静压下ZnS：Te中Te等电子陷阱的发光

研究了4块ZnS：Te薄膜样品(Te组分从0．5％到3．1％)的光致发光谱在常压下的温度特性．对于Te组分较小的2块样品观察到2个发光峰，分别来自Te1和Te2等电子陷阱；而对Te组分较大的2块样品则只观察到1个来自Te2等电子陷阱的发光．我们还研究了这些发光峰在低温1．5K下的流体静压压力行为．观察到与Te1有关的发光峰压力系数比ZnS带边的要大很多，而与Te2有关的发光峰压力系数则比带边小．根据Koster-Slater模型，价带态密度半宽随压力的增加是Te1中心有较大压力系数的主要原因，而Te1和Te2中心的不同压力行为则是由于压力对两者缺陷势增强的不同效果引起的．     

关于N-Si:Pd中能级E(0.37)和E(0.62)的识别

在已证实Si中与间隙Pd有关的E_(TA)(0.37)和E_(TB)(0.62)能级为同一双施主中心的(0/ +)态与(+/++)态的基础上,本文通过一系列实验事实进一步揭示该中心是有B杂质参与的络合物.     

ZnS_(1-x)Te_x混晶的压力光谱

研究了 Zn S1 - x Tex(0 .0 2≤ x≤ 0 .3)混晶的静压光致发光谱 .每块样品都观察到一个峰值比相应混晶带隙低很多的发光峰 ,来源于束缚在 Ten(n≥ 2 )等电子陷阱上的激子复合发光 ,且随压力 (0～ 7.0 GPa)而蓝移 .发光峰的压力系数比相应混晶带边的都要小 ,随着 Te组分的增加而减小 ,与混晶带隙压力系数的差别也越来越大 .由于压力下与发光峰对应的吸收能量逐渐接近并超过激发光的能量 ,与发光峰有关的吸收效率降低 ,发光峰积分强度随着压力增加而减小 .据此估算了 Ten 等电子中心的 Stokes位移 .发现 Stokes位移随着 Te组分的增加而减小     

InAs/GaAs自组织生长量子点结构中浸润层光致发光研究

当激发光能量小于GaAs势垒带边能量时，在InAs量子点结构中，清楚地观察到与InAs浸润层有关的发光峰．研究表明，此发光峰主要来源于浸润层中局域态激子发光，局域化能量为12meV，发光具有二维特性．在相同的生长条件下，此发光峰位置与InAs层的厚度基本无关．这些结果有助于进一步深入研究浸润层的形貌和光学性质．     

利用I-V特性确定Schottky势垒中的准费米能级

利用Ⅰ-Ⅴ特性曲线的实验值,可以简便地计算出Sohottky势垒中准费米能级变化的曲线,对于估计深能级的荷电状态有一定意义.     

砷化镓中深能级的光谱研究

目前半导体中深能级探测的实验技术大致可以分为三类,即结电容技术、光谱技术和电子顺磁共振技术。本文介绍用光谱技术对N型砷化镓中若干深能级所做的研究,包括光荧光、阴极荧光与阴极荧光瞬态的测量,以及对深中心的能级、起源和电子-声子耦合等的初步分析。采用两种样品:在N型GaAs衬底上用MOCVD外延的N型GaAs(掺S)的样品和     

NEW DONORS IN CZ-SI CRYSTALS

直拉硅单晶中新施主(ND)的形成不仅依赖于其氧含量,而且为碳的存在所促进;此外,原生晶体中的微缺陷也起非常重要的作用。我们求出的新施主能级分别为E_(ND)(Ⅰ)=50±5meV,E_(ND)(Ⅱ)=100±10meV(对于P 型单晶)以及E_(ND)(Ⅲ)=25meV(对于N 型单晶)。     

调制掺杂Al_xGa_(1-x)As/GaAs异质结持久光电导的光谱响应

本文在77 K下研究了调制掺杂 n-Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs异质结持久光电导的光谱响应.结果表明,掺 Cr GaAs衬底中Cr深能级上电子的激发和 Al_xGa_(1-x)As中DX中心的光离化都产生持久光电导.     

砷化镓中缺陷阴极荧光的时间分辨研究

扫描电镜阴极荧光技术不但有空间分辨的优点,也易于实现时间分辨。本文介绍延迟符合技术和利用该技术对砷化镓材料中缺陷荧光衰退过程的测量和分析。延迟符合技术原理示意于图一。以第一个光子事件为始脉冲、再设定一个终脉冲,其时间差由时间—幅度变换器检测,再转变为数字讯号存储在多道分析器(MCA)的相应道中。这样MCA中每一道的计数即代表在nΔt时刻,时间间隔Δt内光子发射的几率。这里n是道的序数,Δt是每一道的宽度。在适当的实验条件下,MCA输出的统计直方图就代表荧光衰弱的过程,由于采用(Sl阴极)光电倍增管探测及光子计数技术,有利于探测微弱讯号。     

与GaAs中EL2能级有关的局域振动中心的模型计算

本文试图对与EL_2中心有关的局域模振动的一个最新测量结果给予解释,认为一个填隙的(或偏心代位的)氧原子可能是产生这些局域模振动的原因.设计了一个简单的模型.并在双心键理论的基础上,进一步考虑了晶格弛豫,对模型进行了估算,发现产生所观察的局域模振动是完全可能的.这个分析强烈暗示氧与所观测样品中EL2中心的关系.