首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   27篇
  免费   1篇
  国内免费   4篇
工业技术   32篇
  2013年   3篇
  2012年   1篇
  2011年   3篇
  2010年   1篇
  2009年   1篇
  2008年   3篇
  2007年   1篇
  2006年   5篇
  2005年   3篇
  2004年   3篇
  2003年   1篇
  2002年   1篇
  2000年   1篇
  1997年   1篇
  1995年   3篇
  1994年   1篇
排序方式: 共有32条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
PNW对PMS-PZT压电陶瓷结构和性能的影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用传统陶瓷工艺制备了PNW-PMS-PZT四元系压电陶瓷,分析了陶瓷样品的相结构组成,结果表明所有陶瓷样品的相结构为纯钙钛矿相结构;随着PNW含量的增加,陶瓷晶粒逐渐长大;研究了室温下PNW含量对介电性能和压电性能的影响,实验表明,随着PNW含量的增加,介电常数rε、机电耦合系数kp和压电常数d33先增加,PNW含量为0.02 mol时分别达到最大值,然后降低;随着PNW含量的增加,介电损耗tanδ一直增加,机械品质因数Qm和居里温度TC始终降低。PNW含量为0.02 mol的压电陶瓷适合制作大功率压电陶瓷变压器。其性能为:rε=2 138,tanδ=0.005 8,kp=0.61,Qm=1 275,d33=380 pC/N和TC=205℃。  相似文献   
2.
锰掺杂对PNW-PMS-PZT压电陶瓷结构和性能的影响   总被引:1,自引:1,他引:1  
采用传统陶瓷工艺制备了Pb(Ni1/2W1/2)O3-Pb(Mn1/3Sb2/3)O3-Pb(Ti,Zr)O3-xMnO2压电陶瓷,分析了经1150℃烧结2h制备的陶瓷样品的相结构组成。实验结果表明:所有陶瓷样品均为钙钛矿相,未发现其它晶相。随着锰掺杂量的增加,陶瓷晶粒逐渐长大。研究了不同剂量的锰掺杂对压电陶瓷介电和压电性能的影响。结果表明:随着锰掺杂量的增加,材料逐渐变“硬”,当MnO2掺杂量少于0.2%(按质量计,下同)时,相对介电常数εr、压电常数d33和机械品质因数Qm逐渐增加,介电损耗tanδ减小;当MnO2掺杂量多于0.2%时,εr、d33和Qm逐渐降低,tanδ增加。随着锰掺杂量的增加,机电耦合系数kp和Curie温度θc逐渐减小。MnO2掺杂量为0.2%的压电陶瓷适合制作大功率压电陶瓷变压器。其压电性能为:εr=2138,tanδ=0.0058,kp=0.613,Qm=1275,d33=380pC/N和θc=205℃。  相似文献   
3.
The lead-free piezoelectric ceramics (1-x)(K0.5Na0.5)NbO3-xLiNbO3(abbreviated as KNLN) were synthesized by a traditional solid state reaction. The effects of Li^+ on the sintering characteristic, the phase structure and piezoelectric properties of KNLN ceramics were investigated. The sintering temperature of KNN-based ceramics is decreased by doping Li^+ and the range of the sintering temperature is narrow. The KNLN ceramics exhibit an enhanced piezoelectric properties with the piezoelectric constant d33 value of 180-200 pC/N, The electromechanical coupling coefficients kp is 35%-40%. The results show that (1-x)(K0.5Na0.5)-NbO3-xLiNbO3 (x=0.05, 0.06) is a promising high-temperature lead free piezoelectric ceramic.  相似文献   
4.
提出了一种构建超材料带通频率选择表面的新方法,该方法通过调节单元结构的等效介电常数实现.金属丝阵列在等离子频率以下等效介电常数为负,产生传输禁带,在金属丝阵列中加入介电常数符合Lorentz模型的短金属线结构,可得到一维带通频率选择表面,理论分析和仿真计算充分验证了这种方法的可行性.基于这种方法,将一维超材料频率选择表...  相似文献   
5.
裴志斌  田长生 《材料工程》1997,(2):15-17,45
用红外光谱研究了溶胶-凝胶法制备PLT铁电陶瓷薄膜的成胶机理,研究了前体溶液的稳定性及多次覆膜工艺。  相似文献   
6.
设计了一种具有良好带通性能的二阶双通带高阶频率选择表面(FSS)。该FSS结构是在两层介质板上加载三层金属层。利用仿真软件对FSS结构进行计算,并加工实验样件并测试。结果表明:这种三层FSS具有二阶双通带性能,它的3 dB通带分别为10.26~12.24 GHz和16.61~17.49 GHz,两通带平稳光滑,中心插损小,且对不同角度、不同极化方式入射的电磁波保持很好的稳定性。  相似文献   
7.
PNW-PMS-PZT压电陶瓷准同型相界的压电性能研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用传统陶瓷工艺制备了PNW—PMS—PZT四元系压电陶瓷,分析了陶瓷样品的相结构组成,结果表明,所有陶瓷样品的相结构为纯钙钛矿相结构;研究了室温下PMS含量,PNW 含量和Zr/Ti的变化对准同型相界的影响规律,实验表明随着PMS、PNW含量和Zr/Ti的增加,材料体系逐渐由四方相向三方相过渡,获得了处于准同型相界附近的材料组成:PMS 的含量在5—6mol%、PNW的含量在2—3mol%、PZT的含量在91—93mol%、Zr/Ti的变化靠近50/50,同时具有高的机电性能.  相似文献   
8.
用二次合成法制备了 0 .2 4 Pb(Fe2 / 3W1 / 3) O3- 0 .0 6 Pb(Fe1 / 2 Nb1 / 2 ) O3- 0 .5 6 Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3) O3- 0 .14 Pb Ti O3固溶体陶瓷 ,分别研究了预烧温度和烧结温度对其预烧粉体和陶瓷的相组成的影响 ,详细研究了烧结温度及掺锰对PMN- PFW基陶瓷介电性能的影响  相似文献   
9.
系统地研究了溶胶-凝胶技术制备Pb(1-x)LaxTi(1-x/4)O3的铁电陶瓷膜时催化剂、溶液浓度在室温下对形成溶胶和凝胶的影响规律;用约外光谱研究了成胶机理;用该技术成功地在(100)Si单晶衬底上制备出了均匀、无裂纹且具有钙铁矿结构的PLT晶态薄膜。  相似文献   
10.
(Na0.5K0.5)NbO3基无铅压电陶瓷的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
由于钙钛矿结构无铅压电陶瓷具有高的压电性能,已成为无铅压电陶瓷研究的热点.本文综述了钙钛矿结构无铅压电陶瓷(Na0.5K0.5)NbO3的研究进展和趋势.重点从添加第二组元、添加助烧剂、取代改性和制备方法四个方面,归纳和分析了(Na0.5K0.5)NbO3基无铅压电陶瓷的研究开发进展,并对(Na0.5K0.5)NbO3基无铅压电陶瓷今后的研究和发展提出一些建议.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号