粉末FeS2的合成及结构精修

实验采用Fe2O3粉末与纯铁粉末分别在100kPa硫压、恒温50h的条件下合成了FeS2粉体，并利用Rietveld方法对X射线衍射数据进行精修。结果表明在同样的条件下Fe2O3比铁粉更易与S结合生成FeS2，而且样品晶粒度明显增大。晶粒生长较好。     

电沉积FeS2(Pyrite)薄膜的制备与性能研究

采用含铁和硫元素的水溶液电沉积制备了FeS2 薄膜,并在硫氛围中退火获得样品。研究了样品的微结构和光吸收以及电学性质。结果表明薄膜样品晶相单一,晶粒尺寸约为100nm,光吸收系数随沉积时间增加略有增大,电阻率随薄膜沉积时间的增加而减小。为防止薄膜脱落,在沉积过程中使用了阳离子表面活性剂,得到了均匀且粘附性较强的膜。     

PVP对溶剂热合成FeS2(Pyrite)的形貌控制研究

采用溶剂热合成技术,以FeSO4和(NH2)2CS为反应前驱物,在聚乙烯吡略烷酮(PVP)作表面活性剂的醇-水体系中获得了晶粒完整的FeS2(Pyrite)粉体.借助X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)对合成样品的晶相组成、分散性、形貌进行了分析与表征,结果表明,以PVP为表面活性剂可以显著提高产物的分散性,适当调节PVP的用量可以有效调控FeS2晶体的大小与形貌.     

铅过量PLZT铁电薄膜的制备及其电学性质研究

采用Sol Gel法 ,在Pt TiO2 Si基片上制备了具有不同铅过量 (0— 2 0mol% )的PLZT铁电薄膜。分析了薄膜的晶相结构 ,研究了铅过量对PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能的影响。结果表明 ,各薄膜均具有钙钛矿型结构 ,且各薄膜均呈 (110 )择优取向。PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能随铅过量的变化而改变。铅过量为 10mol%的薄膜具有最佳的的介电性能和铁电性能。     

溶剂热法合成CoS2纳米粉体

采用溶剂热法,通过无水氯化钴与多硫化纳(Na2Sx)(2.8<x<3.5)在恒温条件下反应合成了黄铁矿结构二硫化钴纳米粉体,该方法类似水热过程,不同之处在于以有机溶剂代替水,可防止反应物在水热体系中被氧化.用XRD、SEM和TEM对所得产物进行了表征,并对合成机理进行了讨论.     

稀土钕离子对立方晶型FeS2结构及光性能的影响

采用真空、无氧退火方法对立方晶型FeS2进行了稀土钕掺杂实验.利用X射线衍射仪和紫外可见分光光度计对样品的结构及光吸收谱进行了研究.利用Rietveld方法对掺杂样品的结构进行了精修.结果显示:由于稀土钕离子的进入,使得立方晶型FeS2晶格结构发生畸变,从而导致样品光电性能改变.     

稀土钕离子对立方晶型FeS2结构及光性能的影响

采用真空、无氧退火方法对立方晶型FeS2进行了稀土钕掺杂实验．利用X射线衍射仪和紫外可见分光光度计对样品的结构及光吸收谱进行了研究．利用Rietveld方法对掺杂样品的结构进行了精修．结果显示：由于稀土钕离子的进入，使得立方晶型FeS2晶格结构发生畸变，从而导致样品光电性能改变     

酒石酸钽的合成和X—射线粉末衍射分析

合成了一种新的酒石酸钽配合物。经元素分析、IR、~1H NMR、TGA 和 X-射线粉末衍射确定其组成为 Ta-(Tar)_5·H_2O(Tar=酒石酸负1价阴离子)。晶体结构属正交晶系。空间群为 P2_12_12或 P2_12_12_1;a=7.793(9)(?).b=10.674(2)(?),c=7.622(4)(?);Z=1。理论密度 D_x=2.081,实验密度 D=2.053。品质因子 F_(30)=62(0.009,53) 和 M_(20)=43。     

栅氧层厚度与CMOS运算放大器电离辐射效应的关系

介绍了在干氧和氢氧合成两种不同工艺和不同栅氧层厚度情况下,CMOS运算放大器电路的电离辐照响应规律。并通过对其单管特性及内部单元电路辐照变化的分析比较,探讨了栅氧层厚度的变化与运放电路辐照损伤之间的相互依赖关系。结果显示,适当地减薄栅氧层厚度,可相应地减少辐照感生氧化物电荷和界面态引起的跨导衰降,从而使CMOS运放电路的抗辐射特性得到明显的改善。     

Sol-Gel法制备PLZT系铁电薄膜

介绍了Sol-Gel法，并对近年来Sol-Gel法制备PLZT系铁电薄膜材料的有关研究进行了分析和总结，详细介绍了Sol-Gel法制备PLZT系铁电薄膜材料的各种原料及工艺流程。