碳纳米管场效应晶体管紧凑模型研究进展

随着摩尔定律逼近极限,碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)被认为是5 nm以下CMOS晶体管的有力替代者。CNTFET具有准一维结构,栅极可有效控制导电沟道的导通/关断;同时,载流子在沟道内可实现近弹道输运,具有极高的迁移率。因此,CNTFET在低电压环境下,可提供较大的电流传输能力,为实现纳米级超大规模模拟/逻辑电路提供了解决方案。文章综述了CNTFET紧凑模型的发展现状,分析了现阶段面临的漏极电流精确模型、隧穿效应、寄生效应、多纳米管模型等存在的问题,重点探讨了针对这些问题的解决方案。最后对该紧凑模型未来的应用前景进行了讨论。     

中短波红外图像传感器读出电路研究进展

随着红外技术和探测器性能的进步,中波和短波红外技术在恶劣天气中具有更优秀的成像性能,在民用、军事和航空航天等领域中得到了越来越广泛的应用。读出电路作为连接探测器阵列与后级图像处理电路的关键模块,其性能对中短波红外相机系统性能具有重要影响,决定了最终的成像质量。文章综述了中短波红外图像传感器读出电路的发展现状,分析了读出电路中噪声、动态范围、帧频等问题,重点探讨了针对以上问题的解决方案。最后对读出电路未来设计的改进方向进行了讨论。     

1.25～3.125 Gb/s连续数据速率CDR设计

设计了一款工作速率为1.25～3.125 Gb/s的连续可调时钟数据恢复(CDR)电路,可以满足多种通信标准的设计需求.CDR采用相位插值型双环路结构,使系统可以根据应用需求对抖动抑制和相位跟踪能力独立进行优化.针对低功耗和低噪声的需求,提出一种新型半速率采样判决电路,利用电流共享和节点电容充放电技术,数据速率为3.125 Gb/s时,仅需要消耗50 μA电流.芯片采用0.13 μm工艺流片验证,面积0.42 m㎡,功耗98 mw,测试结果表明,时钟数据恢复电路接收PRBS7序列时,误码率小于10-12.     

千兆比特数据率LVDS接口电路设计

设计了一个采用0.18μm1.8V/3.3V CMOS工艺制造的千兆比特数据率LVDS I/O接口电路。发送器电路采用内部参考电流源和片上匹配电阻,使工艺偏差、温度变化对输出信号幅度的影响减小50%;接收器电路采用一种改进的结构,通过检测输入共模电平,自适应调整预放大器偏置电压,保证跨导Gm在LVDS标准[1]要求的共模范围内恒定,因此芯片在接收端引入的抖动最小。芯片面积0.175mm2,3.3V电源电压下功耗为33mW,测试表明此接口传输速率达到1Gb/s。     

一种流水线ADC数字校准算法实现

校准系统是实现高精度高速度流水线ADC的关键技术之一.论文对流水线ADC结构进行描述,对误差来源进行分析,并且对通过计算每级转换函数跳变点高度来得到权重的校准算法进行研究,最后提出校准算法实现方案,进行实现并且给出实现结果与版图.实现结果表明:完成校准系统只需要一些纯粹的数字电路,实现简单.同时,算法仿真结果表明,这种算法可以满足高精度ADC的要求,是一种实现性、可靠性好的校准算法实现方法.     

红外无线语音教学系统的设计

本文介绍一种新型的红外无线通信语音教学系统。利用单片机定时控制,实现语音信号的红外无线传输,满足现代交互式教学需求。具有电路简单,经济实用,且在功能上易于扩展和实现多媒体教学。     

A full on-chip CMOS low-dropout voltage regulator with VCCS compensation

A full on-chip CMOS low-dropout(LDO) voltage regulator with high PSR is presented.Instead of relying on the zero generated by the load capacitor and its equivalent series resistance,the proposed LDO generates a zero by voltage-controlled current sources for stability.The compensating capacitor for the proposed scheme is only 0.18 pF,which is much smaller than the capacitor of the conventional compensation scheme.The full on-chip LDO was fabricated in commercial 0.35μm CMOS technology.The active chip area...     

长距离红外遥控

介绍了采用低噪声前置放大器的长距离红外遥控系统。减小了常见红外遥控系统中的噪声较大与灵敏度不高的问题,极大地拓展了红外遥控的距离。     

采用环栅和C-Element技术相结合的方法对寄存器单元进行加固

This paper presents a radiation hardened flip-flop with an annular gate and a Muller C-element. The proposed cell has multiple working modes which can be used in different situations. Each part of the cell can be verified easily and completely by using different modes. This cell has been designed under an SMIC 0.13 μm process and 3-D simulated by using Synopsys TCAD. Heavy-ion testing has been done on the cell and its counterparts. The test results demonstrate that the presented cell reduces the cell＇s saturation cross section by approximately two orders of magnitude with little penalty on performance.