衬底温度对VUV光直接光CVD SiO2／Si界面缺陷的影响

研究了ＶＵＶ（真空紫外）光直接光ＣＶＤ（化学汽相淀积）ＳｉＯ２／Ｓｉ界面微结构缺陷与衬底温度（Ｔｓ）的关系。实验结果表明：在３２℃￣１８０℃的温度范围内，与Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ伸缩模相对应的ＩＲ峰位随Ｔｓ的降低从１０６０ｃｍ＾－１增加到１０８０ｃｍ＾－１。固定氧化物电荷密度（ΔＮｏｔ）在Ｔｓ〉１２０℃后，呈正电性，与位于３．１０ｅＶ的氧空位缺陷相关；在Ｔｓ〈１００℃一侧，呈负电性，与２．８４ｅＶ能级位置     

真空紫外光直接光CVD SiO_2膜的偏压温度处理

对真空紫外光直接光ＣＶＤ法制备的ＳｉＯ２膜进行温度偏压处理，测量了处理前后的高频Ｃ－Ｖ特性曲线，计算出可动离子数为２×１０１１ｃｍ－２。处理后的特性曲线有明显的滞后效应，其滞后方向与极化效应的方向相同，其等效极化电荷数为２～５×１０１１ｃｍ－２。     

直接光CVD类金刚石碳膜的初期成膜结构

以微波激励氙（Ｘｅ） 发射的真空紫外光（ＶＵＶ） 作光源,乙炔（Ｃ２Ｈ２） 作反应气体,采用直接光化学汽相淀积（ＣＶＤ） 工艺,在硅（Ｓｉ） 、钼（ Ｍｏ） 及玻璃衬底上,１２０ ℃的低温下进行了类金刚石碳（ＤＬＣ） 膜的试生长。用Ｘ 射线光电子能谱（ＸＰＳ） 、扫描电子显微镜（ＳＥＭ） 等手段进行了初期成膜结构的测试分析。测试结果表明,在所有三种衬底上均能淀积生成ＤＬＣ 膜。其中Ｃ１ｓ 态原子的含量在６９ ．９８ ％ ～７４ ．６０ ％ 之间,相应的键合能为２８５ ．０ ～２８５ ．６ ｅＶ。淀积膜是以ＳＰ２ 键结构为主的ＤＬＣ膜。实验结果也表明,氧在成膜过程中是影响最大的因素。     

工艺参数对真空紫外光直接光CVDSiO2—Si界面特性的影响

采用高频（１ＭＨｚ）Ｃ－Ｖ测试和红外谱，研究了工艺参数对ＸＣ激发真空紫外光直接光ＣＶＤＳｉＯ２的ＳｉＯ２／Ｓｉ界面特性的影响。结果表明，衬底温度Ｔｓ对固定氧化物电荷密度△Ｎｏｔ、慢界面态密度△Ｎ的影响比反应室总气压ＰＣ和ＳｉＨ４／Ｏ分压比显著。△Ｎｏｔ和△Ｎｓｔ在１１０℃附近有极小值。约为１０＾１０ｃｍ＾－１２量级。Ｔｓ〉１２０℃，△Ｎｏｔ呈正电荷性，Ｔｓ〈１１０℃，△Ｎｏｔ呈负电荷性，Ｓｉ－Ｏ－     

氧等离子体处理条件对poly-SiO2/Si结构平带电压的影响

氧等离子体处理高阻P型、〈100〉硅片上的聚硅烷涂层,制备了SiO2/Si结构.用C-V技术测量其MOS结构平带电压,结果表明平带电压随氧等离子体处理时间、反应室气压和射频功率等条件的改变而变化.平带电压最小可达-0.55～-0.88V,比同一环境热氧化法制备的SiO2/Si结构平带电压小得多.     

磷硅玻璃在应用高能粒子技术制造半导体器件工艺中的作用

一、问题的提出 随着半导体器件向着小尺寸,高集成度方向发展,许多新的工艺技术比如电子束曝光、ⅹ-射线曝光、离子注入、射频溅射、等离子体氧化、等离子体刻蚀等等新技术已开始用在半导体器件制造工艺中。这些工艺的共同特点是在过程中应用了某些高能粒子或光子。现已研究表明,暴露在高能电子、光子和离子环境中的SiO_2-Si结构,由于电离辐射,引起SiO_2-Si结构中界面电荷和界面态密度增加。有时     

聚硅烷的氧等离子体处理特性

红外吸收谱分析表明，聚硅烷Ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ ｐｈｅｎｅｔｈｙｌ ｓｉｌａｎｅ（ＰＭＰＥＳ）在氧等离子体处理后转变成ＰＳｉＯ膜，ＰＳｉＯ中的ｘ在１．５－２．０之间，其高频Ｃ－Ｖ特性曲线的平带电压力正，大小与氧等离子处理条件和ＰＭＰＥＳ厚度有关。     

氧等离子体处理条件对聚硅烷制备SiO2/Si结构平带电压的影响

氧等离子体处理高阻P型（100）硅片上的聚硅烷涂层制备SiO2/Si结论。其MOS结构平带电压随氧等离子体处理时间、反应室气压、射频功率等条件的改变而变化,平带电压最小可达-0.55～-0.88V比同一环境热氧化制备的SiO2/Si结构平带电压小得多。     

低频阻抗标准的初步研究

由于交流电路中元件的特性是用阻抗来描写的，但要对各种频率下的阻抗进行准确测量，就必须建立相应的阻抗标准。我们针对目前阻抗标准的国际现状，尤其是低频段（＜105Hz，下同）远不能满足计量和测试工作需要的实际情况，进行了试图建立低频段阻抗标准的研究，根据实验结果，我们认为以金属膜电阻器建立低频段阻抗标准是可行的。1．建立低频段阻抗标准的思路我们试图在低频段内建立类似于直流电阻标准那样的低频阻抗标准，这就要求这个阻抗标准的阻抗幅值在整个频段内应不随或基本不随频率而变化，而且，其相角变化要极其微小，亦即要求…     

用脉冲CO_2激光辐照降低多晶硅的薄层电阻

本文报导用脉冲CO_2激光辐照磷扩散多晶硅,获得多晶硅薄层电阻从17Ω/□降低到7.4Ω/□的结果。并用扫描电子显微镜观察了激光辐照后的表面结构形貌。对激光辐照多硅的热稳定性也进行了初步研究。