一种宽共模输入范围的高速CAN总线接收器设计

为保证24 V供电的汽车电子系统在复杂环境下可靠通信,同时满足CAN FD总线协议高速率的要求,设计了一种宽共模输入范围的高速CAN总线接收器。采用三级放大结构实现,输入级预放大电路通过共模位移与共射极相结合的方法,扩大共模电压输入范围;增益级为输出限幅的折叠式差分放大结构,提升接收器的速度和增益;输出级利用反相器放大级,实现模拟信号到数字信号的高速转换。基于0.18μm 60 V BCD工艺完成设计与流片,测试结果表明,5 V电源电压下,接收器阈值电压的温漂系数在-40～150℃范围内为75×10^-6/℃,共模电压输入范围为±30 V,传输延迟小于58 ns。     

一种新式SEU加固PD SOI SRAM单元

本文提出了一种新式SEU加固的10管PD SOI静态存储单元。通过将互锁反相器中的上拉和下拉管分割成两个串联的晶体管,该单元可有效抑制PD SOI晶体管中的寄生BJT和源漏穿通电荷收集效应,这两种电荷收集效应是引起PD SOISRAM翻转的主要原因。通过混合仿真发现,与穿通的浮体6T单元相比,该单元可完全解决粒子入射单个晶体管引起的单粒子翻转。通过分析该新式单元的翻转机制,认为其SEU性能近似与6T SOI SRAM的单粒子多位翻转性能相等。根据参考文献的测试数据,粗略估计该新式单元的SEU性能比普通45nm 6T SOI SRAM单元提升了17倍。由于新增加了四个晶体管,该单元在面积上增加了43.4%的开销,性能方面有所降低。     

一种超低静态电流LDO线性稳压器的设计

为了延长便携式、可穿戴医疗设备的待机时间,设计了一种具有超低静态电流的低压差(LDO)线性稳压器。采用误差放大器与基准电路相结合的结构,在降低静态电流的同时减小芯片面积;其次,利用负载检测模块,降低了空载及轻载时过温保护和过流保护等模块的静态电流。采用自适应偏置电流技术来动态调整稳压环路各支路的工作电流以及零点频率补偿方式,解决了静态功耗与瞬态响应和环路带宽间的矛盾。该LDO线性稳压器采用0.35μm CMOS工艺进行流片加工,测试结果表明,该LDO线性稳压器静态电流为700 nA,最大负载电流为150 mA,轻载与满载跳变时上过冲电压为63 mV,下过冲电压为55 mV。     

Short locking time and low jitter phase-locked loop based on slope charge pump control

A novel structure of a phase-locked loop(PLL) characterized by a short locking time and low jitter is presented,which is realized by generating a linear slope charge pump current dependent on monitoring the output of the phase frequency detector(PFD) to implement adaptive bandwidth control.This improved PLL is created by utilizing a fast start-up circuit and a slope current control on a conventional charge pump PLL.First,the fast start-up circuit is enabled to achieve fast pre-charging to the loop filter...     

一款通讯专用SOC设计的验证

文章介绍了对一款通讯专用SOC设计进行验证所采用的方法和流程，并对几种能够提高仿真验证效率的方法给出了较详细的说明。     

基于负载跟踪技术的低漏失大电流LDO的设计

为了满足便携式电子设备的需求,设计了一种低漏失高稳定的LDO.利用正反馈环路钳位电压,获得高精度采样电流.通过调整工作在深线性区的MOS管的等效电阻,产生跟踪负载电流的零点.设置负载电流监测电路,控制大负载电流下的跟踪零点,对输出极点进行补偿.结合阻抗衰减技术,实现LDO在全负载范围内的稳定;通过将第一级运放输出端极点...     

极点跟随的LDO稳压器频率补偿方法

提出了一种新型的用于LDO稳压器的频率补偿方法,并通过动态偏置电压缓冲器进行了电路实现。该方法提供了快速的瞬态响应,且无需芯片上频率补偿电容,提高了芯片的集成度。理论分析与仿真结果表明,LDO稳压器在满负载条件下的频率稳定得到了保证。     

一种新型运放相位反转保护电路

在高噪声环境下,如何抑制相位反转现象的发生,是双极型和JFET型运放在电力电子、工业控制和汽车电子等领域应用中的一个重要问题.基于运算放大器电路相位反转现象的发生机理,针对现有抑制方法的不足,提出了一种新型的相位反转保护电路.该保护电路结构紧凑,仅需3个双极型器件,且当运放输入信号处于正常共模输入范围时,对运放的性能参数,如差模信号增益、建立时间和静态功耗等,没有不利的影响.理论分析与仿真结果表明,该保护电路不仅避免了运放电路相位反转的发生,而且有效地抑制了伴随相位反转的过流现象.     

一种高精度过流保护电路的设计

提出了一种应用于锂电池保护芯片的高精度过流保护电路.电路采用键合丝实现电流采样,避免了额外导通电阻及功耗的引入;过流阈值设定通过参考电压电路实现,具有较强的灵活性;预放大电路采用完全对称的负反馈结构有效抑制自身失配带来的影响,同时能够将微小误差电压可靠检测并放大,以此减小比较器失配电压的干扰;比较器电路对参考电压及采样...