激光微区光谱定量分析及其在激光晶体研究与检验中之应用

本文概括介绍了激光微区光谱定量分析激光晶体中掺元素浓度的研究成果，着重讨论了定量分析中的几个主要问题。     

有机金属沉积法生长HgCdTe双色晶膜材料的研究

本文采用有机金属沉积（ＭＯＣＶＤ）法在ＣａＡｓ衬底上率先开展生长双色ＨｇＣｄＴｅ材料的研究，总结了生长ＣｄＴｅ缓冲层和隔离层、ｘ≈０．２、ｘ≈０．３的ＨｇＣｄＴｅ晶膜的工艺条件，并给出了ＨｇＣｄＴｅ双色材料的组分均匀性、厚度、表面形貌、结构和电性能。     

用激光光谱法测定YAP晶体中钕浓度分布

YAP晶体作为激光材料,其激活离子钕的浓度对光学性质和激光性能影响很大,定量测定钕的浓度及其在晶体中的分布规律对生长优质晶体和研究晶体的性能均很重要。分析YAP晶体中钕浓度,国内一般采用x-荧光光谱、原子吸收光谱和化学分析等方法,但这些方法均需破坏样品。为基本不破坏样品用激光光谱分析的方法较为合适。目前尚未见到国外有关激光光谱分析YAP晶体中钕浓度的报导,国内也未见到有关资料。本文是在本所以前定量分析YAG晶体中钕浓度的基础上,改进了激光器的冷却     

Preparation and Characterization of Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te Epilayers Grown by Hot Wall MOCVD

Hg_(1-x)Cd_xTe(CMT)epilayers with corresponding wavelength of 10.6μm(x=0.2)were reproduciblygrown on GaAs substrates in a movable hot wall MOCVD reactor.Rather high uniformity of solid compo-sitions was obtained.X-ray diffraction,TEM,DCXD,FTIR and Van der Pauw technique were employedto determine the crystalline,optical and electrical properties of CMT epilayers,which are effectively im-proved as compared with the previous data.     

热壁MOCVDHg_（1－x）Cd_xTe中的Hg蒸汽压和分配比

本文改进和设计了新型可移动式加热电阻炉和反应器，避免了二乙基碲（ＤＥＴｅ）与二甲基镉（ＤＭＣｄ）的直接反应，减了预沉积，在Ｔｅ／Ｃｄ比的控制更为准确的条件下重复稳定地获得了ｘ＝０．２响应波长为１０．６μｍ的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ材料．其中有关组份ｘ值的实验结果首次证明与Ｋｉｓｋｅｒ的热力学模型基本相符．     

MCT晶体退火压力——温度关系及其分析

采用热重法组分不同（ｘ＝０．１５～０．２５，ｙ＝０．５０～０．５４）的（Ｈｇ１－ｘＣｄｘ）１－ｙＴｅｙ晶体ｓ－ｇ平衡体系进行了Ｐ－Ｔ关系测量（Ｔ〈５６０℃，Ｐ＝２～７６ｋＰａ）；发现ｘ值不同的样品对Ｐ－Ｔ的影响不明显；ｙ值偏离（ｙ≥０．５０４）的样品在４２０±５℃有ＰＨｇ降，并对此进行了分析，提出了利用此现象可以减少ＭＣＴ晶体中的富Ｔｅ量和改善Ｔｅ组分均匀性；补充了５１ｋＰａ以下的Ｐ－Ｔ数据，通过     

MCT晶体退火压力─温度关系及其分析

采用热重法对组分不同（x＝0．15～0．26、y＝0．50～0．54）的（Hg1-xCdx）1-yTey晶体s－g平衡体系进行了P－T关系测量（T＜560℃、P=2～76kPa）；发现x值不同的样品对P-T的影响不明显；y值偏离（y≥0．504）的样品在420±5℃有PHg降，并对此进行了分析，提出了利用此现象可以减少MCT晶体中的富Te量和改善Te组分均匀性；补充了51kPa以下的P－T数据，通过与传统相图的比较发现MCT的相存在区缩小，特别是在10kPa以下，Te饱和线逐渐向Hg饱和线靠拢，并对本征线的可能位置进行了分析。通过该研究为MCT晶体造火条件提供了精确的选择范围。