100 MeV质子回旋加速器二期辐照效应管道设计

针对中国原子能科学研究院100 MeV质子回旋加速器上的单粒子效应辐照装置进行了二期管道设计，采用八极磁铁校正法对束流进行了扩束及均匀化，最终在靶上得到了一个30 cm×30 cm、均匀性好于92%的均匀分布的束斑，满足了单粒子效应实验的需求。为降低靶站处的束流能散及中子本底，采用两级降能的方案，在偏转磁铁前放置1个降能片，将能量分为100 MeV和40 MeV两档，并分别针对这两个能量点进行方案设计，束流利用率均在42%以上。公差分析结果表明，四极磁铁对靶上束斑均匀性的影响大于八极磁铁，安装过程中应优先保证四极磁铁的安装公差。     

碳化硅结势垒肖特基二极管的质子辐射效应

碳化硅结势垒肖特基二极管(SiC JBS)是新一代航天器电推进系统的关键部件,但高能粒子辐射严重威胁其可靠性与稳定性。为揭示其辐射损伤机理,为其抗辐射加固设计与考核评估储备数据,本研究基于加速器开展了先进商用SiC JBS 10~20 MeV中能质子地面辐照实验,并提取器件辐照前后的正向伏安特性、反向伏安特性、电容电压等电学参数及缺陷特性。系统分析器件关键特性随辐照条件的改变规律。结果显示,质子辐照引起了器件肖特基势垒升高、载流子浓度降低,且10 MeV较低能质子导致的位移损伤退化更严重。分析认为,PN结界面缺陷导致高性能商用SiC JBS反向电学性能对中能质子的辐照更加敏感,正向特性相对稳定,辐照生碳缺陷造成载流子去除效应是引起SiC JBS性能退化的主要机制。     

基于单片机的安全门禁系统研究设计

本文针对常用门禁系统展开研究,提出一种基于单片机的安全门禁系统,可实现同一张卡一次一密,能抵御数据重放攻击,具有高性能、快速确认身份、不易被窃取等特点。通过Proteus进行了仿真实践,并展开硬件系统试制。     

半导体器件内离子有效LET值测量方法研究

提出了一种基于电荷收集测试技术的离子有效LET值测量方法.首先对半导体器件内收集电荷量与入射离子有效LET值之间的关系进行了分析,根据二者之间的关系提出通过测量电荷收集量从而测量离子有效LET值的方法;然后建立了半导体器件电荷收集测试系统,利用PN结和SRAM对测量方法进行了验证;最后成功利用该方法解释了以往单粒子效应实验中出现的数据异常.     

国土空间规划背景下村庄规划"双评价"应用研究 ——以广安区大龙镇生态适宜性评价为例

本文从国土空间规划背景出发,以广安区大龙镇为研究对象,利用GIS分析方法探索村庄规划的"双评价"应用.文中选取自然地理要素类的高程、坡度、河流和植被覆盖度,以及属社会经济要素类的交通条件、用地类型和人口密度,共七项单因子指标,采用层次分析法计算各指标权重值,再利用GIS加权叠加法对生态适宜性进行评价.结果表明:广安区大...     

基于.NET铲沟机数控机床代码自动生成系统的开发及其实现

文章在分析不同数控机床代码生成原理的基础上,基于.NET软件技术并综合应用CAD,CATIA等工程软件技术,首创面积点位法剔除非加工点的算法,设计铲沟机代码自动生成系统,并研究了该系统的原理以及应用.该系统将推动机械行业的进一步自动化.     

基于天光一号装置的激光直接驱动准等熵压缩研究

采用一种新型的激光驱动准等熵压缩方式，利用KrF准分子激光长脉宽的特点，在不经过脉冲整形的情况下在带窗口铝靶上实现了激光直接驱动准等熵压缩。实验前，对激光光束和靶结构进行了匹配设计。激光打靶获得的峰值压力为16.8 GPa，压力上升前沿约为17.0 ns，与辐射流体力学数值模拟结果一致，验证了实验方法的可行性和天光一号装置的稳定性和可重复性。通过分析受辐照后靶的损伤形貌与结构特征，发现受辐照区域铝膜完全气化，在辐照区域边缘形成溅射堆积状。辐照前后材料组织结构稳定，在高温高压作用下未形成新物质。最后，基于一维辐射流体力学模拟程序研究了不同激光功率密度对准等熵压缩加载过程影响规律，并采用热力学定律计算了其熵增，获得了其变化规律。     

双星轮胎总公司顺利通过“CCC”认证

20 0 3年 7月 2 8日 ,青岛双星轮胎总公司 5个系列 83种规格轮胎顺利通过“CCC”认证 ,获得中国轮胎产品质量认证委员会认证中心颁发的“CCC”中、英文认证证书 3 9份。此次获得证书的 5个系列产品是微型载重普通断面斜交轮胎、轻型载重普通断面轮胎、中型载重普通断面斜交轮胎、重型载重普通断面子午线轮胎及中型载重普通断面无内胎子午线轮胎。双星轮胎总公司顺利通过“CCC”认证标志着公司产品获得了国际市场准入许可证 ,证明轮胎产品本身的安全性、可靠性达到了标准 ,提升了产品在市场上的诚信度。双星轮胎总公司顺利通过“CCC”认…     

不同特征尺寸SRAM质子单粒子效应实验研究

利用中国原子能科学研究院100 MeV质子回旋加速器开展了一系列不同特征尺寸双数据速率（DDR）静态随机存储器（SRAM）单粒子效应实验研究。获得了不同能量、不同入射角度下3款SRAM的单粒子翻转（SEU）截面曲线。分析了入射质子能量及角度对不同特征尺寸SRAM的SEU饱和截面的影响和效应规律，并利用蒙特卡罗方法对65 nm SRAM SEU特性进行了模拟。研究结果表明：随特征尺寸的减小，SEU饱和截面会出现不同程度的降低，但降低程度会由于多单元翻转（MCU）的增多而变缓；随入射角度的增加，MCU规模及数量的增加导致器件截面增大；3款SRAM所采用的位交错技术并不能有效抑制多位翻转（MBU）的发生。