光电双基区晶体管(PDUBAT)的器件模型

本文在考虑了晶体管的小注入效应和大注入效应以及基区宽变效应等因素后,首次用近似和简化的数学表示式和相应的等效电路,描述了光电双基区晶体管(PDUBAT)负阻形成的机理并使负阻区和谷值区的理论计算和实验结果一致性很好.     

用于激光衍射粒径分析的光电阵列探测器

本文较详细地论述了用于激光衍射粒径分析的光电阵列探测器的设计依据及其特性。     

CCD技术与图像测量在叶片测量中的应用

本文主要针对叶片前缘R的性能测量，介绍一下我单位研制的专用测量设备的原理、CCD与图像预测技术的应用以及为提高测量效率、直观准确显示测量结果而采用的一些新技术的情况。     

共振隧穿二极管的开关时间特性

用HP8510(C)网络分析仪测量了A1As／InGaAs／AlAs共振隧穿二极管(RTD)的散射参数，通过曲线拟合提取了等效电路参数，估算了RTD的开关时间，通过速度指数估算的RTD上升时间最小可达21ps。     

片状变燃速发射药燃烧性能的数值计算

为研究包覆方式对片状发射药燃烧性能的影响,建立了不同包覆方式下多层片状发射药的物理模型,并推导了形状函数和燃气生成猛度表达式,利用Matlab软件对不同的宽厚比、长厚比及多层结构的片状发射药进行了数值计算;制备了不同长厚比的片状变燃速发射药,并进行了密闭爆发器实验。结果表明,四面包覆和全包覆可以很好地消除临界宽厚比对片状发射药燃烧性能的影响;与两面包覆的片状发射药相比,四面包覆和全包覆的片状发射药能够延缓内层药减面燃烧的时间,其燃气生成猛度的阶跃程度分别提高了1.17%和1.23%,呈现出良好的燃烧渐增性。     

填料对反-1,4-聚异戊二烯性能的影响

研究了填料对反－1，4－聚异戊二烯（TPI）硫化胶和混炼胶的物理机械性能和结晶性能的影响。结果表明，在TPI中加入填料后，其硫化胶的300％定伸应力随填料用量的增加而增加，拉伸强度则在填料用量为20份时达到最大值；加入填料同时能降低TPI混炼胶的结晶度，填料用量增加，TPI混炼胶的结晶下降；且填料增强效果越好，结晶度下降越大。     

集成于无源UHF RFID标签的宽温测范围CMOS温度传感器

针对无源UHF RFID标签温度测量范围小、功耗等问题,本文提出了一种集成于无源UHF RFID标签的宽温测范围CMOS温度传感器。本文设计采用UMC 0.18μm 1P6M CMOS工艺进行设计,提出一种新温度脉冲转换电路结构产生随温度变化的脉冲,从而实现了宽温度测量。仿真结果表明:当温度范围在-75℃~125℃时,温度脉冲宽度变化近220μs,标签芯片供电电压为1.5V时,室温时新增的温度传感器模块功耗仅为200 nW,温度传感器精度为0.45℃/LSB。测试结果:在-5℃~45℃范围内进行测试,温度传感器精度为0.48℃/LSB,其中在室温25℃左右振荡器频率2.087 MHz,脉冲宽度大约110μs,异步计数器显示为011011000。     

基于标准CMOS工艺太阳能电池的微电源管理系统

文章基于CMOS太阳能电池设计了一款微电源管理系统。此电源管理系统适用于传感器网络节点和半有源电子标签之类的需要周期性短时间供电的电路。电源管理系统中包含一个电荷泵,一个片外储能电容,控制电路和一个线性稳压器。控制电路采用一种全新的结构,静态功耗基本为零。采用UMC 0.18μm CMOS工艺,当输出电流为30uA,储能电容为1uF时,一个周期可达到大于20ms的供电时间,输出电压1.8V,电源管理系统的静态电流小于1.5uA。     

用于喇曼放大的SOI脊形波导中自由载流子寿命的解析表达

研究了用于喇曼放大的绝缘硅(SOI)脊形波导中自由载流子寿命与非线性光学损耗的关系.通过理论推导结合二维数值模拟的方法,提出了带有零反偏pin结构的SOI脊形波导中自由载流子寿命的解析表达式,该解析表达式与他人的实验结果相符.结果表明,比起不带pin结构的波导,带有零反偏pin结构的波导中的自由载流子寿命最多可以缩短80%.同时,研究了pin结构外加反偏电压时,自由载流子寿命进一步缩短的原因,并从强场下自由载流子速度饱和的角度出发,得到了自由载流子寿命的理论极限值.最后,模拟了不同自由载流子寿命情况下SOI脊形波导的喇曼净增益随着输入泵浦光功率密度的变化曲线,为硅基喇曼放大器的进一步研究指明了方向.     

平面型RTD及其MOBILE的设计与研制

鉴于已报道的平面共振遂穿二极管(PRTD)存在的缺点,文中提出了一种新的平面RTD器件结构.以n+ GaAs代替半绝缘GaAs衬底,利用硼离子注入产生的非晶化作为RTD器件的电隔离,成功设计研制平面型RTD和由其构成的单-双稳转换逻辑单元,此种结构可适用于以输出端作为公用端的所有电路.