带状线法测量微波材料的复介电常数

精确测量低损耗微波材料的复介电常数十分重要。利用带状线法测量微波介质基板常温和变温的复介电常数,得到了高精度的测试结果。结果表明了用带状线法测量低损耗微波介质基板复介电常数的有效性和准确性。还分析了带状线测试方法中产生的误差和应该注意的事项。     

半绝缘砷化镓的光淬灭对TSC的影响

实验研究了ＳＩ－ＧａＡｓ材料中的ＥＬ２能级光淬灭对ＴＳＣ谱的影响。ＥＬ２能级显著光淬灭后,ＴＳＣ谱发生了明显的变化。一些ＴＳＣ峰的高度明显降低甚至消失,在低温端ＴＳＣ谱出现一些新的峰。     

掺氮6H—SiC材料电学性质温度依赖关系测量与分析

测量了７－１０００Ｋ的掺氮６Ｈ－ＳｉＣ材料基本电学性质，用电子性方程对载流子浓度温度倒数关系曲线进行拟合，利用化全物半导体散射机构计算了行 率。数据拟合分析得到样品的掺杂浓度、补偿浓度、杂质激光活能和载波子有效质量。分析结果表明，控制杂质能级和表观杂质激活能由补偿度和杂质浓度决定。掺氮６Ｈ－ＳｉＣ材料预期有０．０８ｅＶ、０．１２ｅＶ两个能级，当补偿杂质浓度大于较小能级浓度时，材料将由较高的能级控制     

X射线荧光法快速测定蒙脱石(固态)中的铝含量

本文介绍采用X射线荧光法测定蒙脱石中铝含量的方法及相关条件,并对测量结果精度进行分析。本方法具有样品前期处理简单、干扰因素小,且快速、准确等特点。     

X荧光光谱在溅射工艺研究中的应用

本文结合X荧光光谱讨论半导体材料镍欧姆接触电极的溅射工艺,形成的工艺流程短、效率高,方便获得更好的欧姆接触。     

X射线荧光法快速测定硅铝合金中的硅含量

本文介绍采用X射线荧光法测定硅铝合金中硅含量的方法及相关条件,并对测量结果精度进行分析。本方法具有样品前期处理简便、干扰因素小,且快速、准确等特点。     

X荧光更换X光管后定量测试方法研究

本文介绍采用X射线荧光光谱仪在更换X光管后,经过测试及数据处理,可以采用之前X光管测试的样品做标样,然后对新样品进行测试,而不用新的标样。结果表明,该方法定量准确、干扰因素小,可以大大节约制作标样的时间及成本。     

半绝缘砷化镓的热激电流谱测量

本文介绍了热激电流谱(TSC)测试方法,测量了SI-GaAs材料的TSC特征谱图。并对SI-GaAs的深能级中心的行为进行了初步的分析。