弹载激光探测器加速寿命试验与评估研究

为满足弹载激光探测器贮存寿命评估的实际需求,研究了适用于激光探测器的加速寿命试验与寿命评估方法。首先,研究影响激光探测器的贮存寿命的因素,提出加速试验方案中应力范围、寿命分布类型、应力施加方式、试验时间等因素设计准则,其次基于极大似然法计算加速模型参数,通过寿命分布类型检验判定加速试验方案的合理性,最后利用加速因子折合寿命试验数据,实现贮存寿命评估,本文研究内容为激光探测器贮存寿命评估提供借鉴。     

CMOS低相位噪声压控振荡器的设计

基于65 nm CMOS标准工艺库,设计了一个工作频率在10 GHz的具有低相位噪声的CMOS电感电容型压控振荡器。该压控振荡器选用CMOS互补交叉耦合型电路结构,采用威尔逊型尾电流源负反馈技术来降低相位噪声。仿真结果表明,此压控振荡器工作频率覆盖范围为9.9~11.2 GHz,调谐范围为12.3%,中心频率为10.5 GHz,在频率偏移中心频率1 MHz下的相位噪声为-113.3 dBc/Hz,核心功耗为2.25 mW。     

平凉火车站泾河大桥维修加固或改建方案比选

以实际桥梁加固工程为背景,在桥梁检测评定的基础上,对提出的几种加固方案进行深入的比选分析,最终得出最优方案。这一过程体现了全新的旧桥加固维修理念,同时为其他桥梁加固提供了借鉴。     

一种高增益、大带宽跨阻放大器的设计

作为激光近炸引信中探测与目标识别核心元件的光电探测器,其性能取决于光电二极管和相应的放大电路。针对引信、制导应用对光电探测器的要求,提出一种新型高增益、大带宽跨阻放大器设计。该跨阻放大器由两级放大电路构成,第一级由两个对称的RGC（Regulated Cascode）结构组成,消除光电二极管漏电流对直流工作点影响,隔离光电二极管寄生电容提升工作带宽;第二级放大电路由三个级联的电流复用反相放大器构成,是跨阻放大器的主要增益级;最后以射级跟随器输出,为后续系统提供足够的电压摆幅。 该电路基于SMIC 0.35μm 标准CMOS工艺设计,仿真结果表明：跨阻增益为110.2dBΩ,带宽为46.7MHz,40MHz处的等效输入噪声电流谱密度低至1.09pA/ ,带宽内等效输出噪声电压为5.37mV。测试结果表明,跨阻放大器增益约为109.3 dBΩ,输出电压信号上升时间约为7.8ns,等效输出噪声电压大小为6.03mV,功耗约为10mW,对应芯片面积为1560×810μm2。 关键字：跨阻放大器、高增益、大带宽、RGC、反相放大器     

低噪声双环路压控振荡器的设计

基于SMIC 65 nm CMOS RF工艺库,设计了一款低噪声差分型双环路压控振荡器。针对振荡器中的延迟单元,引入PMOS交叉耦合正反馈技术,以提高输出波形的摆幅;采用Maneatis负载结构,改善输出波形的对称性;利用次级延迟环路输入MOS管的开关作用,减小振荡周期中PMOS管的沟道热噪声对输出节点的影响,以提高相位噪声性能。后仿真结果表明,在1.2 V电源电压下,可控电压调节范围为0.1~0.7 V时,输出频率调谐范围为3.8~1.63 GHz,在振荡频率为3.8 GHz处的相位噪声为－100.4 dBc/Hz@1 MHz,在1.63 GHz处的相位噪声为－103.5 dBc/Hz@1 MHz,功耗为13.2 mW。