含水原油核磁自旋弛豫数据的二维频域分析

基于反转恢复法建立质子NMR二维时域数据,经双重付里叶变换获得二维频域数据。除了可以一次性实现对核磁系统的自旋-晶格弛豫时间T_1和自旋-自旋弛豫时间T_2测量外,本方法的重要优点体现在对复相系的分析上,即一方面根据诸单相化学位移的差别自然地分辨T_(1j)和T_(2j)(i)=1,2…相标号)的相归属;另一方面第二个维度的引入则大大提高了对复相系统的解析能力。本文详细地讨论了二维频域数据如何获取复相系统中各单相的核磁弛豫参数以及推断各单相组分所占比例等问题,并例示含水原油样品的分析结果。     

一种具有消谐波正弦输出的AMR薄膜磁头设计

设计了一种消谐波正弦输出的AMR磁头，这种磁头是由AMR金属薄膜材料经过微加工工艺制成。通过对磁头输出波形的谐波分析和测试，表明该磁头具有优良的正弦输出特性、磁场灵敏度和信噪比，可以广泛应用于高精度磁栅位移检测和磁旋转编码器角度测量系统中。     

AMR磁栅尺磁头输出波形的半次谐波现象与分析

对采集到的AMR磁栅尺磁头输出波形进行了付里叶谐波分析,发现了波形中的半次谐波现象.对该现象产生的原因以及半次谐波幅度与磁头水平偏角的关系进行了定性分析.磁头水平偏角为零时输出波形不含半次谐波,磁头水平偏角越大,半次谐波幅度就越高;在偏角小于3°的小角度范围内,两者之间基本上是一个线性关系;磁头水平偏角的正负变化会引起半次谐波项正负的变化.结果对正确使用AMR薄膜磁电阻磁头,提高磁栅尺测量系统的精度有指导意义.     

SmCo/Co多层交换弹性纳米晶复合永磁薄膜的制备和磁耦合研究

利用磁控溅射的方法,在室温条件的Si基片上制备了[SmCo(25nm)/Co(x)]4/SmCo(25 nm)多层交换弹性纳米晶复合永磁薄膜(Co层厚度x=0～10 nm),经过550 ℃/20 min的真空退火处理使薄膜结晶后,进行磁性测试和磁耦合分析.结果表明:SmCo层厚度固定为25 nm时,调整Co层的厚度,从0至10 nm逐渐增加,矫顽力从2270.3 kA·m-1逐渐降低至1040.5 kA·m-1,同时,饱和磁化强度和剩磁随Co层厚度增加逐渐增加,上升了60％.当加入10 nm的Co层后,多层膜的最大磁能积比125 nm的单层SmCo薄膜增加了46％.另外,与SmCo/Co双层交换弹性薄膜在退磁过程中表现的零场附近的软硬磁双相行为相比,SmCo/Co多层交换弹性薄膜表现出单相反转行为,说明体系中的两种磁性层具有更好的磁耦合.经过磁耦合研究发现,当Co软磁层较薄时,薄膜中磁性颗粒以颗粒间交换耦合为主;当软磁层厚度增加时,颗粒间交换耦合减弱,静磁耦合增强,保证了软硬磁相之间的良好磁耦合作用.Co层的加入有效地提高了薄膜的磁性能.     

磁旋转编码器四倍频电路分析与集成化设计

提高位置测量的精度是提高电机定位精度的主要途径。增量式磁旋转编码器作为转角位置传感器,可以用四倍频的方法提高其测量精度。设计了针对增量式磁旋转编码器四倍频集成电路,详细分析了其工作原理,并通过电路逻辑表达式分析证明了电路逻辑结构的严密性,从原理上说明了电路的精度和稳定性。给出了该集成电路输入输出引脚的仿真时序图和封装图。     

PDC9301在磁旋转编码器中的应用

增量式磁旋转编码器作为转角位置传感器,可以用四倍频的方法提高其测量精度。通过采用金属薄膜磁电阻磁头和倍频集成电路PDC9301设计的增量式磁旋转编码器信号处理电路,可提高磁旋转编码器的分辨率,并且性能稳定,运行可靠。     

化学镀Co-P薄膜的磁性及研究

采用化学镀法制备了Co-P磁记录薄膜.当薄膜厚度为0.3μm时,矫顽力可达4.54×104A/m,剩余磁化强度为0.068T.X射线衍射分析表明,当Co-P薄膜较薄时,薄膜结构中无明显择优取向,晶粒较小,此时矫顽力较高;当厚度增加至3～4μm以上时,结构中择优取向明显,晶粒较大,此时薄膜的矫顽力较低.将其应用于磁旋转编码器的磁鼓记录介质,制成直径φ40mm的磁鼓,当原始充磁磁极对数为512时,脉冲计数完整,输出信号强,波形稳定.     

磁阻传感器中SET/RESET充磁电路的分析

介绍了HONEYWELL公司HMC系列磁阻传感器的关键部分--Set/Reset充磁电路.并对其在实际电路中应用时的电平不匹配问题进行了讨论,对4种电路方案进行了详细的分析,并总结了在设计、试验该电路过程中的经验.