电子束光刻中的辐照损伤

本文研究了电子束光刻中电子能量(10—30keV)和电荷剂量(10~(-6)—10~(-3)C·cm~(-2))对铝栅MOS电容器的损伤和低温退火(<500℃)的影响。研究电子束光刻中高能量(30keV)和高剂量(10~(-3)C·cm~(-2))电子束引起的损伤,对电子束汽相显影光刻和电子束无显影光刻是有实际意义的。实验表明,平带电压的损伤可高达十几伏,界面态密度可高达10~(12)cm~(-2)eV~(-1)以上。在一定电荷剂量下,平带电压的损伤对电子能量的变化(在一定范围内)不敏感。在一定电子能量下,界面态密度的损伤对电荷剂量的变化(在一定范围内)不敏感。低温(<500℃)退火能完全消除平带电压的损伤,但不能完全消除界面态密度的损伤。     

Au-Si共晶合金液态金属离子源

采用原子比为Si(31％),Au(69％)的金硅合金,研制成了Au-Si共晶合金液态金属寓子源.描述了该离子源的制作方法、I-V特性、不同源电流情况下各种离子流峰值的变化.讨论了质谱分析结果.长时间地测量了离子流各组分Si~+、Si~(++)、Si_2~+、Au~+、Au~(++)的百分比变化情况.源的寿命大于140小时.     

扫描电子束无显影光刻技术,

<正> 扫描电子束曝光是微细图形加工中的一项核心技术.它既是远紫外、X-射线、投影电子束光刻制备微米、亚微米精细掩模的主要手段,也是在硅片上直接加工微细图形的重要光刻技术之一,并且具有高分辨率、高精度和自动化等优点.但是电子束光刻过程,     

聚焦离子束选择形成金属硅化物微细图形

用聚焦离子束混合技术选择形成了线宽1μm的金属硅化物微细图形。实验表明镍硅化物主要是由在离子作用下引起的硅原子向金属膜的输运过程形成的,线条的高度随离子剂量的平方根线性增加,适当的后退火过程将大大降低离子束混合形成镍硅化物的电阻率、而达到固相反应形成的镍硅化物相同的水平。     

光纤光栅作为外反馈的混合腔半导体激光器

利用一个一端镀有增透膜的Ｆ－Ｐ腔半导体激光器芯片和一段反射率为５０％的光纤光栅组合成一混合腔激光器，腔长约为２ｃｍ。在５０ｍＡ的偏置电流下，主边模抑制比为３７．６ｄＢ，出纤功率为１ｍＷ。并对这种结构的激光器进行了初步的理论分析     

扫描电子束无显影光刻技术

扫描电子束曝光是微细图形加工中的一项核心技术.它既是远紫外、X-射线、投影电子束光刻制备微米、亚微米精细掩模的主要手段,也是在硅片上直接加工微细图形的重要光刻技术之一,并且具有高分辨率、高精度和自动化等优点.但是电子束光刻过程,一     

用光纤光栅作外反馈的可调谐外腔半导体激光器

制作了一种以光纤光栅作为外反馈的半导体激光器。光纤光栅用紫外曝光法制作 ,反射率为 5 0 %。器件在5 0mA注入电流时 ,出纤功率高于 1mW ,主边模抑制比为 42dB。使用对光纤光栅施加应变和改变光栅温度的方法实现了输出激光波长的调谐 ,利用施加应变方法得到了 2nm范围的输出波长变化。     

光纤的光敏特性及光纤光栅紫外写入技术

本文扼要评述了光纤的光敏特性及其微观机理，描述了光纤光栅光学特性，并对迄今发展起来的几种主要光纤光栅紫外写入技术进行了全面的评介，最后简要介绍了光纤光栅在激光和通信等方面的一些重要应用。     

电子束曝光机自动套准系统的研究

本文描述了用于电子束曝光机的芯片自动套准系统，该系统包括：扫描控制器、图象采集子系统、相关位置计算单元和位置与角度修正子系统。利用该系统，完成一次双标记识别及修正的循环需时１１秒；角度最小修正值为０．０１４度，最终实现的套准精度达到３σ≤０．０７μｍ。