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1.
当半导体技术节点缩小至14 nm及以下时,光刻技术也逐渐接近了其物理极限.光源掩模协同优化(SMO)作为一种新型的分辨率增强技术,能够显著提升极限尺寸下半导体光刻的重叠工艺窗口,有效延伸当前常规光刻技术的生存周期.综述了SMO这一技术,分析了SMO的原理,介绍了该技术的发展和在半导体制造工艺中的应用,重点探讨了其在先进光刻节点研发中的应用,并对其挑战和发展趋势进行了展望,认为SMO不仅是193 nm浸润式光刻技术的重要组成部分,也将是EUV光刻中必不可少的一种技术.  相似文献   
2.
基于先进逻辑CMOS工艺平台,构建了集成电路热耦合模型,为后端金属线电迁移预测提供更精确的温度变化和分布信息。在建模过程中,为了提高建模和仿真效率,对金属线网络和晶体管有源区进行简化,并用热传输比率对热耦合进行表征。考虑到晶体管参数、金属线走向、金属线之间相对位置对热传输比率的影响,模型中引入相关因子对热传输比率做进一步修正。最后,将该热传输模型嵌入到商用仿真软件中。结果表明,热传输比率(即温度)的仿真值与基于工艺平台流片的实测值吻合良好,验证了模型的准确性。  相似文献   
3.
用酸蚀方法研究38CrSi钢的低倍缺陷与力学性能的关系。结果表明,低倍缺陷对钢的强度和塑性影响不大,而它对钢的冲击性能有明显作用,这种作用与钢中非金属夹杂物含量有关,夹杂物含量越高,钢的冲击韧性越低,通过电镜分析认为是α-MnS夹杂物。  相似文献   
4.
电(磁)装甲研究现状及发展趋势   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过对国外关于电 (磁 )装甲的资料、数值计算及试验结果的分析和比较 ,结合课题研究中的体会提出了对电 (磁 )装甲防护系统发展前景的个人看法。  相似文献   
5.
通过穿甲试验,研究装甲钢硬度与抗弹性能之间的关系;由弹坑解剖分析了装甲钢板穿甲破坏形貌以及弹坑表面的强化机理。试验结果表明:高硬度装甲钢抗弹性能好;装甲钢板为混合穿甲形式破坏;弹坑表面的变形带和相变带是由非常细小马氏体板条组成,其硬度非常高,远远高于装甲钢板的基体和淬火硬度。  相似文献   
6.
在28 nm及以下工艺节点,版图邻近效应已经成为一个重要问题。文章概述了版图邻近效应的研究及应用进展,介绍了Poly-gate、High-k/Metal-gate、FinFET等不同工艺下的6种版图邻近效应二级效应,包括阱邻近效应、扩散区长度效应、栅极间距效应、有源区间距效应、NFET/PFET栅极边界邻近效应和栅极线末端效应。在此基础上,详细论述了这些二级效应的工艺背景、物理机理以及对器件电学性能的影响,归纳了目前常见的工艺改进方法。最后,从工艺角度展望了深纳米工艺尺寸下版图邻近效应的发展趋势。  相似文献   
7.
通过对进口扭矩轴解剖分析,探讨了国产扭矩轴材料代替进口扭矩轴使用的可能性,通过两种材料对比试验,结果认为,国产扭矩轴无论是化学成分、力学性能和扭转试验以及模拟台架试验,性能全部达到进口扭矩轴材料的技术要求,并按进口扭矩轴样品制造了国产扭矩轴,经过试验与进口扭矩轴使用寿命相当,达到国外同类产品的水平.  相似文献   
8.
通过S390钢和Co5Si钢两种拉线刀材料的对比试验,研究淬火和回火温度对硬度的影响。结果表明:随淬火温度升高,硬度呈缓慢下降趋势。当回火温度为500~550℃,两种材料的回火硬度分别达到最高值,且S390钢拉线刀性能优于Co5Si钢。经生产考核,S390钢拉线刀完全达到技术指标要求,使用寿命延长。  相似文献   
9.
分析了射频等离子体增强化学气相淀积(RFPECVD)参数对含氢非晶碳(α-C∶H)刻蚀特性的影响规律。首先,针对射频功率、丙烯流量、反应腔压强、极板间距等工艺参数对膜层刻蚀特性的影响进行了实验,并通过确定性筛选设计方法产生实验矩阵。然后,采用RFPECVD工艺在硅衬底上淀积α-C∶H。最后,运用多元回归方法对刻蚀速率、刻蚀均匀性进行了研究。结果表明,淀积工艺参数的变化对膜层的均匀性没有影响,对膜层的刻蚀速率有影响。该工艺参数对刻蚀特性的影响研究对优化CVD工艺具有参考价值。  相似文献   
10.
通过电镜观察,仔细研究某钢贝氏体组织与性能,结果表明,320℃等温组织是下贝氏体和马氏体及少量粒状贝氏体,回火后获得良好力学性能。  相似文献   
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