｓｉ：Ｈ）的结构弛豫是导致α－Ｓｉ：Ｈ性能光诱导衰变的重要原因之一。用０．５ＭｅＶ、注量１．３ × １０２０ｅ／ｃｍ２的电子束辐照,α－Ｓｉ转化为微晶硅,不稳定的弱Ｓｉ－Ｓｉ键因断裂而减少。 α－Ｓｉ光电池的相应试验初步证实,合适的电子辐照可以缓解α－Ｓｉ的结构弛豫现象。     

光纤布拉格光栅反射谱旁瓣的抑制

计算分析了光纤布拉格（Bragg)光栅中折射率变化分布,折射率变化直流分量对反射旁瓣（Sidelobes)的影响;采用二次曝光技术,用高斯光束和均匀相位模板刻制出反射旁瓣受到有效抑制的光纤布拉格光栅,使光栅的主反射带具有相当锐利的边裙。     

园筒型等离子体刻铝及去胶系统

本文介绍一套结构比较简单、适合实验室使用的筒园型等离子体刻铝及去胶系统,研究了用CCl_4作为铝刻蚀气体时,刻蚀速率与气体流量、放电电压、样品在反应室内几何位置的关系,并找到了最佳刻蚀条件.     

电子束辐照a-Si的模拟计算

在分的了非晶硅（ａ－Ｓｉ）材料的模型后,提出了一种能够反映ａ－Ｓｉ材料结构特点的无规网络模型,以此模型为基础,用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法模拟计算了能量为０．５～２．５ＭｅＶ的电子束与ａ－Ｓｉ的相互作用,得到了一些对电子辐照实验参考价值的结果。     

晶体管直流埃—莫模型参数的讨论

本文给出了晶体管直流埃-莫模型参数物理意义的一种简明讨论方法,回避了繁琐的数学推导,而突出了参数的物理本质。     

一种新型氮化硅氢离子敏器件及其特性

新型氮化硅氢离子敏器件采用ＰＥＣＶＤ法淀积ＳｉＮｘＨｙ膜同时作敏感膜与二次钝化保护膜。改善了器件的密封性能；敏感灵敏度β＝５６￣６０ｍＶ／ｐＨ，比用ＬＰＣＶＤ法淀积的Ｓｉ３Ｎ４膜提高１４％，β的线性度有明显改善；响应时间也缩短一倍。     

MNOS晶体管的存储特性及其测量方法

本文介绍了MNOS晶体管的存储特性,包括开关滞后特性、写擦特性、存储电荷保留特性和耐久性.提出了测量这些特性的一种有效方法,并给出了研制中的MNOS晶体管的测量结果.     

电子辐照改善氢化非晶硅的结构弛豫

氢化非晶硅（α-Si:H）的结构弛豫是导致α-Si:H性能光诱导衰变的重要原因之一。用0.5MeV、注量1.3×1020e/cm2的电子束辐照,α-Si转化为微晶硅,不稳定的弱Si-Si键因断裂而减少。α-Si光电池的相应试验初步证实,合适的电子辐照可以缓解α-Si的结构弛豫现象。