HgCdTe材料费密能级随杂质浓度的变化

分析了HgCdTe材料中杂质浓度与费密能级的关系。根据Kane三能带模型和费密-狄拉克统计,直接利用电中性条件n-P_1-P_-P_3=N计算了在不同杂质浓度下包括高浓度简并状态下的费密能级位置,式中n、P_1、P_2、P_3分别为电子、重空穴、轻空穴、自旋分裂价带空穴的浓度,N为电离的杂质浓度,在具体计算中假设杂质全部电离。最后讨论了Burstein-Moss效应及其在应用中的影响,由直接跃迁准动量守恒及Kane的非抛物性能带,计算了光电导响应截止波长对杂质浓度的依赖关系。     

本征光电导器件的最佳厚度

引言对于本征光电导器件,许多作者都进行过理论计算,但只有Kruse比较详细地计算了探测度并讨论了探测度和器件厚度的关系。Kruse作了无限吸收的假定,因此在计算结果中,器件的最佳厚度与吸收系数无关,而且当前后表面的表面复合趋于零时,器件的最佳厚度为零。Kruse考虑到了由于作了无限吸收的假定,他的结果不适用于薄器件。目前,许多光电导器件的厚度已在10μ下,对于薄器件,其最佳厚度怎样选定,至今仍无恰当的理论     

τ_n■τ_p的光导器件的探测率

我们取消了τ_n=τ_p的条件,取消了无限吸收的限制,考虑了表面复合,得到了本征光导器件探测率D_4的表达式。 在本文得到的D公式中,出现了τ_(PEM),但公式中这个量的影响很小,完全可以略去。 计算表明,77°K、P型InSb光导器件,在通常的表面复合速度下,最佳厚度约3μm。D_A随多数载流子浓度的降低而增高,但由于背景限制,过低的浓度非但困难,也无必要。     

后表面对光导器件性能的影响

本文导出了更普遍的■_λ及D_λ~*公式。推导中取消了α→∞及τ_n=τ_p的条件,且考虑了后表面反射的影响。本文用得到的公式计算了后表面对Hg_(1-x)Cd_xTe光导器件的影响,结果既不同于Szmulowicz,也不同于Kruse。     

~(19)F~+离子注入Pb_(1-x)Sn_xTe,CdTe和Si材料中氟的深度分布研究

采用共振能 E_R=872.1 keV,宽度 Γ=4.2 keV的~(19)F(P,αγ)~(16)O共振核反应测定了~(19)F~+离子注入Pb_(1-x)Sn_xTe、CdTe和Si衬底中氟的深度分布.用参考函数和参数优选法对实验测得的激发产额曲线进行去卷积计算,从而求得了氟的真实深度分布,同时确定了~(19)F~+离子注入Pb_(1-x)Sn_xTe、CdTe和Si材料中投影射程分布参数 R_p,△R_p和 SK.理论上计算了上述射程分布参数.实验与理论结果比较表明.R_p和△R_p的实验值与理论值符合得较好.文中讨论了利用共振核反应技术研究低速离子在固体材料中阻止本领的可能性.     

用黑度计解译陵县盐碱地分布

利用Zeiss G-II型黑度计测量卫星象片的密度,进行密度分割。测量中用方孔取代黑度计测量狭缝。由1976年10月26号德州幅卫片,得到德州地区陵县的密度分割图。根据土壤类型、土壤含水量和植被复盖率对黑度值影响的主要因素,测得不同土壤、不同含水量的光谱特性,通过定量分析,建立了解译标志,得到陵县土壤分布图。经过实地验证,基本符合当时当地情况。     

表面复合对HgCdTe光导器件的影响

本文用我们曾导出的探测率D_λ~*公式计算了表面复合对HgCdTe光导器件的影响。计算结果表明:对77K、8～14μm和300K、3～5μmHgCdTe光导器件,表面复合速度应降到10~3cm/s以下,否则,D_λ~*将明显下降。随表面复合速度的增加,D_λ~*下降,而最佳厚度增大。本文计算得到了这三者之间的关系。     

Cd_xHg_(1-x)Te中离子投影射程分布矩的计算

本文采用符合于WHB势的核散射函数计算了离子Al~ 、P～ 、S～ 、Zn～ 、Ga～ 、As～ 、Sb～ 注入Cd_xHg_(1-x)Te衬底的投影射程分布的一次至三次矩,并由这些矩给出了投影射程的分布参数——平均投影射程Rp、平均投影射程的标准偏差ΔRp和射程分布的歪斜度(β1)~(1/2)。Al～ 离子的能量范围为50keV～1MeV、其他离子的能量范围为5keV～500keV。结果表明,本文提供的计算值在LSS约化能量ε≥0.5时与Ryssel等新近的计算结果符合得较好,而在低能端,我们得到的Rp值比他们的显著地大。本文也简要地讨论了利用计算得到的射程参数构造注入离子浓度分布的方法。