用碳气凝胶作电极材料制作双电层电容器

双电层电容器具有极大的电容量和优良的充放电性能，这种新型储能器件有着广泛的应用前景。用微结构可控的纳米多孔导电材料碳气胶作为电极制作的双电层电容器的比电容达２５Ｆ／ｇ，其内阻在１Ω以下，漏电流小于１ｍＡ。     

铝衰减膜表面氧化对软X光透过率的影响与修正

对用不同方法制备的软Ｘ光激光实验用的Ａｌ衰减膜样品,用Ａｕｇｅｒ电子能谱（ＡＥＳ）结合氩离子束刻蚀进行了组分的表面和深度分布分析,结果表明表面氧化层主要由Ａｌ２Ｏ３组成,氧化达到饱和时的氧化层厚度≈７．５ｎｍ。由于在软Ｘ光波段内,氧的吸收系数比铝大一个多数量级,这一氧化层对软Ｘ光透过率的影响甚大。将ＡＥＳ测试结果作为参数,使用公式Ｉ＝Ｉ０·ｅｘｐ［－μ（Ｅ）·（ρｄ）］对Ｘ光透过强度进行修正。同步辐射软Ｘ光对样品透过率的直接测量表明,对于透过率大于２０％的Ａｌ膜,直接测量结果与按修正公式计算的结果在最大偏差１１％范围内符合。     

金属 /介质型纳米复合变色膜

变色膜是一种随观察角度不同而改变颜色的多层光学薄膜,在防伪领域有着重要的应用。本工作给出了金属／介质型鸾以膜的膜系设计,包括各膜层的最佳厚度或最小厚度要求;针对现行制备工艺存在的生产周期长、成本高问题,提出了一种制备金属／介质型变色膜的新工艺－纳米复合工艺（NCT）,并用NCT制备了变色膜样品,对样品的结构和光谱进行了测量。使用NCT,可望大幅度地降低变色膜的制备成本。     

低折射率SiO2光学增透薄膜的结构控制

A new method of structural control of low refraction index silica thin films is reported. Based on TEOS system and sol-gel process, together with organic dopant and silane coupling agent, the microstructure of SiO₂ particles in the sol is exactly controlled. Then silica thin films with 1.15～1.18 of refractive index are obtained by use of dip-coating. The films are characterized by ellipsometer, spectrophotometer,SEM and TEM, respectively. The experimental results show that adjusting pH value of the sol can effectively control and keep the microstructure of SiO₂ sol, and the doping silane coupling agent makes particles of SiO₂ sol grow up.     

LaNiO3溅射薄膜的光学和电学特性的研究

采用LaNiO3陶瓷靶和射频磁控溅射技术在350℃的K9玻璃衬底上制备出了具有较好（100）择优取向的LaNiO3薄膜。通过对不同厚度薄膜的光学、电学以及薄膜结构等物理特性的测试分析，发现薄膜厚度小于100nm时为非晶结构，厚度大于150nm后出现了具有（100）择优取向的LaNiO3相。非晶结构的LaNiO3具有较高的面电阻和高的光学透射率，而晶化的LaNiO3薄膜具有类似于金属的导电能力和光学特性。薄膜的生长动力学和导电分析结果认为薄膜生长的初期会形成一个非晶过渡层。     

改进溶胶-凝胶法制备PZT5O/5O铁电薄膜

采用改进的溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PZT50/50铁电薄膜，用X射线衍射表征了薄膜的物相，用原子力显微镜（AFM）表征薄膜的微观形貌，用RT-66A测量了薄膜的铁电特性，获得了具有优良的铁电性能的晶粒尺寸为100nm的PZT50/50铁电薄膜，在20V电压下，Pr=31.83uC/cm^2。     

DC磁控溅射制备的TiNx薄膜组分及性能分析

利用DC磁控溅射法在p-Si(111)衬底上制备了TiNx薄膜.利用X射线能谱仪(EDX)、X射线衍射(XRD)、紫外/可见分光光度计、四探针电阻率测试仪等分析了薄膜的组分、结构和光电特性.结果表明,薄膜中N/Ti原子比接近于1;衬底温度对薄膜的择优取向影响显著,240℃附近是TiNx薄膜结晶择优取向由(111)向(200)转变的临界点;薄膜在近红外波段平均反射率随衬底温度的升高,先增大后减小;薄膜的电阻率随着衬底温度的升高而显著降低.     

PZT铁电薄膜的低温原位生长

在溅射法预制备的LaNiO3/Si基片上,用射频溅射法在较低的衬底温度(235～310℃)和纯Ar气氛中原位生长Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜.通过优化溅射功率、基片温度等工艺,最后在260℃的较低基片温度上成功制备出具有良好铁电性的PZT薄膜.使用X射线衍射(XRD)测试样品的结构,原子力显微镜观察其表面形貌,TD-88A标准铁电测试系统测试样品(Ar/PZT/LNO结构)的铁电性能.结果表明:(1)溅射功率110W,基片温度260℃时,原位沉积的PZT呈(111)、(200)取向;(2)上述工艺制备的PZT薄膜展现良好的铁电性,在5V测试电压时,其剩余极化为23.1uc/cm2,漏电流密度为1.34×10-4A/cm2.     

磁控溅射制备TiN薄膜影响因素的研究

采用磁控溅射法在硅基片表面沉积TiN薄膜,研究了溅射气压、氮气流量、氩气流量、溅射电流等溅射参数对TiN薄膜导电性能的影响.实验参数采用正交设计法选取,经模糊分析得出,所考察的因素对薄膜光催化性能的影响次序由大到小依次为溅射电流、气体流量、溅射气压.进一步研究影响最大的溅射电流对薄膜结构与电学性能的影响,结果发现:溅射电流的增大使溅射粒子的动能随之增大,薄膜生长加快;薄膜的电阻率存在最小值.     

低折射率SiO2光学增透薄膜的结构控制

以正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）为有机硅源,采用溶胶－凝胶技术,通过调节溶胶的ｐＨ和掺入有机添加剂,对ＳｉＯ２溶胶生长过程进行了结构裁剪,控制ＳｉＯ２纳米颗粒尺度,制备出低折射率（１．１５～１．１８）ＳｉＯ２光学增透薄膜,分别采用椭偏仪,分光光度计,扫描和透射榻镜等对所制备薄膜的结构,物性进行研究,研究结果表明,改变ＳｉＯ２溶胶ｐＨ可有效抑制颗粒生长,且保持原有微结构;掺入有机偶联添加剂能使颗粒迅速增大。