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研究了强HNO3和HNO3-H2SO4氧化对碳纳米管(carbon nanotubes,CNTs)场发射特性的影响,采用TEM、Raman、XPS和J-E进行了表征。实验结果表明,HNO3和HNO3-H2SO4可去除碳纳米管中的催化剂颗粒、无定形碳及碳纳米微粒等杂质;由于H2SO4具有协同氧化和脱水作用,使得混酸氧化后的碳纳米管具有更高的无序程度和缺陷密度,且表面存在C—OH,CO,OCOH等氧化基团。HNO3和HNO3-H2SO4氧化碳纳米管的开启电场分别为1.7和1.1V/μm,当电场增大至3.0V/μm的电场下对应的发射电流密度分别为1.8和4.2mA/cm2。 相似文献
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薄膜型平栅极FED背光源的制备及性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用磁控溅射和光刻技术在玻璃基底上制备薄膜型平栅极场发射阴极阵列,采用电泳工艺将碳纳米管(CNTs)发射材料转移到薄膜型平栅结构的阴极电极表面,借助光学显微镜和扫描电镜观测薄膜型平栅极场发射阴极阵列。利用Ansys软件模拟阴栅间距对阴极表面电场分布的影响,优化其结构参数,对其场发射特性进行了讨论。实验结果表明,CNTs能均匀地分散在平栅型结构的阴极表面,当电场强度为2.4 V/μm时,器件发射电流密度达到1.8 mA/cm2,亮度达3 000cd/m2,均匀性为90%,能稳定发射28 h,且具有较好的栅控作用。该薄膜型平栅极背光源技术简单、成本低,为将来制备新一代大面积场发射背光源提供了可行性方案。 相似文献
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薄膜衬底电极CNT阴极制备及场发射性能研究 总被引:2,自引:1,他引:1
采用电泳沉积(EPD,electrophoretic deposition)法在不同薄膜衬底电极上制备碳纳米管(CNT,carbon nanotube)场发射阴极.采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)对其进行表面形貌表征,结果表明,EPD可以制得CNT均匀分布的场发射阴极.场发射测试结果表明衬底电极对CNT阴极的场发... 相似文献
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介绍了连续载波相位调制技术中最小移频键控(MSK)的特点,详细阐述了MSK调制解调技术的工作原理.给出了基于System View的MSK系统仿真图以及仿真输出的波形图,并对MSK系统的仿真结果进行了细致地分析.仿真结果证实了MSK技术的可行性及优越性. 相似文献
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