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Ti/Al/Ni/Au与n型GaN的欧姆接触研究 总被引:5,自引:0,他引:5
通过电流 电压 (I V)特性和传输线方法 (TLM )测量研究在n型GaN上淀积Ti/Al/Ni/Au电极形成欧姆接触的机制。Ni/Au作为Ti/Al的覆盖层起了阻止Ti ,Al,Au的互扩散及抗接触层氧化的作用。在 4 0 0℃到 90 0℃范围内 ,Ti/Al/Ni/Au与n型GaN的接触电阻随温度升高先略有上升 ,到 5 0 0℃以后单调下降。而表面形貌却在合金温度高于6 0 0℃以后随温度升高逐步变差。通过两步合金法得到了n GaN上Ti/Al/Ni/Au形成的接触电阻低达 9.6 5× 1 0 - 7Ωcm2 。最后还对两步合金法形成n GaN欧姆接触的机制进行了讨论。 相似文献
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浅谈多媒体技术在《3ds max 7.0三维动画设计与制作》课堂教学中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
秦志新 《长沙通信职业技术学院学报》2008,7(2):61-63
多媒体技术具有集成性、交互性和可挖性的特点,在《3ds max 7.0三维动画设计与制作》课堂教学中应用多媒体技术可以激发学习兴趣,促进学生记忆,节约教学时间,提高教学质量。 相似文献
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近年来随着因特网的快速普及,如何快速准确地在海量图像中搜索到自己所需的图像显得十分重要。本文综述了基于颜色、纹理、形状图像检索技术的主要方法,讨论了性能评价方法,并指出了应用方向。 相似文献
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在沉积肖特基金属之前,对非掺的Al0.45Ga0.55N采用了不同时间的氟基等离子体处理,其中Al组分对应日盲波段。与未做氟基等离子体处理的样品相比,经过处理的Al0.45Ga0.55N肖特基二极管在反向-10V的漏电流密度随处理时间的增加而减少,其中处理1min的样品的漏电流密度减少了5个数量级。X射线光电子谱分析证明了处理过的样品表面Ga-F和Al-F键的形成。反向漏电的减少可能是由氟基等离子体处理耗尽了电子和有效钝化了表面态导致的。 相似文献
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采用纳米压痕方法,研究了AlN/sphire模板上的高Al组分AlxGa1-xN薄膜的力学性质,特别是弹性-塑性转变行为.研究表明,AlxGa1-xN薄膜的杨氏模量E随着Al组分的增加而增大,薄膜中产生塑性形变所必要的剪切应力也随着Al组分的增加而增大.在AlxGa1-xN薄膜纳米压痕实验中,观察到位移不连续的跳断("pop-in")行为,并且发现"pop-in"行为强烈依赖于Al组分,Al组分的增加导致这种行为的减少.我们认为随着Al组分的增加,AlxGa1-xN中键能的增强和由于AlxGa1-xN与AlN/sapphire模板之间晶格失配减少这两个因素增加了AlxGa1-xN中新位错形成的阻力,从而导致了AlxGa1-xN薄膜中的"pop-in"行为随Al组分增加而减少. 相似文献
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氧化对 GaN 基LED透明电极接触特性的影响 总被引:5,自引:5,他引:0
研究了热退火对InGaN/GaN 多量子阱LED的Ni/Au-p-GaN欧姆接触的影响.发现在空气和 N2气氛中交替地进行热退火的过程中Ni/Au接触特性显示出可逆现象. Ni/Au-p-GaN接触的串联电阻在空气中随合金化时间逐渐减小,在随后的 N2 中的热退火后会使该串联电阻增加,但在空气中再次热退火能使接触特性得到恢复.同时对Ni/Au-p-GaN 接触在空气中合金化过程中的层反转的成因进行了讨论. 相似文献
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MicrosoftOffice2010,是微软推出的新一代办公软件,相对于Office2003来说,界面有很大改变,新增加了Backstage视图、用户共同协作和共享文档、屏幕截图、粘贴预览等功能,又对功能区和语言进行加强,使操作更简便、快捷。 相似文献