新型LTCC高隔离低插损3dB90°电桥设计

基于宽边耦合带状线结构,该文设计了一种基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术的高隔离低插损3 dB 90°电桥。该电桥使用螺旋耦合线有效地减小了器件尺寸,同时以对称式结构建模更便于后期的优化调整。在宽边螺旋耦合带状线垂直方向引入一个伸入式可调隔离电容,极大地提高了该电桥的隔离度,使其可达27 dB,且插入损耗≤0.2 dB,较之传统的定向耦合器结构,其在提升性能的同时大幅减小了器件尺寸。对耦合线直角拐弯处的电场强度进行分析与优化,采用45°斜切的方式使拐角处的电场强度与直线处大致相等。对上接地金属板进行环形镂空处理,这将改善带内的幅度平衡度。该文设计的3 dB 90°电桥通带为0.96~1.53 GHz,插入损耗≤0.2 dB,幅度平衡度≤±0.7 dB,相位平衡度为90°±1°,隔离度≥27 dB,其具有良好的应用市场。     

C波段WLAN通信系统高性能LTCC滤波器小型化设计

设计了有一种基于低温共烧陶瓷（LTCC）工艺的小型化高性能带通滤波器。该滤波器采用集总参数形式,通过加入多级LC谐振,在滤波器近端增加多个传输零点来增加其在近端的抑制。经过电磁仿真优化,实际加工滤波器的测试结果与软件仿真相吻合。滤波器通带为5500MHz~5900MHz,其插入损耗小于2.5dB,在5500MHz抑制大于15dB。该滤波器已经在一些WLAN模块中得到使用。     

基于LTCC的超宽带巴伦滤波器小型化设计

该文设计了一种基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术的小型化超宽带巴伦(Balun)滤波器。该巴伦滤波器由一个五阶带通滤波器和基于Marchand巴伦改进型巴伦级联组成,带通滤波器采用耦合谐振式的设计方法,设计成宽带高抑制巴伦滤波器,在二阶、三阶和四阶谐振之间创新采用电感级联的拓扑结构,使相对带宽在48%以上。巴伦输入与输出之间的耦合采用一种并联堆叠式耦合螺旋传输线,增强了传输线之间的耦合,并拓宽了巴伦的带宽。结果表明,该巴伦滤波器通带为1.71~2.76 GHz,插损均小于2.3 dB;在50~669 MHz,抑制大于35 dB;在669~1 245 MHz,抑制大于17 dB;在3 205~3 400 MHz,抑制大于27 dB;在3 400~6 000 MHz,抑制均大于30 dB。两个输出端口信号的相位差和幅度差分别为180°±15°(1 710~2 340 MHz)、180°±10°(2 500~2 760 MHz)和±1.0 dB,具有较高的通用性和良好的应用市场。     

无源互调测试系统接触点的误差评定

随着通信系统快速发展,对无源器件互调值精确度的要求不断提高,无源互调测试系统中原本被忽略的接触点的相互影响造成被测器件互调值偏差这一问题变的日益重要.针对该问题,把接触点的相互影响简化为多个连接器相连(接触)的模式,根据多连接器相连接的数学模型,建立起了无源互调系统接触点导致的误差分析模型.采用工作在900 MHz频段的2台互调仪,分别对8个被测件,每增加1个DIN7/16的连接器做20次测试,直到连接器增加至7个.测试结果表明,由于连接器的接触点的影响将导致被测件互调指标测试结果远远超过标称值,采用所建立的误差分析模型进行修正,可以使被测件的互调指标控制在无源器件所要求的精度内.     

同轴腔体双频合路器设计与实现

提出了一种同轴腔体的双频合路器的设计,采用方腔同轴结构构成的并联带通滤波器来实现.运用综合加优化的方法(以路仿真和场仿真、优化相结合的方法)得出合路器两路滤波器的耦合和输入输出结构参数,并进行了加工制作及测量,得到的仿真和实测结果基本一致.     

C波段超宽带微型LTCC带通滤波器设计

基于低温共烧陶瓷(Low temperature co-fired ceramic,LTCC)技术设计了一款C波段超宽带、高抑制的带通滤波器,并通过LTCC技术对滤波器进行加工制作,满足了小体积、高性能、密集封装的应用需求。滤波器整体上采用了低通滤波器与高通滤波器串联的结构实现超宽通带,并引入传输零点来增加带外抑制,采用垂直叉指电容和双层螺旋电感来减少滤波器体积。最终实现的滤波器通带的中心频率为5.3 GHz,带宽为3 GHz,通带内插损小于0.8 dB,在DC～3 GHz处抑制达到了36 dB,在8～14 GHz处抑制达到了35 dB,通带回波损耗为12 dB。滤波器体积为：1.8 mm×1.0 mm×0.7 mm。     

双波段高抑制的LTCC微型双工器设计

该文设计了基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术的双波段高抑制、低损耗的双工器。该双工器由低通滤波器和带通滤波器组成,且在低、高频段的阻带抑制方面运用了传输零点理论,在实现双工器低损耗的同时,也实现了在多波段的高抑制,提升了双工器的性能。该双工器在低频段(0.68~0.95 GHz)及高频段(1.43~2.40 GHz)时插损均小于1.2 dB,但在1.43~2.40 GHz时双工器抑制大于20 dB,0.68~0.95 GHz时双工器抑制大于15 dB。在4.9~5.9 GHz时双工器抑制大于13 dB,具有良好的市场应用前景。