Hg_（1－x）Cd_xTe的扫描光致发光研究

用傅里叶变换红外扫描光致发光方法研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ体单晶样品，该方法可直接得到ＨｇＣｄＴｅ晶片组分的二维平面分布，并可得到辐射复合在复合机制中所占比重的平面分布，以及晶体中非平衡载流子寿命的分布     

高功率高效率封离式室温CO分子激光器

CO分子激光器是5微米附近连续输出功率最强的激光器之一,它在大气污染探测、分子光谱研究,以及作为诸如自旋反转喇曼激光器泵浦源等方面可望有广泛的应用前景。 CO分子激光器的增益系数随着工作气体温度升高而迅速降低,因此,CO分子激光器通常是采用液氮冷却放电管,或者使用高速流动工作气体的办法来实现激光振荡,获得高功率输出。无疑,这种工作方式对一切实际应用是不方便的。     

激光束感应电流法研究HgCdTe电活性缺陷和焦平面器件的光电特性

用高分辨率的、非破坏的光学表征技术的激光束感应电流研究碲镉汞(MCT)晶片中电活性缺陷和光伏型红外碲镉汞焦平面器件及光伏型硅光电器件P-N结光电特性,实验表明在MCT晶片中探测到激光束感应电流,在光伏型P-N结构的器件中,观察到周期结构的激光束感应电流分布.定性地观察激光束感应电流图谱以及定量地分析单个P-N结的感应电流分布形状可以判断器件的均匀性和器件的质量.     

激光束感应电流法研究HgCdTe电活性缺陷和焦平面器件的光电特性

用高分辨率的、非破坏的光学表征技术的激光束感应电流研究碲镉汞（MCT）晶片中电活性缺陷和光伏型红外碲镉汞焦平面器件及光伏型硅光电器件P－N结光电特性,实验表明在MCT晶片中探测到激光束感应电流,在光伏型P－N结构的器件中,观察到周期结构的激光束感应电流分布。定性地观察激光束感应电流图谱以及定量地分析单个P－N结的感应电流分布形状可以判断器件的均匀性和器件的质量。     

同时测量光电导响应和少子寿命分布的两个半导体激光器的组合使用

介绍使用两个红外半导体激光器，一束为可调谐Ｐｂ１－ｘＳｎｘＴｅ激光．另一束为ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ激光，经光学系统均会聚成φ２５０μｍ的小光点，且将二光斑成象在同一位置上．实验测量了光斑的尺寸，最后用此光学系统研究了窄禁带半导体Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ的稳态光电导响应和少子寿命分布．     

Hg_(1-x)Cd_xTe的稳态光电导响应和瞬态响应分布研究

研究了Hg_(1-x)Cd_xTe的稳态光电导响应和瞬态响应的均匀性,用可调谐连续Pb_(1-x)Sn_xTe激光测量稳态光电导,用GaAs/GaAlAs脉冲激光激发瞬态光电导.将两束激光会聚成直径约250μm的光斑,使两光斑恰位于光导型地Hg_(1-x)Cd_xTe样品前表面的同一点上,测量了样品光电导响应分布和相应光生载流子寿命分布.实验表明,稳态光电导响应分布的均匀性大大低于光生载流子寿命分布的均匀性,并对结果进行了讨论.     

简单稳定可调谐TEA CO_2激光器

TEA CO_2激光器是高功率激光器。目前已成为分离同位素、研究超精细光谱、等离子体物理以及非线性光学等非常有用的工具。TEA CO_2激光器目前在国内外有几种不同的结构。我们使用的一种结构是这样的:激光器的主放电电极由一对铝制的儒可夫斯基型电极组成,尺寸为600×100×20 mm~3,中间平坦部分为500×40 mm~2,边缘部分呈儒可夫斯基剖面状,两个电极间距为26.5 mm,平行     

室温选支一氧化碳分子激光器

一氧化碳激光器建立粒子数反转主要是依靠非谐泵浦,在相邻的振转支跃迁上,连续发射波长在5～6微米范围的激光,其中任一振转支的出现与气体温度、谐振腔耦合系数等有密切联系。在通常情况下有十几条谱线同时参与振荡,然而在实际应用上,比如作分子光谱的研究、大气污染检测、泵浦自旋喇曼反转激光器、塞曼效应的研究等需要的往往是具有一定功率水平的单一波长激光,这就需要作所谓选支一氧化碳激光器。目前一氧化碳激光器采用的一种选支办法是将色散元件如光栅或氟化钙棱镜作为构成腔的元件,在单线上获得激光振荡,并且波长可在一定的范围内调节,然而采用这种方法输出的功率和效率将明显减少到未作选支的30％。