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比较研究了HfO2与HfLaO栅介质多层MoS2场效应晶体管。实验结果表明,与HfO2栅介质MoS2晶体管相比,HfLaO栅介质MoS2晶体管表现出更优的电性能。电流开关比高达1×108,亚阈斜率低至76 mV/dec,界面态密度低至1.1×1012 cm-2·eV-1,载流子场效应迁移率高达1×109 cm2·V-1·s-1。性能改善的原因在于镧(La)对HfO2的掺杂形成HfLaO化合物,减小栅介质薄膜的表面粗糙度,降低缺陷电荷密度,改善了栅介质/沟道界面特性,从而减小了界面态密度,抑制了库仑散射和界面粗糙散射。最终,提高了多层MoS2晶体管的场效应迁移率,改善了晶体管的亚阈特性。 相似文献
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GaAs metal–oxide–semiconductor(MOS) capacitors with HfTiO as the gate dielectric and Al2O3 or ZnO as the interface passivation layer(IPL) are fabricated. X-ray photoelectron spectroscopy reveals that the Al2O3 IPL is more effective in suppressing the formation of native oxides and As diffusion than the ZnO IPL. Consequently, experimental results show that the device with Al2O3 IPL exhibits better interfacial and electrical properties than the device with ZnO IPL: lower interface-state density(7.21012 eV1cm2/, lower leakage current density(3.60107A/cm2 at Vg D1 V) and good C–V behavior. 相似文献
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宽角度硅太阳电池减反射膜的优化设计 总被引:1,自引:0,他引:1
以太阳电池减反射膜为研究对象,考虑太阳光从O°~60°宽角度人射,同时结合硅的光谱响应和太阳光谱分布,采用加权平均反射率作为评价膜系质量的标准,利用数值计算设计了的最佳双层减反射膜SiNx/SiOxo计算结果表明30°是设计减反射膜的最佳优化角度.对于入射介质为空气时,最优薄膜参数为nSiNx=2.3,dSiNx=56nm,nSiO2=1.46,dSiO2=90nm.当太阳电池封装后,即入射介质为硅胶时,最佳膜系参数为nSiNx=2.3,dSiNx=65nm,nSiOx=1.63nm,dSiO=80nm. 相似文献
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采用AFORS-HET软件对TCO/nc-SiC∶H(p)/nc-Si∶H(i)/c-Si(n)/nc-Si∶H(n+)/Al异质结太阳电池进行了模拟,分别讨论了窗口层、本征层、界面态和背场对太阳电池性能参数的影响。模拟结果表明,厚度尽可能薄的p层能减少入射光及光生载流子在窗口层的损失,对应最佳的窗口层禁带宽度为1.95eV。本征层的引入主要是钝化异质结界面,降低界面态的影响,提高电池转换效率。合理的背场设计可提高电池的转换效率1.7个百分点左右,此时最佳的异质结太阳电池的性能参数为:开路电压Voc=696.1mV,短路电流密度Jsc=38.49mA/cm^2,填充因子FF=83.52%,转换效率η=22.38%。 相似文献
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记忆晶体管将忆阻器和场效应晶体管结合起来,这种结构能够引入多端口控制,对于丰富存储器的调控手段具有重要的意义。使用微机械剥离法依次转移了多层MoS2和α-In2Se3,搭建了以α-In2Se3作为修饰的MoS2记忆晶体管,并对其在电场、光场和光电协同控制下的阻变特性进行了研究。实验结果表明,器件表现出单极性阻变特性并且能够在128个循环和104 s的时间内保持良好的耐久性,器件受栅极电压和单色光照调控效果明显,在电场和光场的协同控制下可以实现开关比在1.8×101~4.2×103的范围内变化。其阻变机理可以归因于多层MoS2中缺陷捕获载流子对肖特基势垒的调制和氧离子焦耳热梯度填补S空位对沟道电导的调制。 相似文献
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