32×32长波碲镉汞红外焦平面信号读出电路

３２×３２长波碲镉汞红外焦平面信号读出电路倪云芝，江美玲，曾萌，王新德，梁平治（上海技术物理研究所上海２０Ｏ０８３）采用ＣＭＯＳ技术，研制成功了一个适用于３２×３２长波碲镉汞光伏探测器列阵的信号读出电路。由于长波ＭＣＴ二极管的结阻抗较低，很难在自身的...     

感悟中国传统花鸟画

正中国花鸟画渊源甚古,石器时代的彩陶,就有花、鸟、鱼的绘画。南北朝时代画家顾野王,以草、虫、鸟入画,"宣和画谱"说他"画草虫尤工"。可知在唐以前,已有花、鸟、鱼、虫的专门画家。据"唐朝名画录"所载,唐代的花鸟画名家有二十余人,其中以边鸾最为有名。书中说,"边鸾少攻丹青,最长于花鸟,折枝草木之妙,未之有也。"可知边鸾在花鸟画中,尤擅画"折枝"的花卉。边鸾之后,唐末还有两位著名的花鸟画家,即刁光胤与滕昌佑。"益州名画录。对他们两人,都有较详尽的描述。五代     

64×64元InSb红外焦平面读出电路研制进展

研制了用于 6 4× 6 4元InSb红外焦平面的几种读出电路。ISM 6 4× 6 4- 2型电路是采用直接注入模式 ,行积分工作的读出电路。ISM 6 4× 6 4- 3型电路仍然采用直接注入读出模式 ,行积分工作 ,但是增加了一级采样保持电路。ISM 6 4× 6 4- 4型电路采用直接注入模式 ,帧积分工作 ,因而可大大提高信噪比。描述了 2、3和 4型电路的结构 ,工作原理及版图设计特点 ,电路的制造工艺、测试方法及其主要性能。     

慈禧用瓷艺术特点形成的原因

咸丰以来轰轰烈烈的太平天国运动,以及以英国为首的侵略势力控制了中国的封建政权,从而使旧中国社会和经济进一步半殖民地化,民族工业从此日益衰退。景德镇瓷业受到很大影响,咸丰五年以后御窑厂的生产基本上处于停滞状态。自辛酉政变之后,慈禧主政,太平天国被镇压,社会局面相对稳定,封建统治政权在帝国主义的支持下得到暂时的巩固,进入所谓"同光中兴"的历史时期。在这种情况下,从光绪元年开始,景德镇御窑厂陆续为清代宫廷和东、西两     

红外焦平面中的读出电路

红外焦平面中的读出电路梁平治，江美玲，倪云芝等（中科院上海技术物理所上海２０００８３）任何一种红外焦平面，无论是单片的或是混成的，都是由红外光电转换和信号处理两部分组成。而几乎所有的红外焦平面的信号处理部分都是由硅电路来实现的。这是因为当今只有硅电路...     

硅全耗尽背照式光电二极管的光谱响应

建立了一个预测硅全耗尽背照式光电二极管响应率的解析模型.分析了所加反偏压与光谱响应之间的关系,解出了硅全耗尽背照式光电二极管的响应率和器件各参数之间的关系,并根据选定参数值计算出了给定外加偏压下400～1 100 nm范围的光谱响应曲线,预测探测器光谱响应峰值在1μm,峰值响应率达到0.72 A/W.实测结果表明:器件峰值响应与预测一致,反偏压对响应率的影响与预测相同,即响应率随着反偏压的升高而增大.并且在各种反偏压下的光谱响应曲线形状与预测基本吻合,证明了建立的模型可以正确地预测器件性能.     

InSb凝视红外焦平面组件研制和应用

研制成功了采用光伏InSb二极管列阵工艺、直接注入Si CMOS读出电路、微型玻璃杜瓦和微型节流制冷机的 6 4× 6 4元InSb红外焦平面组件。焦平面组件平均探测率约 1× 10 11cmHz1 2 W-1,平均量子效率约 72 %,响应率非均匀性约 18%,无效像元率约 0 .5 %。其性能参数满足红外成像制导的技术要求 ,已成功进行了凝视红外成像探测系统外场试验。     

基于硅光二极管阵列的X射线探测器的研制

介绍了10元CsI(Tl)闪烁晶体与10元硅光二极管阵列耦合而成的X射线探测器的设计制造过程。其中,二极管光敏元为0.75mm×1.25mm的窄条形,中心距为1.25mm,外观尺寸为12.5mm×1.25mm;闪烁体单元为1.0mm×1.5mm的窄条形,中心距为1.25mm,外观尺寸为12.5mm×1.9mm。对该探测器的硅光二极管进行了光谱测试和噪声测试,对射线探测器进行了串音和均匀性等性能测试。二极管的噪声为10?4V,射线探测器的非均匀性为0.08,有串音现象发生。对存在的问题进行了分析讨论并提出了改进方案。     

用于海洋水色扫描仪的硅光电探测器组件

采用微型滤光片与硅探测器直接耦合的方式,研制了5×4元和3×4元两种多波段硅探测器组件.组件可探测412～865 nm八个波段,带宽分别为20和40 nm.由于采用了短波增强,提高近红外波段响应率和响应速度,降低暗电流,减小串音及提高可靠性等一系列措施,使研制的组件达到了很高的性能:412 nm的响应率为0.14 A/W,暗电流为5×10-10 A,结电容小于20 pF,串音小于7%.,满足了海洋水色扫描仪的使用要求.     

横向多晶硅p+p-n+结非致冷红外焦平面

应用标准CMOS工艺,同时结合体硅微机械加工技术,研制成功横向多晶硅p p-n 微测辐射热计单元;基于研制成功的微测辐射热计,设计了规模为128×128面阵的非致冷红外焦平面.采用标准CMOS工艺制作横向多晶硅p p-n 结热敏响应元和读出电路;在CMOS工艺完成后,辅以与CMOS工艺兼容的体硅微机械加工工艺,制备微桥形式的热绝缘结构,从而方便地实现了CMOS读出电路与探测器阵列的单片集成.在3～5 μm红外波段,微测辐射热计的电压响应率为5.7×103 V/W,黑体探测率D·为1.2×108 cm·Hz1/2·W-1.焦平面采用行读出模式的结构,信号读出采用栅调制积分电路,输出级采用外接负载电阻的源极跟随电路,将探测器单元产生的信号按顺序串行单端输出.