单电子晶体管I-V特性数学建模

基于正统单电子理论，提出了单电子晶体管的I-V特性数学模型。该模型的优点是：它由实际物理参数直接获得；支持双栅极工作，更利于逻辑电路应用。I-V特性和跨导仿真结果证实了它的准确性。     

量子细胞神经网络超混沌系统的追踪控制与同步

研究三细胞耦合的量子细胞神经网络超混沌系统的追踪控制问题.设计了一个非线性控制器,使得受控系统追踪任意给定的参考信号,并利用Lyapunov方法从理论上证明了该系统按指数速度收敛到给定的参考信号,同时实现了该系统的自同步以及与Rssler混沌系统的异结构混沌同步.数值仿真进一步表明了该方法的有效性.     

一种新型的多栅极SET/MOS管混合电路

基于多栅极SET的库仑振荡和相移特性,以及SET和MOS管的互补特性,提出了一种新型的多栅极SET/MOS管混合电路.介绍了该电路的结构和工作原理,并利用SPICE进行了仿真分析.仿真结果表明:提出的新电路可以作为取样电路使用,也可以作为一个基本的算术门用于多值逻辑电路系统.     

《电工学》远程多媒体CAI系统的设计与实现

针对大学《电工学》课程特点,利用ASP.NET等技术和SQLServer开发了一个基于数据库的远程多媒体教学系统。利用分段随机抽选法来实现智能组卷,解决了传统算法在试题库题量大时组卷效率低的问题,并利用SQLManagedProvider连接SQLServer数据库的方式对数据库进行访问,达到了预期的效果。     

基于单电子晶体管的数字滤波器硬件实现

基于互补型单电子晶体管（SET）逻辑门，提出了SET加法器、移位寄存器和ROM的单元电路。在讨论数字滤波器硬件实现原理基础上，由这三个单元电路实现了一个二阶IIR滤波器。SET的SPICE宏模型验证了设计的正确性。     

EAPT语言和基于微型计算机的数控自动编程系统——兼论提高现有数控机床的利用率

本文从现有制造设备的挖潜革新角度出发,探讨提高现有数控机床利用率的问题。文中介绍作者对24个拥有数控铣床单位的利用率现状的调查结果,并论述了提高利用率的途径。本文还介绍了作者所编选的EA PT(East China Engineering Institute APT)数控自动编程语言及所开发的基于微计算机的自动编程系统。     

磁耦合元胞自动机逻辑器件的形状可重配置结构

磁耦合元胞自动机逻辑器件(即纳磁体逻辑器件)是后CMOS时代的一种极具潜力的新技术,具有无引线集成、极低功耗和天然非易失性等优点.纳磁体逻辑器件由纳米级单畴磁体构成,而磁体的形状是其一个重要的器件特征参数.本文研究了不同特殊形状纳磁体的转换特性,获得了改变特殊形状器件状态的时钟场值.提出了基于不同尺寸特殊形状纳磁体的可重配置择多逻辑门,采用OOMMF软件验证了形状择多逻辑门的输入可重配置性,得到了顺序配置不同输入组合所需的时钟场.该可重配置门结构的提出为磁性可编程逻辑计算电路的实现奠定了重要的理论基础.     

含无损传输线的约瑟夫森结电磁系统中的分岔与混沌

 建立了含无损传输线的约瑟夫森结电磁系统左端点处电压正向行波分量的一维Poincaré映射模型,运用非线性动力学理论分析了映射定点的稳定性。通过数值计算得到了映射随电压反射系数变化的分岔图,详细分析了系统随参数变化的动态演化过程。结果表明在一定参数条件下,该电磁系统中存在着分岔、混沌、周期吸引子共存、混沌吸引子共存以及周期与混沌吸引子共存等复杂的非线性动力学行为。     

单电子隧道结隧穿特性研究与仿真

基于单电子隧道结电压特征公式[1],借助Matlab拟合其隧穿特性曲线,给出了时不变和时变偏置电流作用下的I-V特性震荡曲线,并就仿真结果进行分析,将该模型应用于单电子盒进行仿真验证,出现了明显的库仑台阶,仿真曲线印证了理论分析结果.利用Matab强大的计算功能进行单电子器件特性仿真对单电子器件的应用研究有重要意义.     

背景电荷对两点量子元胞自动机电路的影响

背景电荷是影响两点量子元胞自动机电路可靠性的一个重要因素。为了量化分析不同区域内背景电荷对两点量子元胞自动机信息正确传输概率的影响,建立了两点量子元胞自动机状态转换的概率模型,求解出目标元胞在背景电荷影响下发生翻转的概率。研究结果表明,以元胞尺寸和间距均取20 nm为例,信号沿水平方向传输时,背景电荷在离目标元胞40 nm范围内将导致元胞错误翻转;信号沿竖直方向传输时,背景电荷在离目标元胞32 nm范围内将导致元胞错误翻转。背景电荷对目标元胞输出状态的影响范围随电路中元胞间距的增大而增大,而与元胞尺寸无关。