基于0118μm CMOS 工艺的6 GHz 环形压控振荡器设计

摘要:基于0118μmCMOS 工艺设计的全差分环形压控振荡器电路,芯片总面积为0165 ×0179 mm2 ,118V 电源供电, 总功耗155 mW,中心频率6 GHz ,调谐范围1 GHz。可应用于IEEE802111a WLAN 系统。     

基于0.18 μm CMOS工艺的6 GHz环形压控振荡器设计

基于0.18 μmCMOS工艺设计的全差分环形压控振荡器电路,芯片总面积为0.65×0.79 mm2,1.8V电源供电,总功耗155 mW,中心频率6 GHz,调谐范围1 GHz.可应用于IEEE802.11a WLAN系统.     

基于0􀀂18 􀀁m CMOS 工艺的千兆以太网数据判决电路芯片

介绍了用TSMC 0．18um CMOS工艺设计的千兆以太网数据判决芯片的模块及单元电路的结构，给出版图，后仿真及测试结果。该芯片采用CMOS互补逻辑的D触发器结构，功耗小于25mW，最高工作速率大于3．125Gbps，可直接用于千兆以太网物理媒介配属层的时钟数据恢复电路中。