排序方式: 共有13条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
利用离子注入和高温退火的方法在Si中生长了C含量为0.6%—1.0%的Si1-xCx合金,研究了注入过程中产生的损伤缺陷、注入C离子的剂量及退火工艺对合金形成的影响,探讨了合金的形成机理及合金产生的应变分布的起因.如果注入的C离子剂量小于引起Si非晶化的剂量,退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇,难于形成Si1-xCx合金,而预先利用Si离子注入引进损伤有利于Si1-xCx合金的形成;但如果注入的C离子可以引起Si的非晶化,预先注入产生的损伤缺陷不利于Si1-xCx合金的形成.与慢速退火工艺相比,快速热退火工艺有利于Si1-xCx合金的形成.离子注入的C原子在空间分布不均匀,退火过程中将形成应变不同的Si1-x-Cx合金区域. 相似文献
2.
用TEM观察600℃下氦离子辐照316L不锈钢中氦泡的形态及分布,发现氦浓度比较低时,氦泡优先在位错线上形成;随着氦浓度的增大,氦泡在基体中均匀分。在晶粒内及晶界处,拟泡都呈多面体形状,观察的晶界片不存在氦不民的优先生长现象。 相似文献
3.
4.
用两步生长的方法在醋酸锌和六亚甲基四胺水溶液中生长ZnO纳米棒阵列,然后以ZnO纳米棒阵列为模板,在Na2S水溶液中硫化0.5~6 h形成ZnO/ZnS纳米结构.用XRD,SEM和TEM表征了ZnO/ZnS核/壳纳米结构的晶体结构、表面形貌.研究了ZnO/ZnS核/壳纳米结构的形态及其转变的模式.在硫化过程中,ZnO首先形成ZnO/ZnS核/壳纳米棒,随着硫化程度的增强,核/壳结构顶部出现空洞,空洞扩展形成管状结构,进一步硫化,管状结构坍塌.硫化形成的ZnO/ZnS结构的形态不仅依赖于初始纳米棒的直径大小和硫化时间的长短,还依赖于纳米棒的分布密度. 相似文献
5.
CdS0.1Se0.9纳米晶体的电光性质 总被引:1,自引:1,他引:0
对嵌埋于玻璃基体中的CdS0.1Sc0.9纳米晶体进行了室温电调制透射谱测量,观察到较强的共振和非共振电光响应倚号(10-4~10-3).共振电光响应具有如下特征:同一组分的纳米晶体其倩号的峰位随着尺寸减小向高能方向移动;同一样品谱线形状不随外电场强度而变;信号幅度与外电场强度的平方成线性关系,并且随调制频率的增加而减小;共振电光效应的物理机制是量子受限的Stark效应.非共振电光响应信号呈与波长有关的振荡线形;外电场强度增加,非共振电光响应信号幅度也增加;用介电受限的局域场增强理论解释了非共振电光效应的物理机制. 相似文献
6.
7.
利用离子注入和高温退火的方法在 Si中生长了 C含量为 0 .6 %— 1.0 %的 Si1 - x Cx 合金 ,研究了注入过程中产生的损伤缺陷、注入 C离子的剂量及退火工艺对合金形成的影响 ,探讨了合金的形成机理及合金产生的应变分布的起因 .如果注入的 C离子剂量小于引起 Si非晶化的剂量 ,退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与 C原子结合形成缺陷团簇 ,难于形成 Si1 - x Cx 合金 ,而预先利用 Si离子注入引进损伤有利于 Si1 - x Cx 合金的形成 ;但如果注入的C离子可以引起 Si的非晶化 ,预先注入产生的损伤缺陷不利于 Si1 - x Cx 合金的形成 .与慢速退火工艺相比 ,快速 相似文献
8.
9.
10.
在聚变堆与快堆中,高能中子通过(nα)反应在结构材料中产生大量的氦。氦聚集形成氦泡,引起材料各种性能的下降;特别是高温下氦流到晶界形成氦泡,使材料发生脆性断裂。对材料中氦泡的形核及长大规律的研究是研究材料中氦脆的基本机制及堆辐照环境中材料微观结构变化... 相似文献