应用虚拟仪器(VI)技术开发集成电电路闩锁测试系统

闩锁(latch-up)效应严重影响了CMOS集成电路的可靠性,如何对其进行快速有效地测试是很有必要的,本文主要介绍了代表了当今世界测试仪器技术发展方向的虚拟仪器技术(VI)及其在开发集成电路闩锁测试系统过程中的应用.     

SRAM数据残留现象的机理分析

通过实验进行了SRAM数据残留机理的研究,建立了数据残留时间与温度的关系.确定了低温下非平衡载流子复合率及扩散速度的降低,是导致SRAM断电后数据残留的主要原因.同时进行了SRAM电参数与数据残留的相关性分析,排除了实验条件下热载流子效应对数据残留特性的影响.     

静态随机存储器数据残留特性研究

通常在安全处理系统中,微处理都将密钥储存在静态随机存储器(SRAM)中,如果SRAM的数据在断电后确实完全丢失,那么采取这样的对策是非常安全的,但是SRAM在断电后存在数据残留的问题,是系统的一个重大安全隐患。针对信息系统的安全性,用实验方法进行了SRAM数据残留特性的研究,确定了多种SRAM数据残留的临界温度点,建立了数据残留时间与温度的相关关系,进行了数据残留特性与电参数的相关分析,提取出数据残留特性的特征电参数待机电流Iddsb,有助于进一步研究SRAM数据残留机理。     

MOSFET热载流子退化/寿命模型参数提取

基于 MOSFET热载流子可靠性物理 ,并结合电应力条件下热载流子退化特征量ΔIds/Ids0 、Isub等实测数据的拟合处理 ,发展了可表征退化物理意义的衬底电流与退化 /寿命参数提取模型 ;进而由自动测试 ATE与 CAD技术相结合的监测系统 ,实现了载流子速度饱和临界电场Ecrit、有效导电长度 LC和寿命因子 H、m、n提取 .实验研究结果表明 ,模型及提取参数合理可信 ,并可进一步应用于 MOSFET及其电路的退化 /寿命模拟预测     

MOSFET热载流子退化/寿命模型参数提取

基于MOSFET热载流子可靠性物理,并结合电应力条件下热载流子退化特征量△Ids/Idso、Isub等实测数据的拟合处理,发展了可表征退化物理意义的衬底电流与退化/寿命参数提取模型;进而由自动测试ATE与CAD技术相结合的监测系统,实现了载流子速度饱和临界电场Ecrit、有效导电长度Lc和寿命因子H、m、n提取.实验研究结果表明,模型及提取参数合理可信,并可进一步应用于MOSFET及其电路的退化/寿命模拟预测.     

电子元器件静电放电敏感度(ESDS)检测

静电放电敏感度（ESDS）是电子元器件的重要可靠性参数之一，本文从检测目的，标准波形，检测标准及委托程序几个方面阐述了ESDS检测方法。     

IDDQ测试技术及其实现方法

ＩＤＤＱ测试是近几年来国外比较流行的ＣＭＳＯ集成电路测试技术。ＩＤＤＱ测试能够２检测出传统的固定值故障电压测试所无法检测的ＣＭＯＳ集成电路内部的缺陷、所以,能够明显提高ＣＭＯＳ集成电路的使用可靠性。本文叙述了ＩＤＤＱ测试的基本原理和ＩＤＤＱ测试在集成电路测试系统上的实现方法及测试实例。     

关于上海消防部队参与社会救援的实践和认识

关于上海消防部队参与社会救援的实践和认识钟征宇去年２月国务院办公厅转发的《消防改革与发展纲要》指出：“为了发挥消防队伍出动迅速和人员技能、器材装备方面的优势，更好地为经济建设和社会服务，消防队伍除承担防火监督和灭火任务外，还要积极参加其他灾害事故的抢...