室温长波MCT探测器研究

介绍了昆明物理所对室温长波Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ光导探测器研究的进展情况。采用ＭＣＴ体晶材料已制备出室温８～１４μｍ光导探测器，其λｃ＝１１．６μｍ，Ｄ＊＝１．１６×１０７ｃｍＨｚ１／２／Ｗ。     

Y-Ba-Cu氧化物的超导电性

本文介绍了在不同工艺条件下制备出比较稳定、重复性好的Y-Ba-Cu氧化物超导体,在液氮温区观察到了零电阻和迈斯纳效应。经R—T和X—T测量表明,多数样品超导起始转变温度T_(onset)>110K,零电阻温度T_(?)≥90K,中点转变温度Tc(mid)可达96K,温度转交宽度△T_(?)(90％～10％值)一般为1～4K。用水、乙醇、丙酮、甲苯等浸泡以及用盐酸、硝酸、CP_(4B)等溶液腐蚀样品后,经R—T测试,结果表明样品在液氮温区没有失去超导性。     

双色红外探测器研究

为适应遥感、遥测及精确制导技术的发展,我们已研制出一定性能的CdS/HgCdTe(0.3～0.5μm/3～5μm)、Si/InSb(0.3～1.05μm/3～5μm)、Si/HgCdTe(0.3～1.05μm/3～5μm)、HgCdTe/LiTaO_3(3～5μm/8～14μm)、HgCdTe/HgCdTe(3～5μm/8～14μm)等多种双色红外探测器。其中HgCdTe/HgCdTe(3～5μm/8～14μm)光导双色探测器的峰值探测率D~*(5.1,980,1)=2.1×10~(10)cmHz~(1/2)/W,D~*(9.8,980,1)=8.1×10~9cmHz~(1/2)/W, 峰值响应率R(5.1,980,1)=1.3×10~4V/W,R(9.8,980,1)=373V/W。文中介绍了双色探测器的设计、结构、制备及器件的性能水平。     

阳极生长温度对n—(Hg,Cd)Te纯氧化物的影响

增加Cd_0.23Hg_0.77Te阳极氧化温度,能够大大改善其纯氧化物的绝缘性能。我们首次在50℃的标准乙烯乙二醇——KOH——电解液中生长出了阳极氧化物。这种氧化物的高频(1 MHz)电导率比室温生长的氧化物要低一个数量级。高的击穿电压(1.5MV/cm)和低的滞后位移(50mV)便显示出了上述结果。氧化物的其它参数,如固定电荷和快表面态以及良好的直流电阻率等,实际上保持不变,但低于室温生长的氧化物是极不稳定的。     

双色红外探测器

本文综述了双色(多色)红外探测器的研究发展状况。介绍了器件的研制结构形式以及目前达到的性能水平。简述了双色红外探测器在军事、工农业等方面的应用。     

阳极氧化法显示InSb P-N结的结剖面

利用InSb晶片阳极氧化时的氧化速率依赖于晶片的载流子浓度这一特性,成功地显示出InSb扩散结剖面及其形貌,并由此测出了在不同条件下Zn,Cd在InSb中扩散的P-N结深度。     

Zn,Cd在InSb中的扩散

研究了Ｚｎ、Ｃｄ源量对ＩｎＳｂ扩散结深的影响。在相同的扩散条件下，扩散源Ｚｎ、Ｃｄ的量少于一定值时，结深将随源量减少而急剧减少，此一定值随扩散温度的升高而增大，但当扩散源量大于该定值后，结深则与源量无关。     

Y-Ba-Cu氧化物高温超导体的X射线衍射分析

对具有不同名义配比及不同烧结条件下形成的Y-Ba-Cu氧化物进行了X射线结构分析。所得实验数据表明:具有较好超导临界参量的样品所含金属Y-Ba-Cu的配比为1∶2∶3,化学组成为YBa_2Cu_3O_(9-x),属畸变的正交钙钛矿型结构。单胞基矢α_(?)=3.821A,6_(?)=3.891A,c_(?)=11.675A,单胞体积V=173.57A~3。当样品中所含金属的比例偏离1∶2∶3时,其X射线衍射谱由多相物质的衍射峰组成。分析还表明:超导性的强弱与衍射峰的强度相关;超导相的形成与否,热处理条件至关重要。     

阳极氧化法显示InSbPN结剖面

PN结深度是制备半导体器件的所需重要参数之一。要测量结深,通常须把结剖面显露出来;一般采用的化学染色法,对于很多半导体都是适用的,并已成功地用于PN结研究,但是很难显示InSb的结剖面。IuSb晶片在KOH、NaOH等电解液中阳极氧化时,其氧化速率与样品掺杂浓度密切     

碲镉汞光导探测器的变温测试

报道了ＨｇＣｄＴｅ光导探测器光电参数随温度变化的关系，重点描述了光谱响应变温测试，给出了ＨｇＣｄＴｅ器件从液氮到室温 之若干个不同温度点测试的光谱响应曲线及器件变温测试的性能参数对照表，并与经验公式计算结果进行对比，给出了相应的测试误差分析。