镁合金抛光机理与CMP工艺研究

将化学机械抛光(CMP)技术引入到镁合金片(MB2)的抛光中,打破过去镁合金以单一化学或机械加工为主的加工手段,用自制的抛光液对镁合金片进行抛光实验。结果发现,抛光液中加入双氧水易产生胶体,不利于抛光的进行,因此提出无氧化剂SiO2碱性抛光。同时分析了镁合金的抛光机理,抛光中压力、转速和抛光液流量参数对抛光过程的影响,利用Olympus显微镜对抛光前后镁合金表面进行观察,通过合理控制工艺参数,能够得到较佳的镁合金抛光表面,远优于单一的机械加工,为镁合金抛光工艺和进一步研究抛光液的配比奠定了基础。     

硬盘盘片结构特点及NiP基板CMP研究

分析了硬盘盘片的结构特点及硬盘基板的作用。在超净实验室中,通过调节氧化剂的含量,对硬盘基板进行了化学机械抛光。分析了不同氧化剂的含量对硬盘基板抛光速率的影响。对抛光后的硬盘基板进行了检测。抛光后的硬盘基板的粗糙度基本达到厂家的要求。对有可能造成硬盘基板划伤的原因进行了分析研究,为下一步解决划伤问题的实验提供了理论依据。     

铝合金CMP技术分析研究

阐明了金属化学机械抛光的机理,同时介绍了铝合金化学机械抛光过程中存在的问题,并提出采用碱性抛光液进行实验;分析了抛光液、压力、温度、pH值参数、FA/OⅠ型活性剂对LY12铝合金圆薄片抛光过程的影响。实验表明,pH值在10.1～10.3、温度控制在25～30℃、压力0.06 MPa下有利于铝合金表面完美化。在抛光后期采用单一表面活性剂溶液并且无压力自重条件下抛光,可以获得更为理想的合金表面。     

蓝宝石衬底nm级CMP技术研究

介绍了蓝宝石衬底的化学机械抛光工艺,讨论分析了影响蓝宝石衬底化学机械抛光的因素,定量确定了最佳CMP工艺。提出先以重抛过程提高蓝宝石抛光速率,然后以轻抛过程降低最终表面粗糙度的工艺路线。在配制抛光液时加入FA/OⅠ型活性剂保护SiO2胶粒的双电子层结构。在轻抛过程之前抛光垫用原液浸泡20～30min,抛光磨料直径为20～40nm。实验最佳工艺条件下的抛光速率达231.6nm/min,粗糙度降至0.34nm。     

镁合金抛光机理与CMP工艺研究

将化学机械抛光（CMP）技术引入到镁合金片（MB2）的抛光中，打破过去镁合金以单一化学或机械加工为主的加工手段，用自制的抛光液对镁合金片进行抛光实验。结果发现，抛光液中加入双氧水易产生胶体，不利于抛光的进行，因此提出无氧化剂SiO2碱性抛光。同时分析了镁合金的抛光机理，抛光中压力、转速和抛光液流量参数对抛光过程的影响，利用Olympus显微镜对抛光前后镁合金表面进行观察，通过合理控制工艺参数，能够得到较佳的镁合金抛光表面，远优于单一的机械加工，为镁合金抛光工艺和进一步研究抛光液的配比奠定了基础。     

ULSI铜布线阻挡层Ta CMP及抛光液的研究

ULSI多层铜互连线中,由于Cu与Ta的硬度不同带来抛光速率的差异,使得在CMP过程中各种缺陷如碟形坑缺陷、磨蚀缺陷极易发生。研究分析了H2O2、有机碱对Cu和Ta抛光速率的影响,并进行了不同抛光液配比的试验。实验证明,在温度为30℃、压力0.08 MPa,转速60 r/min、抛光液流量为160 mL/min、抛光液成份为V(H2O2)∶V(有机碱)∶V(活性剂)∶V(螯合剂)=5∶15∶15∶25时,抛光速率一致性较好,能够有效降低碟形坑的出现几率;Cu、Ta的抛光速率均为500 nm/min左右,实现了CMP的全局平坦化。     

600MW间接空冷机组空冷塔紧急泄水电磁阀改造

某电厂2台600MW汽轮机组为哈尔滨汽轮机厂生产的亚临界、一次中间再热、单轴、三缸四排汽、间接空冷凝汽式汽轮机,采用引进匈牙利技术的表面式凝汽器间接空冷系统,有目前亚洲第一、世界第二的空冷塔。在冬季机组厂用电全部失去、     

基于规则和统计的汉语多输出切分系统

介绍了一个对汉语语料进行切分加工的系统，该系统结合了规则和统计两类方法，可以按多种方法输出切分结果．并根据概率信息在分词阶段就对歧义进行适当处理，并可保留少数在分词阶段无法确定的歧义留待后继层面上的分析加工。