PEG模板组装纳米TiO2多孔薄膜的制备

以钛酸丁酯为无机原料,加入高分子表面活性剂聚乙二醇(PEG)作模板剂,采用溶胶-凝胶工艺和浸渍-提拉技术在玻璃基片上制备了孔径在10 nm～1 000 nm范围内可调的纳米TiO2多孔薄膜.通过SEM,AFM,UV-VIS和N2吸附等测试手段对薄膜的多孔结构进行了表征.结果表明,通过调节溶胶中PEG的分子量和浓度,可以控制薄膜中孔的孔径及孔分布密度,有效提高薄膜的比表面积.此外还考察了提拉速度和焙烧制度对薄膜多孔结构的影响.     

SILAR法制备无机化合物薄膜

介绍了一种新的液相法薄膜制备工艺－SILAR法（连续离子层吸附反应法），该方法设备简单，成本低廉，成膜质量好。解释了它的非均相薄膜生长机理，对它的工艺参数影响以及研究应用情况进行了综合评述。指出了研究发展前景。     

ZnO薄膜的制备及其光学性能

以柠檬酸为络合剂、采用无机盐溶胶 -凝胶法 ,在玻璃基片上用提拉法制备了多孔ZnO薄膜。利用红外光谱、DTA -TG、XRD、SEM、UV -VIS透射等分析测试 ,考察了溶胶 -凝胶制备特征、热处理过程和热处理温度下薄膜的成相、表面形貌以及光学性能。结果表明 4 0 0℃热处理 1h的ZnO薄膜已开始晶化 ,晶型是六方纤锌矿 ;6 0 0℃热处理 1h的薄膜表面为多孔结构 ,粒径和孔径均匀 ;在可见光范围 ,薄膜的光透射率超过 85 % ,在波长 380nm开始出现紫外吸收 ;从而为该材料制作染料敏化的太阳能电池阳极薄膜打下良好的基础。     

模板组装纳米TiO2多孔膜及形成机理

以钛酸丁酯(TBTi)为原料，加入高分子表面活性剂聚乙二醇(PEG)作模板，采用溶胶-凝胶技术合成了孔径10～500nm可调的纳米TiO2多孔薄膜。扫描电镜(SEM)观察结果表明，合成过程中水含量增加形成的薄膜孔密度减小，而PEG加入量的增加，薄膜表面孔径和孔密度增大。通过红外光谱测试对溶胶-凝胶过程中发生的物理化学变化进行了系统的分析，初步探讨了薄膜多孔结构的形成机理。     

聚乙二醇含量对纳米TiO2多孔薄膜性质的影响

以钛酸丁酯为无机原料、二乙醇胺作稳定剂,加入聚乙二醇(PEG)作模板制备前驱体溶胶,通过溶胶-凝胶工艺和浸渍提拉技术在玻璃基片上制备了孔径在10～1000nm范围内可调的纳米TiO2多孔薄膜.通过ESEM,AFM,UV-VIS,N2吸附,XPS和XRD等测试手段研究了PEG(1000)的加入量对薄膜结构及性能的影响.结果表明,当100mL溶胶中PEG的加入量在4.0g左右时,可以得到三维扩展的多孔结构,孔的形状规则且分布均匀,孔径为200～500nm,薄膜比表面积可达76.1m2/g,而过多的PEG加入量反而导致薄膜性能下降.     

非水溶液SILAR法制备氧化钛薄膜

通过改变连续离子层吸附反应法(successive ionic layer adsorption and reaction,SILAR),在室温下,以TiCl4的乙醇溶液为前驱体,于玻璃衬底上制备了TiO2薄膜.使用扫描电镜对薄膜的表面形貌进行了观察,采用XRD分析了薄膜的晶体结构.该方法制备的薄膜致密、表面平整,沉积的薄膜为无定形态,550℃热处理为锐钛矿相TiO2.     

Dy_2O_3和La_2O_3掺杂对BaTiO_3铁电陶瓷介电特性的影响

对BaTiO3 和BaTiO3-Nb2 O5-Co2 O3 系组成进行了Dy2 O3 和La2 O3 稀土改性的研究 ,考察了该系统的介电温度特性和耐电性能 ,观察了样品的显微结构 ,讨论了Dy2 O3 和La2 O3 在改变BaTiO3 铁电温谱特性的作用 .结果表明 :Dy2 O3 和La2 O3 的掺杂效果存在差异 ,Dy2 O3掺杂明显促使BaTiO3 细晶化 ,而La2 O3 掺杂呈现出对BaTiO3 基介质材料的Curie峰更强的压峰和移峰效应 .在BaTiO3-Nb2 O5-Co2 O3-Dy2 O3 系统中可获取高介高压特性瓷料 ,其介电常数≈ 3 0 0 0 ,tgδ <1.5 % ,介电温谱符合“X7R”标准 ,击穿强度可达 7～ 8kV/mm     

添加SrO或SnO2对Ba4.5(Nd0.84,Bi0.16)9Ti18O54微波陶瓷介电性能的影响

对Ba4.5(Nd0.84，Bi0.16)9Ti18O54(BNBT)系微波陶瓷进行了组成改性的研究。添加不同量的SrO或SnO2于主相材料中，分别替代Ba或者Ti,合成条件为1100℃下保温3h，粉碎、成型后，在1270℃下保温3h烧成。在10GHz下用谐振腔法测量了材料的介电常数ετ。和机械品质因数Q，在20～90℃范围测量了频率温度系数τf。结果表明：Sr，Bi复合掺杂能够使BNBT材料保持较高的介电常数，同时Qf值（机械品质因数Q与测量频率之积)由5899GHz上升到9259GHz，而少量的SnO2添加有助于提高系统的介电常数并使τf值减小。     

ILGAR法制备CdS薄膜新工艺的研究

采用一种薄膜制备的新方法-离子层气相反应法(ILAR)，以CdCl2为前驱体，H2S为硫源制备了CdS薄膜。利用XRD、SEM、AFM、XPS及UV—VIS透射光谱等测试分析方法对薄膜的晶型、表面化学组成、表面形貌、膜厚增长速度及光学性能进行了研究。实验结果表明：ILGAR法制备的CAS薄膜表面较致密、均匀、附着性好；在0．05MCdCl2前驱体溶液浸渍处理，薄膜以-2．8nm／cycle的恒定速率增长，且薄膜晶体沿立方(111)面具有明显的择优取向生长；400℃热处理1h，发生立方→六方晶型转变，最终为六方与立方混相结构，择优方向转为六方(002)面；薄膜经热处理后在可见光处的吸收峰发生红移，其禁带宽度降低，并且会随着膜厚的增加进一步降低。     

连续离子层吸附反应法制备(Zn,Cd)S薄膜及其性能

采用液相薄膜制备工艺——连续离子层吸附反应法(successive ionic layer adsorption and reaction,SILAR),在室温下,使用混合阳离子前驱体于玻璃衬底上制备了(Zn,Cd)S薄膜．采用X射线光电子谱分析薄膜的成分,测定紫外透射光谱,分析不同成分对薄膜光电性能的影响,并使用环境扫描电镜对薄膜的表面形貌进行观察．实验结果表明：SILAR法制备薄膜的生长速率约为3nm／cycle。(Zn,Cd)S薄膜的成分偏离前驱体溶液中的n(Zn)／n(Cd)值,表现为Cd含量偏大,这与CdS和ZnS二者的溶度积不同有关。随着Cd含量的增加,薄膜的透射率和禁带宽度降低,电导率增大。通过控制前驱体混合溶液中不同阳离子间的比例可以得到带宽可调的复合硫化物薄膜。