国外异质结双极晶体管的发展

随着微波半导体技术的发展，近年来出现不少新结构、新器件。本文介绍国外异质结双极晶体管的发展，包括ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ，ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ，ＧｅＳｉ等开发现状和性能参数达到的水平。     

世界半导体市场预测

<正> 世界半导体市场在1985年底开始好转,从美国、日本等国家半导体市场复苏的情况来看,1986年下半年开始,半导体市场不景气局面已全面结束。1987年市场景况以美日为中心,有明显回升。1987年世界半导体增长率比同年4月份的预测高4％,增长为21.8％(以美元结算)。据世界半导体贸易统计协会报导,1986年的世界半导体市场比1985年增加23.6％,达到256亿美元,略超过景气的1984年,说明正在回升;1987世界半导体市场达到329亿美元,比1986年增长了7.1％。美国和日本合计共占     

测定LSI树脂材料杂质的新分析法

<正>据日本《七>廿技术》1992年第2期报道,日本东芝公司开发了能把用于半导体工艺中的树脂材料杂质测到0.01ppm浓度的新分析法。造成LSI性能恶化和误工作的原因是杂质中具有     

研制新的等离子体源

<正>据日本《Semiconductor World》1992年第9期报道,美国半导体设备制造厂家已开发成新的等离子体源,主要用于制作64M/256M DRAM的腐蚀设备。新的等离子体源称作TCP(Transformer Coupled Plasma),具有在低压下产生高密度等离子体的特性。在容器中因能形     

微波、毫米波单片集成电路（MIMIC）技术

本文主要叙述微波、毫米波单片集成电路的性能及其应用。     

高温超导约瑟夫逊器件

<正>据日本《电视学会志》1991年第12期报道,日本东芝公司研制成采用氧化物材料多层结的约瑟夫逊器件,并证实了工作温度30K下的超导电流流动的特性。所开发的器件,在钇系氧化物高温超导膜中间,把氧化物常导膜制成多层状氧化物3层结构的结,获得了工作温度30K下     

1425所第六次科研成果鉴定会

1425所第六次科研成果鉴定会和第二次学术年会于1980年12月23日～28日在南京举行。参加这次鉴定会和学术会的有来自全国20多个省市的科研单位、部队、大专院校和工厂等120个兄弟单位,共172名代表。 省、市和部院领导对我所这次鉴定会非常关心和支持,四机部付部长、十四院何华生院长亲自参加了这次鉴定会,并讲了话。十四院科技部付部长陈兴信同志主持了会议。     

微波半导体器件国内外发展动态及应用（一）

本文主要介绍微波半导体器件的低噪声接收器件、微波发射器件、微波控制器件和新型微波器件等研究与应用状况,并对这些器件的发展作一概略展望.     

CCD摄象器件的市场动态和研制现状

1.CCD摄象器件的市场动态固体摄象器件的实用化近年来以CCD为主迅速增长,并成为半导体产品的一个分支.1983年从工业用摄象机开始,家用电视摄象机产品就进入市场.1984年开始批量生产,同时在各个半导体厂家,按用途使研制的产品系列化.1985年,固体摄象机在8mm摄录装置的家用商品中应用,市场增长超过100万台/年.1986年由于一体化磁带录象机市场的扩大,促使批量生产,同时正在向高性能的广播电视摄象机发展.