高反膜的计算机模拟及对实践的指导意义

本文利用计算机对多层介质高反膜反射谱的模拟发现,当构成高反膜系的高、低两种折射率材料的光学厚度不一致时,反射带两侧的第一个谷值的大小将不同,据此作者认为在高反膜镀制时可根据反射带两侧第一个谷值大小情况来调节高反膜中单层膜厚度,实验结果证明了模拟结果的正确性,同时也确证了作者提出的这种方法是可行的。     

电子束蒸发非晶硅光学薄膜工艺研究

研究了沉积时真空室真空度、基片温度和沉积速率对常用电子束蒸发非晶硅(a-Si)光学薄膜的折射率和消光系数的影响。结果表明,在300~1100nm的波长范围内,真空室真空度、基片温度和沉积速率越高,则所得a-Si薄膜折射率越高,消光系数越大。并将实验结果用于半导体激光器腔面高反镜用a-Si膜镀制,发现在选择初始真空为1E-6×133Pa、基片温度为100℃和沉积速率为0.2nm/s时所得高反镜的光学特性比较好,在808nm处折射率和消光系数分别为3.1和1E-3。     

808nm大功率半导体激光器腔面光学膜工艺

用电子束蒸发离子辅助镀膜方法为808nm大功率半导体激光器镀制了SiO2/TiO2高反膜及SiO2或Al2O3减反膜,结果表明镀膜后激光器外微分量子效率明显提高(由0.7提高到1.24),而且可在一定范围内调节阈值电流密度,器件寿命也有很大提高.对这种方法所镀制的SiO2/TiO2膜用作808nm半导体激光器高反膜的可行性进行了分析和探讨,认为是一种可行的方法.     

半导体激光器结温测试研究

提出了一种测试结温的简便易行的新方法,用此方法能够较准确地测量出激光器在直流工作时的结温.通过改变环境温度得到激光器正向电压的温度系数dVf/dT,再改变电流应力测得正向电压随电流的变化率dVf/dI.其中,由理论计算得到dVf/dT推出的温度随电流的变化率ΔT/ΔI为31.9 ℃/A,由实验得到dVf/dT推出的ΔT/ΔI为37.2 ℃/A.把这两者和常规的波长漂移法得到的结果ΔT/ΔI ≈29.7 ℃/A进行比较,结果基本一致,从而证明了新方法的可行性.     

射频溅射法镀LD腔面光学薄膜的工艺研究

介绍了用普通多靶射频溅射台镀半导体激光器腔面光学膜的工艺方法,给出了实验的工艺条件、采用的光学膜的材料以及具体的工艺参数,讨论了此方法镀光学膜的结果以及优点。     

电子束蒸发Ar离子辅助沉积Si光学薄膜的特性

对用常规电子束蒸发和Ar离子辅助沉积所得的非晶硅光学薄膜的光学常数、表面形貌、热稳定性和湿度稳定性等进行了研究.结果发现Ar离子辅助沉积所得非晶硅光学薄膜的折射率大大提高,表面粗糙度明显降低,湿度稳定性和热稳定性也得到较大改善,但是光学带隙变窄,光学吸收增加.     

离子源放电电流对真空室压力影响机理研究

揭示了真空室压力随离子源放电电流增长，而且在不同的气流速率时的增长率不同这一现象，并对其机理进行了分析，认为真空室压力随放电电流的增长主要是离化粒子束流密度的增长引起的，当然离化粒子的平均能量的增长也起了作用，而在不同气流速率时该压力增长率的不同则主要是因为在不同的气流速率时离化率不同。     

808nm半导体激光器腔面硫钝化工艺研究

对808 nm大功率半导体激光器腔面硫钝化处理的工艺进行了研究,发现腔面硫钝化可以提高激光器的输出特性以及其可靠性,输出功率提高了16.7%;经过1 500 h老化实验后,硫钝化的半导体激光器没有明显退化,而未处理的激光器退化严重,输出功率降低了36.8%。实验表明,硫钝化时间对激光器钝化效果有很大影响,激光器腔面硫钝化时间过长会造成其损伤,使其可靠性反而下降;硫钝化5 m in效果为最佳。     

LD条宽对激射波长影响的研究

报道了LD激射波长会随条宽发生明显变化.对有相同外延生长结构和制作工艺、不同条宽的960 nm LD的激射波长进行研究发现,条宽为130、100、75和50 μm的器件的激射波长依次变短.进一步分析认为,这是因为条宽变窄导致器件阈值电流密度、阈值载流子密度变大造成的.根据GaAs材料在不同注入载流子密度下的增益谱及器件条宽变化对阈值载流子密度的影响,可以对实验现象进行合理的解释,从而在器件研制中可通过改变条宽对器件的激射波长在一定范围内进行调节.     

LD内损耗测试新方法

提出了一种新的测试LD内损耗方法，它通过对后腔面镀高反膜，并对前腔面镀不同反射率增透膜，然后根据外微分量子效率倒数1／ηo与1／1n[1／（RfRr）的线性关系（Rf和Rr分别为前后腔面反射率）求出内损耗值。这样可以消除常用的测试LD内损耗方法中因管座反射带来的误差，使误差降低达15％。