SOI全介质隔离与高频互补双极兼容工艺

ＳＯＩ材料的全介质隔离技术与高频互补双极工艺的结合是研制抗辐照能力强、频带宽、速度高的集成运算放大器的理想途径，从实验的角度提出了一种ＳＯＩ材料全介质隔离与高频互补双极工艺兼容的工艺途径。     

高性能结型场效应对管及其在ASIC中的应用

采用结型场效应管作为输入级的专用集成电路,一般都具有高速宽带以及高输入阻抗的特点。场效应管与双极型器件相结合,已成为新型专用型集成运算放大器的主要发展方向之一。国内在这些专用集成电路的研制工作中所面临的主要困难,是高耐压高频结型场效应对管的工艺制作。本文在介绍高性能结型场效应对管在ASIC中的应用及其工艺试验情况。     

高频CB工艺与硅超高速集成运放

本文介绍了硅超高速集成运算放大器的电路设计，版图设计和工艺研究情况。     

抗辐射能力为兆拉德(硅)的CMOS/SIMOX器件

采用SIMOX和新研制的横向隔离结构作出了抗核辐射的CMOS/SIMOX器件,这些器件经2兆拉德(硅)γ射线辐射后,仍具有充分的工作性能。     

具有优良温度特性的大功率器件

本文介绍了一种大功率器件,其耐压大于100V,I_(CM)>6A,P_(CM)>50W,f_T～200MHz,温度从-55℃变化到+150℃时,其共射极电流放大系数几乎不变。     

双极晶体管的杂质扩散行为及其BiCMOS工艺优化

双极晶体管的杂质扩散行为及其ＢｉＣＭＯＳ工艺优化王界平编译１　引言各种仪器、设备性能的改进，要求集成电路进一步提高其集成度。随着集成度的提高，一方面可以改善性能、提高可靠性；另外也能降低成本、方便维修。提高集成度可以着眼于以下三个方面：（１）缩小器件...     

运算放大器中JFET对管的制作技术及其发展前景

JFET与双极器件相结合,可以获得高速/宽带/高输入阻抗的运算放大器。但由于工艺水平的限制,Bi-JFET单片兼容工艺中的场效应器件的特性并不很理想,影响了电路的性能。目前的高性能场效应运放,基本上是采用高性能JFET对管与纵向p-n-p、n-p-n混合组装而成。本文分析了场效应运放中场效应器件制作技术的发展,提出了两种新的单片高性能JF-ET对管与高性能纵向p-n-p、n-p-n兼容工艺,以期能结合自动稳零技术,制造出单片高速、宽带、高输入阻抗、低失调、高精度运放。     

一种能与CMOS兼容的高频横向双极晶体管

本文介绍了一种能方便地实现与CMOS器件兼容的高频横向双极晶体管。与常规纵向双极晶体管相比,它能使BiCMOS技术具有更低的成本。器件性能也与常规高频纵向双极晶体管相仿。采用这种横向双极晶体管的BiCMOS门电路也与采用常规纵向双极晶体管具有同样优良的性能。     

高性能纵向pnp晶体管的研制

pnp晶体管中由于空穴的迁移率较电子的迁移率低得多,再加上纵向pnp管有比npn管严重得多的基区宽度调变效应,一般情况下,难以使纵向pnp管的性能与npn管的性能相媲美。我们从理论上分析了提高纵向pnp管性能的途径,并设计了一套新的工艺流程。在p型外延材料上研制出了BV_(ceo)≥90V、V_(be)≤0.8V、f_T=900MHz、V_(ces)=0.2V、β=60～150、厄利电压大于150V的纵向pnp晶体管。在P型单晶材料上研制出了BV_(ceo)≥65V、f_T≥560MHz、β=60～150的纵向pnp晶体管。具有这种性能的纵向pnp管目前在国内外还很少见。     

200V／μs高速宽带运算放大器的设计考虑

介绍了一种采用介质隔离互补双极工艺制造的单片高速宽带电压反馈型运算放大器。着重分析了电路的工作原理，设计特点和制造工艺。最后，用ＰＳＰＩＣＥ模拟程序和实验结果证明了该设计的正确性。