MOS型硅功率器件的发展

本文介绍了以MOS技术为基础的新型MOS型硅功率器件的特点,性能水平,发展状况及面临的课题。     

MOS型硅功率器件平面终端结构

本文介绍了MOS型硅功率器件在平面工艺条件下常用的电场限制环以及场板终端结构的基本设计理论和设计方法,讨论了这两种结构的优化设计的一般原则。在此基础上探讨了平面工艺p-n结终端技术发展所面临的课题。     

玻璃钝化高压功率晶体管的研制

本文介绍了熔凝锌系玻璃钝化硅低频高压功率器件的工艺方法.对所研制的器件进行了几项可靠性试验,取得了满意的结果.     

500V VDMOS功率器件终端结构设计

本文论述了VDMOS器件的一种场板-分压环结合的终端结构。对1.5A/500V功率器件进行了分析和设计,并给出了终端电场分布的模拟结果。投片试制结果与设计预期参数相符。     

新型高频VDMOS功率器件的研究

作者采用一种新方法设计了可在高压下工作的高频VDMOS器件,该器件具有二级场板终端结构。通过在工艺上利用多晶硅选择氧化形成漏表面厚氧化层,不仅可以有效地减小C_(gd),而且可以减小C_(gs)。该方法简化了器件制作工艺并实现了自对准扩散。     

用深能级瞬态谱作半导体器件失效机理分析

本文是用深能级瞬态谱(DLTS)研究器件的失效机理.利用DLTS技术,区别是属于表面失效,还是属于体内缺陷引起为失效,并且还研究了深能级杂质对器件电参数的影响.发表于《1986年半导体和集成电路国际会议论文集》,北京     

硅片直接键合工艺中的热过程

本文介绍了一种利用硅片直接键合(SDB)技术制作Si/Si衬底的方法。从理论上研究了键合过程中的热过程,如键合界面区中氧的扩散和杂质的再分布。利用SDB方法制成了p-n~+二极管,其击穿电压为500V,正向压降略小于0.7V,测得的少子寿命约为7.5μs。     

速度检测专用芯片电路的设计

对具有周期性运动特点的物体，采用计量周期运动时间以及通过周期运动行程与周期运动时间的除法运算可获得其运动速度，本文所论述的就是基于这个思想而进行的一种检测速度的新型电路设计方法。该设计采用集成芯片电路的设计方法，电路可由单片集成电路实现。电路主要由周期计时电路、周期数据预置电路、运算电路及时钟和时序等电路构成。这种电路用于速度检测，具有检测范围广和检测精度高的特点，速度测量范围可覆盖三个数量级，电路处理误差小于千分之一。