激光晶体Nd:YVO4的形貌及生长缺陷

本文报道了应用环境扫描电镜（ESEM）和同步辐射X射线白光形貌术对采用提拉法生长出的Nd:YVO4晶体进行的形貌及生长缺陷的分析,获得了该晶体的开裂表面的ESEM形貌像以及取自晶体肩部和中间部位的（001）面的同步辐射白光形貌像,观察到了位错、包裹物等缺陷,可为生长高质量的Nd:YVO4晶体提供重要的启示.     

溶剂对维生素C单晶生长动力学的影响

引　言当过饱和溶液中产生晶核或加入晶种时 ,溶质分子在过饱和度的推动下使晶核或晶种长大的过程就是晶体生长 .晶体生长动力学决定了晶体产品的形态及其物理性质 ,是结晶过程设计、优化和操作的基础 ,在结晶过程研究中占有重要地位[1,2 ] .晶体生长的外部条件例如过饱和度、温度、溶剂等都直接影响到晶面吸附情况的变化、晶体比表面自由焓 ,从而影响晶面的生长速度[3,4 ] .单晶研究是借助于显微镜、照相机、衍射仪等观察手段测定单晶各方向的尺寸随时间的变化 ,确定晶体生长动力学的方法[5] .作者曾采用间歇动态法实验测试维生素C在水 乙…     

纤维素酶固态发酵环境扫描电镜观察

纤维素酶压力脉动固态发酵周期（60h）比传统固态发酵周期缩短1/3，酶活（2036IU/g）比传统酶活（10.82IU/g）提高了一倍。利用环境扫描电镜观察压力脉动固态发酵与传统固态发酵微观动态过程表明，压力脉动固态培养的料层（9.0cm厚）上中下微生物生长状况均匀一致，且疏松；而传统固态发酵的料层中部几乎没有菌体生长。并且发现微生物产孢初期，其产酶即停止，压力脉动固态发酵在72h开始产生孢子，其产酶达到最高峰；而传统发酵在96h才出现大量的孢子。     

应用环境扫描电镜研究硫酸钾小晶体生长

为了设计结晶器 ,晶体生长动力学研究是很有必要的。在以往研究溶液中单个晶体的生长情况常采用比较直观的显微照相法[1] ,即通过照片和测微目镜读数来得到晶体某一面或方向的生长速度。常用的光学显微镜存在着放大倍数低和景深小的局限性 ,只能测量比较大的晶体的生长过程。然而 ,小晶体 (一般 <10 0 μｍ)的生长速率比大晶体的生长速率要低的多 ,且并不遵循“ΔＬ”定律 ,与粒度相关。这样的尺度只能用扫描电镜来观察 ,但是 ,常规的扫描电镜又不能直接观察非导体 ,无法进行晶体生长过程的研究。近年来发展的环境扫描电镜可以直接观察含水…     

纯铁、镍氧化晶须生长的动态环境扫描电镜研究

纯铁、镍氧化晶须生长的动态环境扫描电镜研究邵曼君段岳李惠君李竹川（中国科学院化工冶金研究所多相反应开放实验室，北京１０００８０）铁和镍是最常用的高温材料中的基础金属，因此在过去的几十年中，已有不少学者研究了纯铁和纯镍的高温氧化。但是对于非平面生长的晶...     

磁场流化床内固体混合物分离简介

<正> 一、前言 在许多工业过程中均需进行不同程度或不同密度颗粒的混合与分级,例如重力选矿、多级浸取、分级焙烧等。分离的方法也可选用重力沉降、离心分离或流态化分离等。 在冶金工业中,近年来正在研究一种更为经济、先进的炼铁新过程——即先将铁矿     

活性炭材料改性及其在环境治理中的应用

从活性炭材料的表面结构性质和表面化学性质两方面论述了活性炭材料改性的研究进展,就活性炭材料在环境污水处理以及大气污染防治方面的应用进展进行了评述,并展望了活性炭材料改性的前景.     

水溶液中硫酸钾晶体生长动力学

The single crystal growth rates of potassium sulfate in pure aqueous solution under different conditions were determined by photomicrography in a flow system for crystal growth. The effects of themain controlling factors, such as supersaturation, crystal size, solution velocity and crystal growth temperature, on crystal growth rates of potassium sulfate were discussed in detail by using non-linear regression from the experimental data, and several empirical relationships were given. The results showed that the growth rates of crystals increased with supersaturation, crystal size, solution velocity and temperature. Moreover supersaturation was the most important controlling factor influencing growth rates of crystals, crystal size and solution velocity were the secondary and temperature was the least.Furthermore, It was found that the growth rate of crystals along the [100] crystallographic axis was higher than that along the [001] in the same condition. The effect of every factor on crystal growth rates along the [100] crystallographic axis was stronger than that along the [001].     

92%Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-8%PbTiO3晶体的生长缺陷和形貌

应用环境扫描电子显微术（ESEM）和同步辐射X射线白光形貌术研究了92％Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-8%PbTiO3晶体的表面形貌和缺陷，为生长高质量的该单晶材料提供重要的参考。从晶体自然显露面（111）面的ESEM缺陷形貌像中，观察并研究了诸如生长丘，位错蚀坑，小角晶界，包裹物，空洞或裂缝等生长缺陷，并分析了导致这些缺陷出现的原因是生长过程中的温度波动，过快的降温速度等因素。从该晶体的同步辐射X射线白光形貌像中也观察到了包裹物或空洞等缺陷。由该晶体表面出现的直形台阶，多层板块状台阶结构及其精细结构的ESEM形貌像可知，在PZN－8％PT晶体的高温溶液法生长中，起主导作用的生长机制为二维成核层状生长机制。