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1.
一种改进的高速DAC电流开关及其控制信号的产生   总被引:1,自引:0,他引:1  
系统分析了高速电流型CMOS数模转换器中电流开关对输出毛刺的影响,给出了减小输出毛刺的方法.改进了电流开关及其控制信号的产生电路.利用改进后的电路设计了一个8位数模转换器,在5V电源,满量程输出20mA条件下,模拟得到最大输出毛刺为3pV-s,且电路在100MHz采样频率,10MHz信号频率下,无假信号动态范围达到53dB.  相似文献   
2.
本文设计和研究了与n阱CMOS工艺兼容的高精密CMOS能隙基准源电路。该电路实现了全温度曲率补偿,降低了运放失调电压对精度的影响。理论上证明,具有极好的温度特性。SPICE模拟表明,精度可达到<3ppm/℃,实验芯片亦达到预期结果。  相似文献   
3.
一种12位400 MHz电流开关型D/A转换器的设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
基于TSMC 0.25μm工艺、采用电流开关结构,设计了一个3.3 V 12位400 M采样率的D/A转换器。在电路中,设计了一种新的电压限幅结构,从而使其具有较好的动态性能。该D/A转换器在1 MHz输入信号下,无杂散动态范围(SFDR)达到83.75 dB;在12.5 MHz输入信号下,可获得70 dB的SFDR;在不同温度和工艺corner下,仿真得到的电路性能也都能达到上述指标。  相似文献   
4.
一种适合集成传感器的微弱信号读出放大器   总被引:5,自引:0,他引:5  
蔡光杰  沈延钊 《微电子学》2004,34(1):97-100
设计了一种适用于低频集成传感器微弱信号检测的低噪声放大器。该电路应用斩波技术抑制低频噪声和失调,利用带通滤波器减少残余失调电压。电路采用0.8μm N阱CMOS工艺设计,并进行了实际流片。对试制样片进行了测试,测得电路的增益为37dB,等效输入噪声为56.4nV/√Hz。  相似文献   
5.
一种A/D静态参数和动态参数的测试方法   总被引:2,自引:2,他引:0  
设计了一套测试模数转换器静态和动态参数的方案.首先具体解释了模数转换器的静态参数和动态参数的定义,包括INL、DNL、信噪比、有效位数等,其次阐述了码密度测试和快速傅立叶变换测试的原理,最后用该方案对清华设计的高速模数转换器TH0307进行了测试并给出测试结果.该方案适合批量测试.  相似文献   
6.
一种12位开关电流型Σ-△调制器   总被引:3,自引:0,他引:3  
许刚  沈延钊 《微电子学》2000,30(4):234-237
开关电流电路(SI)是近年兴起的一种模拟电路。文中引用了新型的两步采样开关电流技术(S^2I),对该电路中减小时钟馈漏效应的几种方法进行了分析。利用差分平衡结构的S^2I存储单元设计了平衡S^2I积分器,并在此基础上设计出一种平衡差分结构的二阶∑-△调制器。该调制器能够完全与标准CMOS数字工艺兼容。利用标准1.2μm数字COMS工艺的HSPICE模型参数进行了分析,该电路信噪比达到73.3dB,  相似文献   
7.
一种改进的高速DAC电流开关及其控制信号的产生   总被引:2,自引:1,他引:1  
系统分析了高速电流型CMOS数模转换器中电流开关对输出毛刺的影响,给出了减小输出毛刺的方法.改进了电流开关及其控制信号的产生电路.利用改进后的电路设计了一个8位数模转换器,在5V电源,满量程输出2 0mA条件下,模拟得到最大输出毛刺为3pV s,且电路在1 0 0MHz采样频率,1 0MHz信号频率下,无假信号动态范围达到53dB  相似文献   
8.
汤英  袁方  伍冬  沈延钊  许军 《微电子学》2011,41(6):820-823,829
针对低功耗阵列中电流型D/A转换器的电流匹配精度进行研究.通过模拟校准技术和高精度RGC电流镜的使用,减小了阵列中工艺参数、温度、电学特性等因素的差异对电流匹配精度的影响.在Chartered 0.35μm工艺下,利用Hspice进行仿真.结果表明,在10 nA到1μA电流范围内,系统匹配精度大于96.5%,静态功耗低...  相似文献   
9.
提出了一种新型Class-AB全差分运算跨导放大器(OTA).该OTA基于一种结构简单的电压缓冲器,在大信号非线性工作时,能够输出不受静态偏置电流限制的瞬态电流,提高了摆率和建立速度;同时,该结构还能够增强直流增益、增益带宽积等小信号特性,适合于低功耗开关电容电路的应用.另外,该OTA结构简单,适合于低电压工作.采用0.18μm CMOS工艺进行仿真,结果表明,该OTA结构能够在1V电源电压下工作.  相似文献   
10.
薛亮  沈延钊  张向民 《微电子学》2004,34(3):310-313
文章分析了采样/保持电路的基本原理,设计了一种CMOS高速采样/保持放大器,采样频率可达到50MHz,并用TSMC的0.35μm标准CMOS工艺库模拟了整体电路和分块电路的性能。  相似文献   
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