晶化温度对铁铝复合吸附剂除磷效能影响

考察了不同晶化温度下制备的铁铝复合吸附剂去除PO_4~(3-)-P的性能以及pH值和共存干扰离子CO_3~(2-)对其吸附去除PO_4~(3-)-P性能的影响.结果表明,晶化温度对铁铝复合吸附剂去除PO_4~(3-)-P的性能有显著影响,较低晶化温度下制备的铁铝复合吸附剂去除PO_4~(3-)-P效果明显优于高温制备的吸附剂;晶化温度的升高使晶体本身结构发生变化,导致比表面积降低,是其吸附性能下降的主要原因;较低晶化温度下制备的铁铝复合吸附剂去除PO_4~(3-)P的性能受pH值影响较小,对水质适应性强;共存离子CO_3~(2-)-对铁铝复合吸附剂去除PO_4~(3-)P的性能具有强抑制作用,应用中应该尽量避免这种负面干扰作用的存在.     

铁铝复合吸附剂去除水中痕量磷效能及机理

考察了铁铝复合吸附剂去除水中痕量磷的效能,并采用粒度分析、Zeta电位测定及能谱分析等手段对其吸附除磷机理进行探讨.结果表明,该吸附剂具有高效吸附除磷效能,明显优于同等条件下Fe_2O_3和活性氧化铝(γ-Al_2O_3),初始ρ(PO_4~(3-)-P)=0.3 mg/L时,其吸附容量比Fe_2O_3和γ-Al_2O_3分别提高了近1.5倍和2.5倍.该吸附剂具备超细粉体的特征,比表面积达184.45 m~2/g,是Fe_2O_3的9.15倍.Al元素的嵌入、制备过程中.研磨粉碎导致的晶格错位及微晶化是其对磷高效吸附的一个主要原因.其0电荷点为6.2,水处理过程中.在吸附剂表面同时存在非特性吸附和强特性吸附是其对磷高效吸附的另一个主要原因.     

苹果口味电子烟液挥发性成分比较分析及仿配研究

为研究苹果口味电子烟液致香成分,采用直接进样结合GC-MS方法对三款苹果口味电子烟液进行挥发性成分分析。结果表明,三种样品共鉴定出74种挥发性成分,样品A共鉴定出45种,样品B共鉴定出49种,样品C共检出44种。三种电子烟液中共同成分物质24种,A样品含特有成分7种,B样品含特有成分14种,C样品含持有成分9种,感官评吸结果为B>A>C。通过仿香实验,成功研制出一款具有清新青苹果天然香气的新型电子烟液。     

一种软件定义网络中基于蚁群算法的一致性路由策略

软件定义网络通过对交换机下发流表项实现数据平面的更新,但流表项的安装具有时延,可能导致部分数据分组被错误地处理或丢弃。对此,提出一种基于蚁群算法的一致性路由策略,在路由参数中加入不一致时延,并通过控制器对流表的下发顺序做出调整,避免了在数据分组传输过程中,交换机控制逻辑的不一致。实验结果表明,与最短路径算法相比,出现不一致问题时,该策略所选路径的实际时延小于最短路径算法的时延,数据分组丢失率、错误转发的概率明显降低。     

电喷雾矩形离子阱质谱仪的初步研制

主要介绍了自行研制的电喷雾矩形离子阱质谱仪样机,该仪器由ESI离子化源、离子传输系统、矩形离子阱质量分析器、三级梯度真空系统和信号采集处理系统构成.本文对电喷雾矩形离子阱质谱仪各个组成部分的作用和结构给予了详细的说明,同时也给出了经过优化的仪器操作条件.最后,给出了电喷雾矩形离子阱质谱仪样机的一些实验结果和主要性能指标,其中质量范围已超过m/z 600,分辨率优于300.这表明我们已经取得了电喷雾矩形离子阱质谱仪研制的初步成果.     

关于网页设计当中对Flash动画的应用研究

本文首先对于Flash动画的相关概念与特点进行论述,然后更进一步的论述Flash动画的相关应用以及交互性设计,相信本文所做的研究,能够让Flash动画有着更加广泛的应用范围。     

发电厂应用电气监控管理系统的优点

文章介绍了发电厂应用电气监控管理系统的优点,并分析了电气 系统控制的特点。     

一种变压器套管末屏放电超声检测装置的研究

针对目前变压器套管末屏放电带电检测技术不足的问题,文中研究了一套操作简单、适于巡检的便携式套管末屏放电带电检测装置,该装置采用实时非接触探测放电信号的方法,通过观察信号波形、放电量大小和频谱变化判断故障的发生与否,从而能够及时精确地发现故障位置。文中详细阐述了该装置的软硬件结构和软件关键原理,同时实验研究出使用该装置对末屏放电诊断的综合方法,为放电缺陷的带电巡检提供了技术支撑,对保障变压器安全稳定运行具有重要意义。     

基于编程电流/电压的相变存储器写驱动电路

相变存储器发生相变时各个单元存在差异性,为了改善其写入数据时的可靠性及芯片的成品率,设计了一种可分别用电流扣电压脉冲编程的写驱动电路.针对相变存储器SET过程的特性,写驱动电路可有选择地产生电流阶梯波或电压阶梯波.设计采用SMIC 130 nm CMOS标准工艺库.对相变存储单元进行了测试,结果表明,用电流梯度波写驱动电路替代传统单一脉高电流脉冲波写驱动电路,相变存储器的低阻分布更加集中,可提高实验芯片的成品率.     

一种新型低漏电ESD电源箝位电路

在到达纳米级工艺后,传统的静电放电防护(ESD)电源箝位电路的漏电对集成电路芯片的影响越来越严重。为降低漏电,设计了一种新型低漏电ESD电源箝位电路,该箝位电路通过2个最小尺寸的MOS管形成反馈来降低MOS电容两端的电压差。采用中芯国际40 nm CMOS工艺模型进行仿真,结果表明,在相同的条件下,该箝位电路的泄漏电流仅为32.59 nA,比传统箝位电路降低了2个数量级。在ESD脉冲下,该新型ESD箝位电路等效于传统电路,ESD器件有效开启。