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非晶硅(氢)——α-Si:H的光诱导亚稳效应——Staebler-Wronski效应,由于它对材料基本性质研究和实际应用方面具有重要意义,近几年来受到极大的重视。作者最近发现了一种新的亚稳效应,即样品在长时间光照后,其氢硅键的红外吸收特征峰会显著增大,而退火可以使其恢复至接近于原来的数值。并提出一个简单的模型试图解释这种效应的机 相似文献
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本文报告了LPCVD 制备的掺硼硅薄膜结构和物理性质分析,发现掺杂比R 在1×10~(-5)—4×10~(-2)的范围内,材料可划分为三种不同的相结构区:非晶态硅(a-Si)、非晶态硅-硼合金(a-Si∶B)和非晶态微晶硅(μc-Si)。物理性质测量也发现三种不同的结构区具有不同的特性和氢化规律。在a-Si∶B 区,霍尔系数符号是空穴导电的正号,而μc-Si 区材料进入简并状态。氢化明显地改善了材料的物理性质和掺杂效率,但对于重掺杂微晶区材料,氢化似乎使掺杂效率降低。 相似文献
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本文报告了 LPCVD 制备的掺硼硅薄膜结构和物理性质分析,发现掺杂比 R 在1×10~(-5)—4×10~(-2)的范围内,材料可划分为三种不同的相结构区:非晶态硅(a-Si)、非晶态硅-硼合金(a-Si∶B)和非晶态微晶硅(μc-Si)。物理性质测量也发现三种不同的结构区具有不同的特性和氢化规律。在 a-Si∶B 区,霍尔系数符号是空穴导电的正号,而μc-Si 区材料进入简并状态。氢化明显地改善了材料的物理性质和掺杂效率,但对于重掺杂微晶区材料,氢化似乎使掺杂效率降低。 相似文献
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<正> Staebler和Wronsiki于1977年发现a-Si∶H样品在长时间强光照射以后会引起光、暗电导率降低,而在150℃以上的温度下退火能得到恢复.以后人们又发现强光曝照还会诱导a-Si∶H的其它一些性质的改变:光致发光光谱、电子自旋密度、能隙的态密度变化、扩散长度、太阳电池性能等的变化.这种光致特性变化在硫属玻璃中早有发现,并曾被归因于不同的局部性质,如孤对非键合轨道.但是,这些机理显然不适用于非晶态硅这类四面体键合材料.加之这种亚稳态对器件的性能影响极大,因此,近年来受到广泛的重视,进行了大量的研究工作,对此现象的来源和作用机理提出种种的模型,但至今尚未得到公认的合理结论. 相似文献
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良好的抛光表面,对改善硅器件性能起着重大作用,本工作特别研究了经过等离子体抛光(干式加工)后硅的表面特性。实验表明,经过等离体抛光后,硅的原始表面损伤密度可减至最少程度,只剩下个别特别深的伤痕。相应的电子衍射实验发现与这些机械损伤相联系的带点的衍射环,随着抛光的加深而逐渐减少,当抛光深度足够深并经过氧化后,表面的机械损伤可基本消除,相应的衍射花样则是典型的硅单晶的衍射图。 其次,等离子体抛光后的样品能改善由此所形成的Si-SiO_2系统的一些电学性质,发现: ①在此抛光面上热氧化生成的SiO_2薄层的耐压强度有所提高——对同一片子取样,最大击穿电场由没有抛光的约小于1×10~6v/cm提高到抛光后大于6×10~6V/cm。 ②由MOS电容测得表面储存时间Ts由毫秒数量级提高到大于10秒的数量级。 本工作还发现一个值得注意的现象,在这种射频辐射场中进行的干法抛光会在Si表面产生一定程度的“电损伤”,电子衍射花样表明这是一种表面结构损伤,随加工时间增长而增大,严重时可使表面几十至几百埃左右的一层晶格排列严重混乱,甚至变成接近多晶以至无定形状态。有趣的是,这种“电损伤”会对随后热氧化形成的Si-SiO_2系统特性带来直接影响,使其表面固定电荷Q_(ss)与界面态N_(ss)与不经抛光的样品比较,严重 相似文献
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通过对阳极氧化多孔Al2 O3 薄膜感湿材料的制备工艺及其电容湿敏特性进行研究 ,将阳极氧化参数对多孔Al2 O3 薄膜的结构和形态的影响与多孔Al2 O3 薄膜作为湿度传感器感湿材料的湿敏特性联系起来进行分析 ,为优化制备工艺参数提供更充分的实验数据 ,使新型多孔Al2 O3 薄膜湿度传感器具有更好的感湿特性。 相似文献
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多孔Al2O3湿度传感器的湿敏电容理论模型 总被引：4，自引：1，他引：3
建立了一种新型的多孔 Ａｌ２ Ｏ３ 湿度传感器湿敏电容模型,以电容作为感湿特征量的理论分析变得更加明确直接。该模型理论分析曲线与实际测量曲线吻合说明了其正确性。 相似文献
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本文提供了一种可控制掺氢量的a-Si氢化工艺,这种工艺是在高真空下,用射频氢等离子体(频率15MHz,功率几十瓦)将预先沉积好的纯a-Si薄膜进行处理,使氢原子进入a-Si薄膜中与悬挂键结合形成Si-H键.经过这样氢化处理后的a-Si,其红外吸收光谱各种振动模的强度及位置有一定的规律,且与氢化处理时间及温度有关.实验表明: 相似文献
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