风电场35kv集电线路质量控制要点

随着风电场建设的快速增长,在风电场场内集电线路建设中出现了新的问题,场内集电线路工程质量对于风电建设及运行企业来说起到至关重要的作用。如何控制好场内集电线路质量是风电场建设过程控制的重点。目前,风电场集电线路受各类外部因素影响及现场风况对其安全运行的影响,其发生故障的几率大,现场监理人员及线路维护运行人员必须对线路和周边环境有充分的了解,掌握线路状况,了解各种故障发生的几率和原因。     

风力发电机组塔筒安装质量控制

文章针对目前风电工程风机塔简安装的特点,论述了风力发电机组塔筒安装各工序的控制方法及控制要点,以及对风机吊装前基础的验收、吊装方法的制定和所采取的控制措施。从实际控制效果看,风电工程塔筒安装期间在各工序凡多的条件下,高强螺栓的坚固、控制电缆布设、电缆接线及塔筒各连接点间的密封等实体质量、观感质量,均得到了有效控制。     

SiGe HBT瞬时剂量率效应实验及仿真研究

锗硅异质结双极晶体管(SiGe Heterojunction Bipolar Transistor,SiGe HBT)由于其优异的温度和频率特性,在航空航天等极端环境中具有良好的使用前景,其辐射效应得到了广泛关注。针对KT9041 SiGe HBT进行了瞬时γ射线及脉冲激光辐照实验,获得其瞬时剂量率效应(Transient Dose Rate Effect,TDRE)响应。实验结果表明,SiGe HBT收集极在辐照下会产生明显的光电流脉冲,并且存在着饱和阈值的现象。此外,在脉冲激光辐照实验中还进行了SiGe HBT总剂量效应与瞬时剂量率效应的协同效应研究。发现SiGe HBT在经过总剂量辐照后其产生的光电流幅值会变大。为了分析实验中观察到的现象,应用TCAD建立了KT9041 SiGe HBT的仿真模型,并进行了瞬时γ射线辐照以及总剂量效应仿真研究。仿真发现,SiGe HBT收集极光电流出现的饱和现象是由示波器端口50 Ω匹配电阻所造成的。而总剂量效应导致的光电流幅值变大则是由于总剂量效应会在SiGe HBT收集极电极处的Si/SiO₂界面引入正电荷缺陷,正电荷缺陷产生的局部电场会对自由电子产生吸引作用,导致更多的自由电子被收集极收集,从而产生幅值更大的光电流。